嵌入式系统实验指导书11级

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1、嵌入式微处理器结构与应用实验指导书大连民族学院信息与通信工程学院59嵌入式微处理器结构与应用实验指导书目录第一章EL-ARM-820实验系统的资源介绍2第二章基于ARM系统资源的实验35实验一ARMADS1.2开发环境创建与简要介绍36实验二ARM的汇编语言程序设计44实验三ARM的C语言程序设计46实验四ARM的I/O接口实验51实验五ARM的中断实验5659嵌入式微处理器结构与应用实验指导书第一章EL-ARM-820实验系统的资源介绍ARM实验箱硬件资源概述EL-ARM-820型教学实验系统属于一种综合的教学实验系统，该系统采用了目前在国内普遍认同的ARM

2、7TDMI核，32位微处理器，实现了多模块的应用实验。它是集学习、应用编程、开发研究于一体ARM实验教学系统。用户可根据自己的需求选用不同类型的CPU适配板，在不需要改变任何配置情况下，完成从ARM7到ARM9的升级，同时，实验系统上的Tech_V总线能够拓展较为丰富的实验接口板。用户在了解Tech_V标准后，更能研发出不同用途的实验接口板。除此之外，在实验板上有丰富的外围扩展资源（数字、模拟信号发生器，数字量IO输入输出，语音编解码、控制对象、人机接口等单元），可以完成ARM的基础实验、算法实验、控制对象实验和数据通信实验、以太网实验。59嵌入式微处理器结构

3、与应用实验指导书图1-1EL-ARM-820实验教学系统的功能框图1.1实验系统的硬件资源总揽☆　CPU单元：内核ARM7TDMI，芯片三星的S3C44B0X，工作频率最高66MHz；☆　线性存储器：2MB，芯片SST39VF160；☆　动态存储器：16MB，芯片HY57V641620；☆海量存储器：16MB，芯片K9F2808；☆USB单元：1个主接口，两个设备接口，芯片SL811H/S，PDIUSBD12；☆网络单元：10M以太网，芯片RTL8019AS；☆UART单元：2个，最高通信波特率115200bps；☆语音单元：IIS格式，芯片UDA1341TS

4、，采样频率最高48KHz；☆LCD单元：5.7寸，256色，320X240像素；☆触摸屏单元：四线电阻屏，320X240，5.7寸；☆SD卡单元：通信频率最高25MHz,芯片W86L388D，兼容MMC卡；☆键盘单元：4X4键盘，带8位LED数码管；芯片HD7279A；☆模拟输入输出单元：8个带自锁的按键，及8个LED发光管；☆A/D转换单元：芯片自带的8路10位A/D，满量程2.5V；☆步进电机单元：两相四拍式，步距角1.8°，0.1安；☆直流电机单元：有刷；☆温度控制单元：集成温控模块；☆信号源单元：波形三种，频率20-120KHz，三路输出；☆标准键盘及

5、PS2鼠标接口；☆标准的IDE硬盘接口；☆达盛公司的Tech_V总线接口；☆调试接口：20针JTAG；☆CPLD单元；☆电源模块单元。1.2核心板的资源介绍1.核心板的硬件资源（ARM7TDMI核）59嵌入式微处理器结构与应用实验指导书在核心CPU板上包括下列单元和芯片，32位ARM7TDMI的处理器，即三星的S3C44B0芯片，两片动态存储器，每片8M字节，一片2M字节线性flash存储器，一片16M字节的NAN_flash存储器，一个USB主从芯片，完成USB的主从通信选择，一个10M的以太网控制芯片，完成网络访问功能，一个UART接口，完成串口通信，最高

6、波特率率为115200bps,一个RTC实时时钟，一个5V转3.3V和2.5V的电源管理模块，一个20针的JTAG调试接口。具体元器件见表1-1。芯片名称数量功能板上标号S3C44B0X1ARM7TDMI，中央处理器ARMHY57V6416202动态存储器（SDRAM），16MBU10，U11SST39VF1601线性flash，存储芯片，2MBU9K9F28081海量存储器，16MBNAND_FLASHSL8111USB主/从控制U14RTL8019AS110M以太网控制U12LM1117-3.315V转3.3VU5LM1117-2.515V转2.5VU4M

7、AX32321RS232转换U2IMP811-S1复位U7表1-1具体的单元、跳线见表1-2。标号名称功能POWER5V电源单元电源供应，（需内正外负插头）S1电源开关打开/关闭5V电源SW1复位键系统复位按键J1串口0单元和S3C44B0X的串口0通信P3主USB单元主USBP5从USB单元USB设备U13网络单元访问以太网SW2USB主从选择开关1、2“ON”；3、4“OFF”为主1、2“OFF”；3、4“ON”为从JP1RTC时钟开关短接为启动RTC时钟59嵌入式微处理器结构与应用实验指导书JP2JTAG单元20针调试接口JP4从设备数据D+、D-上拉上

8、短接为D-上拉，下短接为D+上拉标号名