材料科学研究方法分解

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时间:2018-07-19

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1、光学分析法:利用待测物质的光学性质进行测定的方法。电化学分析法:利用待测物质的电化学性质进行分析测定的方法。分离分析法:利用各待测组分在互不相容的两相中的溶解、亲和、吸附与解析、渗透等性质方面的不同而进行分离和吸附的方法。灵敏度S:物质单位浓度或单位质量的变化引起信号响应值变化的程度。检出限:某一方法在给定的置信水平上可以检出被测物质的最小浓度、质量等。紫外光谱UV:分子中某些价电子吸收一定波长的紫外光,由低能级的基态跃迁至高能级的激发态而产生的光谱。波长范围:10-400nm,近紫外光区:200-40

2、0nm朗伯-比尔定律:溶液的吸光度与溶液中物质的浓度及液层厚度成正比。发色团:可以使分子在紫外-可见光区产生吸收带的原子团。例如:C=C,C=O,C=N-,-N=N-助色团:含有未成键n电子,本身不吸收大于200nm波长的紫外光,但与发色团相连时,能使发色团吸收波长变大或吸收强度增加。例如:-OH,-NH2,-OR,-NR2,-SR红移:向长波方向移动增色效应:使最大吸收强度增大的效应R带:由跃迁引起,由带孤对电子的发色团产生。特点①②溶剂极性增强,发生蓝移K带:由跃迁引起,特指共轭体系。B带:由苯环的

3、跃迁引起,苯环的UV特征吸收,为宽峰,230-270nm,有精细结构。。E带:E1及E2吸收带,可分别看成苯环中乙烯键和共轭乙烯键所引起。UV结构判断基本原则:①200-400nm无吸收峰,饱和化合物,单烯。②270-350nm有吸收峰,=10-100nm醛酮跃迁产生的R带③250-300nm具有中等强度的吸收峰()芳环的特征吸收,具有精细结构的B带④200-250nm具有强吸收峰(),表明含有一个共轭体系K带。⑤大于250nm有强吸收峰,表明含有一个大于两个双键的共轭体系(K)带分子发光:处于基态的分

4、子吸收能量被激发至激发态,然后从激发态返回至基态并发射光子。振动弛豫:同一电子能级中,电子由高振动能级转至低振动能级,而将多余的能量以热的形式发出。内转换:当两个电子能级非常靠近以至于振动能级有重叠时,电子由高能级以无辐射跃迁方式转移至低能级。体系间跨越:不同多重态间的无辐射跃迁。外转移:激发分子与溶剂分子或者其他溶质分子的相互作用及能量转移,使荧光或磷光强度减弱甚至消失。碰撞猝灭:荧光分子与猝灭剂分子碰撞。静态猝灭:荧光分子与猝灭剂分子生成非荧光配合物转入三重态猝灭:引入溴,碘,溶解氧发生电荷转移反应

5、的猝灭:甲基蓝与Fe2+荧光是激发单重态最低振动能级至基态各振动能级间跃迁产生。磷光是由激发三重态的最低振动能级至基态各振动能级间的跃迁产生。Stokes位移:在溶液中,分子荧光的发射相对于吸收位移到较长的波长红外光谱:以红外光照射物质时,物质分子吸收光能,并将其转变为分子振动、转动能量,利用红外谱仪分析透过光。0.75~200μm;中红外区2.5~25μm费米共振:基团的倍频或合频与另一个基团相近,具有对称时,可能产生共振,使谱带分裂,频率增强。特征峰:对应某一基团固定振动形式的吸收谱峰相关峰:对应同

6、一基团的不同振动形式的各个吸收峰拉曼效应:光波在被散射后频率发生变化的现象。(一定频率的激光照射到样品表面,物质中的分子吸收了部分能量,发生不同方式和程度的振动,然后散射出较低频率的光。)拉曼位移:入射光频率与拉曼散射光频率之间的差值。斯托克斯线:在拉曼散射中频率低于入射光的散射线。拉摩进动:当具有磁矩的原子核置于外磁场,核一面自旋,一面围绕着磁场方向发生回旋。化学位移:由于核所处化学环境不同引起吸收峰位置的变化。热重分析TGA:在程序温度控制下,测量物质的质量随温度变化关系的一种技术。差热分析DTA:

7、在程序温度控制下,测量试样和参比物的温度差与温度的函数关系的一种技术。差示扫描量热法DSC:在程序温度控制下,测量输入到物质和参比物的功率差与温度的关系的一种技术。热机械分析TMA:在程序温度控制下,对物质施加非振荡负载,测量物质的尺寸变化、应力与温度的函数关系的一种技术。动态机械热分析DMA:在程序升温条件下,对物质施加交变负载,测量物质的尺寸变化、应力与温度的函数关系的一种技术。DSC等温结晶:DSC等温结晶分为熔体结晶(将试样上升到熔点以上的温度加以熔融,然后急冷到所需的结晶温度,恒温记录结晶热随

8、时间的变化);冷结晶(从室温出发,急速升温至所需结晶温度,恒温记录结晶随时间的变化)。光电效应:因为入射电子的能量被吸收而产生光电子的现象称为光电现象。荧光效应:是指高能X射线光子激发出被照射物质原子内层电子后,较外层电子跃迁填入其空穴而产生了次生特征X射线的现象。俄歇效应:当外层电子跃迁填空穴时所释放的能量不产生次生X射线,而转移给另外一个外层电子,并使其从物质中发射出来,这个次生电子叫做俄歇电子,这个过程叫俄歇效应。二次电子:在入射电子

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