avx固体钽电容漏电流分析

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1、固体钽电容漏电流分析ANALYSISOFSOLIDTANTALUMCAPACITORLEAKAGECURRENT固体钽电容漏电流分析Abstract:摘要Theleakagecurrentofasolidtantalumcapacitoristhesumofseveralindependentfactors.Frommeasurementsofleakageoverarangeoftestconditionssomedegreeofseparationofthesecomponentsofthecurrentcanbeachievedand

2、sotherelativeimportanceoffactorsleadingtohighleakagecanbeassessed.Thereisabackgroundlevelpresentdirectlyrelatedtodielectricabsorptionanditcontributestothelossfactorofthecapacitor.Itisnotatrueleakage.Ontopofthisabsorptioncurrentthereareothercomponents,mostofwhichareessentia

3、llyby-passingthebulkofthedielectric.Thesecanbemoistureormanganesedioxidetracksorbreakdownsitesinthedielectriclayer.Thesetypicalbehaviorpatternsaredescribedindetail.固体钽电容器的漏电流是几个独立因素之和，对各种条件下漏电流的测量，可以一定程度将这些漏电流成分分开，因此相对重要的大漏电流因素可以评估出来。有直接的背景涉及到介质吸收，它对电容器的损耗因子有贡献。它不是真正的漏电流。另

4、外，紧接着吸收电流的是其它成分，大多数在本质上是介质本体的旁路电流。这些可能是潮汽或二氧化锰轨迹或介质层的击穿点造成的。这些典型的行为方式也会详细介绍。Theleakagecurrentofasolidtantalumcapacitoristhesumofseveralindependentfactors.Frommeasurementsofleakageoverarangeoftestconditionssomedegreeofseparationofthesecomponentsofthecurrentcanbeachievedands

5、otherelativeimportanceoffactorsleadingtohighleakagecanbeassessed.固体钽电容的漏电流是几个独立因素的总和，在一定测试条件范围内对漏电流可以得到某种程度的分开的量值，所以，可以对导致漏电流大的重要因素进行评估。Thereisabackgroundlevelpresentequivalenttoadielectricresistivityofabout1016ohmcm.Thisbackgroundisdirectlyrelatedtodielectricabsorptionand

6、itcontributestothelossfactorofthecapacitor.Itisnotatrueleakageinsofarasitcanberecoveredwhenthecapacitorisdischarged.Itisproportionaltovoltageand,overtheperiodusuallyemployedforleakagecurrentmeasurements,isinverselyproportionaltotime.这里有一个大约为1016Ωcm介质电阻率的参考背景。此背景直接与介质吸收相联系，

7、并对电容器的损耗因子有贡献。它并不是真正意义上的漏电流，因为在电容器放电时可以恢复。它与电压成正比，并在测量漏电流期间与时间成反比。Ontopofthisabsorptioncurrentthereareothercomponents,mostofwhichareessentiallyby-passingthebulkofthedielectric.Thesecanbemoistureormanganesedioxidetracksorbreakdownsitesinthedielectriclayer.Thedependenceofthe

8、seonthemeasuringvoltagerangesfromohmictoanextreme13固体钽电容漏电流分析sensitivity.Moisturetracksca