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时间:2018-07-18
《昆明理工大学物理实验讲义(印刷稿)》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、目录1、霍尔法测磁场12、用示波器研究互感耦合线圈63、电表的改装和校准114、夫兰克-赫兹实验165、密立根油滴实验226、光电效应实验317、等厚干涉实验378、温度传感器研究429、分光计的认识和调整5110、衍射光栅实验5811、迈克尔逊干涉实验6212、空气中声速的测定6513、光纤通讯技术实验6814、用旋光仪测定液体的浓度7315、光电二极管伏安特性测定76801、霍尔法测磁场[实验目的](1)了解产生霍耳效应的机理,明确应用霍耳效应测量磁场的原理。(2)学习用霍耳元件测量磁场的基本方法。(3
2、)进一步熟悉箱式电位差计的使用方法。[仪器用具]螺线管磁场实验仪、箱式电位差计、稳压电源、安培表、毫安表、干电池、滑线变阻器、开关等(或:螺线管磁场实验仪、HLZ-5螺线管磁场测试仪)。[实验原理]图1-1.霍尔效应示意图霍耳元件是根据霍耳效应制作的一种磁电转换元件。如图1-1所示,一块边长分别为和b、厚度为d的长方形半导体薄片,放在均匀磁场中,并使薄片平面垂直于磁场方向,若在l、2端面通以电流I,则在3、4端面间就产生一电位差,这一现象称为霍耳效应,其电位差称霍耳电压VH。霍耳效应是由于运动电荷在磁场中受
3、到洛仑兹力作用而产生的。设电流I由带负电的载流子(电子)的运动形成(元件是由均匀的n型半导体材料做成的),则电子受到洛仑兹力为方向沿Z轴向上,电子在Fm的作用下发生偏转,并聚积在端面3上.使端面3带负电荷,端面4带正电荷,从而在3、4两端面间建立起电场E。这电场使电子又受到电场力Fe=-eE的作用,Fe与Fm方向相反。开始时,电子将继续聚积到端面3上,电场E继续增大,直至为止,此时就在3、4端面间形成一稳定的电场和稳定的电压,于是有设霍耳元件中载流子(电子)的密度为ne,则I的大小为:,由上二式可解得80(
4、1-1)式中,称为霍耳系数;称为霍耳元件的灵敏度,单位为:mV/(mA×T),它反映效应的强弱,其大小与材料特性(种类、载流子浓度等)及元件的几何尺寸有关。如果霍耳元件为p型(即载流子为空穴)半导体材料做成的,则(其中np为空穴的密度)。由于n型半导体的霍耳系数比p型半导体的霍耳系数大,所以霍耳元件大都采用n型半导体材料。由(1-1)式有(1-2)如果霍耳元件的KH值已知,只要测出实验中的工作电流I和霍耳电势差VH,就可算出霍耳元件所在处的磁感应强度。图1-2.霍尔元件等位面示意图等位面1234在实验中,伴
5、随着霍耳效应,还有一些副效应,所产生的附加电压,叠加在VH上,使得测出的电压不只是霍耳电压VH,附加电压的来源主要有以下几种:1.不等位电位差V0在霍耳元件的制造工艺中,很难将霍耳电极3、4焊在同一等位面上,如图1-2所示,因此当电流流过霍耳元件时,端面3、4间就会有一电位差V0,且式中r为沿X方向3、4两点间的电阻。V0的方向与电流的方向有关,与外加磁场的方向无关。2.厄廷好森效应及其产生的电压VE当放在磁场B中的霍耳元件通以电流I后,由于载流子迁移速度的不同,载流子所受的洛仑兹力也不相等。表明速度为v的
6、载流子达到动态平衡。以电子为例,速度大于v的电子,满足,因而聚集在端面3上;速度小于v的电子,满足,因而聚集在端面4上。由于快速电子的能量大,转换成的热能多,使端面3的温度升得较高;反之,端面4的温度则较低,两端面就有一定的温度差,又因为电极与霍耳元件的制作材料不同,电极材料与霍耳元件形成一热电偶,所以这一温度差就会使3、4端面之间产生温差电压VE,这种现象称厄廷好森效应,VE的大小与IB乘积成正比,方向随I、B的换向而改变。3.能斯脱效应及其产生的电压VN由于电流I流入和流出霍耳元件的电极接头处的电阻不同
7、,电流在两极处产生的焦耳热也不同,因而也会引起温差电动势。这电动势又引起附加的80电流,此电流在磁场作用下产生一个类似于VH的电压VN,这一现象称能斯脱效应。VN只与外磁场B的方向有关,与电流I的方向无关。4.里纪-勒杜克效应及其产生的电压VR能斯脱效应产生的电流也有厄廷好森效应,从而产生电压VR,这一现象称里纪-勒杜克效应,VR只与磁场B的方向有关,与电流I的方向无关。这四种副效应使得霍耳电压难以测准。有时四种副效应产生的电压的总和,会远大于霍耳效应,因此必须减小和消除它们的影响。根据它们与电流I和磁场B
8、的关系,可以用下述方法减小或消除它们的影响。若实验测得的电压V1为:我们把此情况下的B和I定为(+B,+I),则当(+B,-I)时有:当(-B,-I)时有:当(-B,+I)时有:由上述四式可消除V0、VN、VR,得实验证明,VE较VH小得多,在误差范围内可略去,所以由于V2、V4对V1、V3来说测得的VH为为负值,故有(1-3)[实验装置]图1-3测绘通电螺线管轴向磁场实验电路图实验装置电路如图1-3,可以分为以
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