锗硅 辕 硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型鄢

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2、员愿日收到曰圆园员园年员圆月圆园日收到修改稿冤摇摇基于化学气相淀积渊悦灾阅冤的郧则燥增藻理论和云蚤糟噪第一定律袁提出并建立了锗硅渊杂蚤郧藻冤辕硅渊杂蚤冤异质结材料减压化学气相淀积渊砸孕悦灾阅冤生长动力学模型援与以前锗硅辕硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同袁本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理袁并给出了两种控制机理极限情况下的模型援本模型不仅适用于低温锗硅辕硅应变异质结材料生长的表征袁也适用于表征高温锗硅辕硅弛豫异质结材料生长的表征援将模型计算值与实验结果进行了对比袁无论是远圆缘益低温下的应变杂蚤郧藻的生长袁还是怨园园益高温下的弛豫杂

3、蚤郧藻的生长袁其模型——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------误差均小于员园豫援关键词院杂蚤郧藻辕杂蚤异质结材料袁化学气相淀积生长动力学模型袁郧则燥增藻理论袁云蚤糟噪第一定律孕粤悦杂院缘员郾员园郾垣赠袁远远郾猿园郾躁藻袁远愿郾猿缘郾遭早袁远愿郾猿缘郾允葬砸孕悦灾阅生长动力学模型援该模型同时考虑了表面反员郾引言应速率控制和质量输运速率控

4、制袁其特点是结构简洁袁物理意义清晰袁适于全温度范围的砸孕悦灾阅生长动力学描述袁适于各种杂蚤源和郧藻源气体体系援进行了应变和弛豫杂蚤郧藻辕杂蚤异质结材料的砸孕悦灾阅生长实验袁将生长速率的模型计算值与实验值进行了对比袁结果符合较好援采用锗硅渊杂蚤郧藻冤材料所制作出来的器件和电路性能几乎可达到郧葬粤泽等化合物半导体器件和电路的水平袁而在杂蚤郧藻基础上发展起来的应变硅技术大大提高了器件的频率尧速度性能援因此硅基应变材料是圆员世纪硅半导体技术的关键袁具有良好的应用前景咱员要源暂援对硅基应变材料的悦灾阅生长动力学模型的研圆郾杂蚤郧藻辕杂蚤异质结材料的砸孕悦灾阅微观生长

5、理论与机理圆郾员郾边界层理论根据气体理论袁悦灾阅工艺反应室内气体分子的平均自由程远——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------小于反应室的几何尺寸袁为黏滞性流动援由于黏滞性袁在硅片表面与气流之间存在摩擦力袁使紧贴硅片表面气流速度为零援于是袁在靠近硅片表面附近就存在一个气流速度受到扰动的薄层袁称为边界层援在边界层内气流速度变化很大袁在垂直

6、气流方向存在很大的速度梯度援边界层是一个过渡区域袁存在于气流速度为零的硅片表面与气流速度为哉的主气流区之间袁其厚度啄定义为从速度为零的硅片表面到气流速度为究仅涉及超高真空悦灾阅渊哉匀灾悦灾阅冤和低压悦灾阅力学模型咱缘要苑暂袁这是因为目前硅基应变材料的外延生长都是在低温下进行的援研究表明袁当常压悦灾阅渊蕴孕悦灾阅冤技术袁且都是基于表面反应控制的生长动渊粤孕悦灾阅冤生长温度较高时渊大于远缘园益冤袁杂蚤郧藻薄膜的生长将由表面反应速率控制转化为质量输运速率控制袁表面生长动力学模型将不适用于表征薄方程建立了粤孕悦灾阅高温生长杂蚤郧藻外延材料的生长速率模型援该模型仅适

7、于粤孕悦灾阅技术袁且边界条件过多袁求解过于繁琐袁影响了模型的实用性援根据郧则燥增藻理论及云蚤糟噪第一定律咱员园暂袁本文提出膜的生长咱愿暂援金晓军等咱怨暂根据流体力学的动量守恒并建立了适用于杂蚤郧藻辕杂蚤异质结应变及弛豫材料的——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------鄢国家重点基础研究发展计划渊批准号院远员猿怨愿园员鄄员冤尧国防预研基金

8、渊批准号院怨员源粤园愿园远园源园苑阅在园员园猿冤资助的课题援覮耘鄄