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1、第*期高文斌,等:微结构对Bi2Sr2Co2Oy化合物电性能的影响7文章编号:DOI:Al/SnO2/FTO结构双极性电阻开关的制备及其性质研究赵飞1,2，徐智谋1,2，武兴会1,2,刘斌昺1，徐海峰1，张学明1（1.华中科技大学光学与电子信息学院，武汉430074；2.武汉光电国家实验室（筹），武汉430074)摘要:本文通过溶胶凝胶的方法，在FTO衬底上制备得到SnO2薄膜，并对SnO2薄膜的晶体结构以及荧光光谱（PL）进行了研究.XRD结果显示SnO2薄膜为多晶结构，PL结果表明SnO2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷.通过直流磁控溅射在SnO2薄膜上面
2、溅射Al作为顶电极，并对Al/SnO2/FTO结构进行了电阻开关性质研究，测试结果表明器件具有双极性电阻开关性质和良好的阻态保持特性.对器件的电流-电压曲线特征进行了研究，认为SnO2薄膜内氧离子（氧空位）在电场作用下发生迁移，在Al/SnO2界面发生氧化还原反应是引起Al/SnO2/FTO结构双极性电阻开关行为的原因.关键词:SnO2薄膜；电阻开关；双极性；溶胶–凝胶法中图分类号:TN303、TN389文献标识码:APreparationandCharacterizationofAl/SnO2/FTOBipolarResistiveSwitchingFei
3、zhao1,2,Zhimouxu1,2,Xinghuiwu1,2,Binbingliu1,Haifengxu1,Xuemingzhang1,(1.SchoolofOpticalandElectronicInformation,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan,430074,China;2.WuhanNationalLaboratoryforOptoelectronics,Wuhan,430074,China)Abstract:Inthisarticle,SnO2thinfilmwasachieved
4、ontheFTOsubstratethroughsol-gelmethod.ThenthecrystalstructureandphotoluminescenceoftheSnO2filmswereanalyzed.TheXRDdatashowedthattheSnO2filmwaspolycrystalline,andthePLspectrumindicatedthatthereexistedoxygenvacanciesandtheinterstitialoxygendefectintheSnO2film.TheAltopelectrodewasfabr
5、icatedbyDCmagnetronsputteringontheSnO2film.WealsoconductedaresearchontheswitchingpropertiesoftheAl/SnO2/FTOstructure,andtheresultsillustratedthatthedevicehasbipolarresistiveswitchingpropertyandgoodstateretentioncharacteristic.Weconcludedthattheoxygenions(oxygenvacancies)migratedund
6、erappropriatebiasvoltage,andtheredoxreactionoccurredintheAl/SnO2interfacewasthemainreasonthatcausedthebipolarresistiveswitching,withintheI-Vcurvesstudyofthedevice.Keywords:SnO2thinfilms;resistiveswitching;bipolar;Sol-Gelmethod第*期高文斌,等:微结构对Bi2Sr2Co2Oy化合物电性能的影响7电阻开关现象是指电介质在电流或电压作用下突然
7、改变其电阻值，并且这种改变具有可逆性和非易失性.由于电阻开关在非易失性存储器中的潜在的应用价值，而引起研究人员的广泛关注和研究兴趣.在电阻开关研究中，阻变材料的研究一直是人们研究的重点.经过近几十年的研究，电阻开关现象在多种材料中被发现.这些材料主要集中在过渡族氧化物半导体，如TiO2,TaOx,NiO,ZnO等；钙钛矿结构化合物，如La0.7Ca0.3MnO3，Pr0.7Ca0.3MnO3，SrZrO3；以及硫化物半导体Ag2S等.SnO2（Eg~3.6eV，300K）由于其在可见光区域具有高达97%的透过率和良好的电导率等性质而在透明导电电极、半导体气体
8、传感器中有着广泛的应用。另外由于化学计量比的不同而导
