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《半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、------------------------------------------------------------------------------------------------半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响研究.doc半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响研究丛忠超1,2,3,4余学峰1,2,3*崔江维1,2,3郑齐文1,2,3,4郭旗1,2,3孙静1,2,3周航1,2,3,4（1.新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐830011；2.中国科学院特殊环境材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐830011；3.中国科学院
2、新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐830011；4.中国科学院大学，北京100049）摘要：对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了在其它条件相同情况下,不同的辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。关键字：总剂量辐射效应；MOS晶体管；三极管；不同温度辐照中图分类号:TN386.1文献标识码:AResearchonthethermodynamicpropertiesoftotal
3、doseeffectforsemiconductorcomponentsCONGZhong-chao1,2,3,4YUXue-feng1,2,3?CUIJiang-wei1,2,3ZHENGQi-wen1,2,3GUOQi1,2,3——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------SUNJing1,2,3ZHOUHang1,2,3
4、,4(1.XinjiangKeyLaboratoryofElectronicInformationMaterialsandDevices,Urumqi830011,China;2.KeyLaboratoryofSpecialMaterialsandDevices.CAS,Urumqi830011,China;3.TheXinjiangTechnicalInstituteofPhysics&Chemistry.CAS,Urumqi830011,China;4.UniversityofChineseAcademyofSciences,Bei
5、jing,100049,China)*CorrespondingAuthor，E-mail：yuxf@ms.xjb.ac.cnAbstract：Totaldoseeffectsofdiode、triodeandMOStransistorunderdifferentenvironmenttemperaturewasstudiedinthispaper，comparedtheinfluenceoftemperatureontheradiationeffectofthedevices.Theexperimentresultsshowthatparam
6、etersofthediodealmostthesamewiththechangeoftemperaturewhentotaldosereached100krad(Si)，whilethecurrentgainofthetriodeandthethresholdvoltage、offleakagecurrentofMOStransistorexistanobviousvariationwiththechangeoftemperature.Keywords：totaldoseeffect;MOStransistor;triode;differen
7、ttemperatureirradiation1引言随着我国半导体事业的不断发展，半导体元器件的可靠性也不断的面临新的挑战。而空间、核爆环境、核电厂及核武器储存环境中都——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------存在大量的辐射射线粒子,射线粒子的作用会在材料或电子器件中产生陷阱和缺陷,最终影响器件性能[1]。如影响三极管的基
8、极电流、作者简介：丛忠超（1988－），男，硕士研究生，黑龙江省大兴安岭地区，从事微电子器件的辐射效应研究。E-mail:Tel.:182099122
