电子原件及电子电路介绍

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1、电子原件及电子电路介绍制作：邹建设2001.6.3013常用和较新的电子器件，包括分立器件的晶体二极管和三极管、场效应管、光电器件、LEDLCD、固体继电器、霍尔元件以及TTL和CMOS集成电路、运算放大器、集成稳压电路、大规模集成电路、A/D及D/A较换器，接口电路、存储器（RAMEPROMEIPOM）、可编程陈列逻辑器件PAL及GAL，家用电器器件（单片收音机、收录机、黑白及彩色电视机、录象机）、阻容元件及片状元件等。一、分立器件㈠国产半导体器件型号命名方法中华人民共和国国家标准——半导体器件型号命名方法（GB249-74）。本标准运用于无线电子设备所用半导体器件的

2、型号命名表1-1所列出了半导体分立元件组成部分的符号及意义。半导体器件的型号由五个部分组成。第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用汉语拼音字母表示规格号用汉语拼音表示器件的类型用阿拉伯数字表示序号用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用阿拉伯数字表示器件的电极数目※注：场效应器件，半导体特殊器件，复合管，PIN型管，激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。示例1：锗PNP型高频小功率三极管3AG11C三极管序号规格号DNP型锗材料高频小功率管高频小功率管示例2：场效应器件规格号CS2B高频小功率管场效应器件序号13表1-1半导体分立元件组成部分的符号及意义第一部分第二部

3、分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义2二极管AN型，锗材料P普通管3三极管BP型，锗材料U微波管CN型，硅材料W稳压管DP型，硅材料C参量管APNP型，锗材料Z整流管BNPN型，锗材料L整流堆CPNP型，硅材料S隧道管DNPN型，硅材料N阻尼管EU光电器件K开关管X低频小功率管fa＜3MHZPơ＜1WG高频小功率管fa≥3MHZPơ＜1WD低频大功率管fa＜3MHZPơ≥1WA高频大功率管fa≥3MHZPơ≥1WT可控制整流器（半

4、导体闸流管）Y体效应器件B雪崩管J阶跃恢复管CS场效应器件BT半导体特殊器件FH复合管PINPIN型号JG激光器件㈡半导体二极管、稳压二极管和双基极二极管⒈使用二极管的注意事项：①在电路中应按注明的极性进行连接。②应根据需要正确地选择型号。同一型号的整流二极管方可串联、并联使用。在串联或并联使用时，应视实际情况决定是否需要加入均衡（串联均压、并联均流）装置（或电阻）。③13引出线的焊接或弯曲处，离管壳距离不得小于10mm。为防止因焊接时过热而损坏，要使用小于60W的电烙铁，焊接时间不应超过2s~3s，并在管壳与焊接点之间保证有良好的散热。①应避免靠近发热元件，并保证散热

5、良好，工作在高频或脉冲电路的二极管引线，要尽量短，不能用长引线或把引线弯成圈来达到散热的目的。②二极管的替换。硅管与锗管不能互相代用。替换上去的二极管其最高反向工作电压及最大整流电流不应小于被替换管。根据工作特点，还应考虑其他特性，如截止频率，结电容，开关速度等。⒉稳压管：稳压二极管除了广泛应用在电源装置中外，还常在电路中作稳压限幅，过载保护和开关元件等。动态电阻RZ是稳压二极管的一个重要参数，其值随工作电流的不同而异，一般是工作电流越大，动态电阻值越小。使用稳压二极管的注意事项：①可将任意数量的稳压管串联使用，但不得并联使用。②工作过程中，在所有的温度范围内，所用稳压

6、管的电流与功率不允许超过极限值。③在电路中的连接，应使稳压管工作于反向击穿状态，即工作于稳压区。④稳压管的替换。必须使替换上去的稳压管的稳压电压额定值VI与原稳压管的值相同，而最大工作电流Imax则要相等或更大。⒊硅双基极二极管：硅双基极管又称单结晶体管，是一种特殊的半导体器件，其外形和普通三极管相似，同样有三个电极，但在结构上只有一个PN结，其电路符号和等效电路见图（1-1）：图1-1单结晶体管电路符号与等效电路图1-2是单结晶体管的发射极特性曲线：图1-2单结晶体管的发射极特性曲线由图1-2看出，该器件e-b间具有负阻特性，利用该负阻特性和RC电路的充放电特性可组成

7、非正弦振荡电路，产生频率可变的脉冲。因此，单结晶体管通常被用来组成晶闸管可控整流电路的同步触发电路。此外，也可用于双稳态电路（电压偏置电路）及时间电路。13㈢半导体三极管：半导体三极管又称晶体三极管，通常简称晶体管或双极型晶体管，它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小，耗电省等一系列独特优点。锗三极管的增益大，频率特性好，尤其适用于低电压的线路。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。使用三极管注意事项：①加到管上的电压极性应正