华为存储的中国芯

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1、华为存储的中国芯文/陈灿芯片是IT产业核心，根据摩尔定律，芯片的规模每18个月就会提升一倍。存储系统起源于大型机，按功能划分可分为3大模块：介质管理，存储CPU以及网络接口。纵观整个IT领域，在过去20年里，CPU技术发展很快，性能提高了500倍；网络接口技术的发展更是惊人，短短十几年，网络带宽提高了1000倍。然而，在存储介质领域始终未实现较大的突破，机械硬盘依然是当前存储介质的主流。从硬盘技术的发展上看，通过减少磁头尺寸，增加碟片等技术，硬盘容量虽然有较大提升，但在性能方面，因受到机械转动和介质材料的限制，仅仅从3600转提升

2、到了15000转，从而导致存储的访问性能成为计算机系统中的性能瓶颈。因此迫切需要有新的技术来对存储系统进行一场技术革命。近几年，基于非易失性半导体（NandFlash）存储技术逐步兴起，先应用于U盘，MP3、手机、数码相机等电子产品领域，NandFlash由于其方便性，以及价格的不断下降（平均每年降50%），和容量的不断上升（平均每年翻一倍），使其在短短的几年时间内迅速发展起来。SSD（SolidStateDrive）也正是基于NandFlash发展起来的新一代的硬盘技术，SSD内部也可以看做一个小型的存储系统，由接口单元，控制单

3、元和存储单元（FLASH芯片）组成，即用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘。由于固态硬盘没有普通硬盘的机械部件和磁介质，因而抗震性极佳，工作温度范围宽，功耗低，无噪音，具有极高的读写带宽与IO处理能力。广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等、导航设备等高可靠性应用领域。但是NANDFLASH也并非完美的存储介质，随着对大容量，高性能，低功耗，低成本的极致追求，NANDFLASH的半导体工艺制程不断推向极限，从45nm，32nm，24nm，以至1xnm（x=6-9）甚至1ynm（y=1-5）。随着

4、制程的不断趋向极限，NANDFLASH的可靠性问题也不断显现，为充分发挥NANDFLASH半导体存储介质的性能优势，同时规避其可靠性问题，SSD控制芯片成为SSD设计的关键。从整个SSD业界看，致力于自主研发SSD控制芯片领域主要有如下4类厂商：一、新兴技术型厂商这类厂商基本上都有一些半导体技术的积累，定位高端企业级市场，推出SSD的特点主要是高性能。这类厂商的代表有：Fusion,STEC,Micron等二、Flash颗粒厂商具备Flash颗粒的生产能力，成本控制力较强，在市场上也有一定的品牌影响力。主要定位在中高端消费类市场，

5、这类厂商代表有：Samsung,Intel,Toshiba等三、消费电子厂商以台湾做内存、闪存卡的厂商为主，其特点是具备强大的生产制造能力，推出产品迅速，且有广泛的销售渠道，这类厂商主要定位在中低端消费类市场，其代表有：创见、威刚、台电等四、传统硬盘厂商SSD的出现让传统硬盘厂商感到了强大的威胁，传统硬盘厂商一方面加速传统机械硬盘的研究来打压其他SSD厂商，另一方面自己也开始布局SSD的研发，这类厂商代表主要有：希捷、西部数据、日立。SSD控制芯片在国内处于起步阶段。虽然有湖南源科、忆正存储、固捷数据、朗科、爱国者等推出了SSD盘

6、片，但是它们都使用了海外厂商的SSD控制芯片方案。长期以来，海外厂商把持着IT领域芯片的核心专利，并对此构筑起技术壁垒，以阻碍中国公司进入这个产业。华为公司凭借多年在存储领域的技术积累，打造自主、可控的存储芯片，构建存储领域的中国芯。发展历程华为公司从2001年启动存储技术预研工作，并于2002年成立存储产品研发部，2004年开始硬盘技术研究，并于2005年启动SSD算法与关键技术点的预研工作。2006年，基于PATA的SSD原型完成，2007年研发第一代基于SATA的SSD原型。2008年，华为启动存储介质控制器战略，第一代自研

7、SSD控制芯片，提供3GSATA接口，凭借高可靠，长寿命的特点，成功击败国外厂商，助力我国南极科考队，圆满完成南极科考任务。2010年，华为第二代SSD控制芯片成功面世，其提供高性能的3GSAS接口，在继承高可靠的同时，凭借独特的硬件引擎，获得性能业界第一的成绩。2012年，华为发布了第三代SSD控制芯片，可同时支持最新的6GSAS、6GSATA接口，满足2xnm制程的SLC，MLC，eMLC颗粒的企业级高可靠应用。以此实现的企业级SSD盘片，性能达到30KIOPS，功耗11.5W，能效比较同等价格的SAS15K盘片提升95%。2

8、012年Q2，华为发布基于第三代SSD控制芯片构建全固态存储系统Dorado5100系列，并在SPC-1测试中获得600KIOPS的骄人成绩。技术优势经过多年的技术积累，华为已明确在SSD控制芯片上的发展思路，即：聚集企业级存储应用，将SSD与存储