模拟电子技术基础——摘要

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1、第一章1.多子的浓度约等于所掺杂的杂质原子的浓度，他受温度的影响小，少子是本征激发形成的，尽管浓度低，但是对温度非常敏感，这将影响半导体的性能。2.PN结导通时的压降上只有零点几伏，因而应在它所在的回路上串联一个电阻，以限制回路电流，防止PN结因为正向电流过大而烧毁。3.在电子电路中，如果A1>(5-10)A2,则可称为A1远远大于A2。4.高掺杂，耗尽层窄，低电压即可击穿，称为齐纳击穿。5.低掺杂，耗尽层宽，高电压才能击穿，称为雪崩击穿。6.二极管的主要参数：最大整流电流If，最高反向工作电压Ur，反向电流Ir，最高工作频率Fm。7.二极管外加微变电流时，等效成为一个动态电阻8.稳压管在反

2、向击穿时，在一定的电流范围内端电压不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。9.在稳压电路中，一般要串联一个电阻来限流，从未保证稳压管正常工作。10.稳压管的主要参数：稳定电压Uz；稳定电流Iz；额定功耗Pzm；动态电阻Rz；温度系数α11.发光二极管的发光颜色取决于所用的材料，开启电压比普通的二极管要大。12.双极型晶体管（BIT）又称为晶体三极管、半导体三极管。13.基区薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区面积大。14.放大是对模拟信号最基本的处理，晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。15.晶体管的直流放大系数和交流放大系数基本相等，放大倍数太小起不

3、到放大作用，太大则不稳定。16.晶体管的三个状态：截止区、饱和区、放大区，Ube小于开启电压且集电极反偏时。饱和区，此时发射极正偏，集电极也正偏，也就是说Uce小于Ube，Ic不仅与Ib有关，还与Uce有关，随着Uce的增大，Ic会增大。当Uce大于Ube时，也就是集电极反偏时，Ic的大小几乎与Uce无关，只与Ib的大小有关，表现为线性放大的状态。17.晶体管的主要参数：共射放大倍数β、最大集电极电流、最大反向击穿电压、级间反向电流Iceo，越小越稳定。18.场效应管（FET）利用输入电压来控制输出电流，只有多数载流子导电，属于单极性器件。19.ebc对应于sgd（源、栅、漏）结型N沟道的箭

4、头朝里，P沟道的箭头朝外。20.对于结型N沟道，在Ugd

5、直流输入电阻，低频跨导Gm，级间电容，最大漏极电流Idm，击穿电压，最大功耗。23.场效应管和晶体管的比较：1.场效应管栅极基本不取电流，而晶体管的基极要索取一定的电流，要求输入电阻高的电路选择场效应管，若信号源能提供一定的电流，则选择晶体管，晶体管的放大倍数大些。2.场效应管只有多子导电，晶体管还有少子导电，少子受温度、辐射的影响较大，所以场效应管的温度稳定性和抗辐射能力强。3.场效应管的额噪声系数小4.场效应管的漏极和源级可以互换5.场效应管更灵活6.二者据可用于放大和开关电路第二章基本放大电路1.放大电路放大的本质是能量的控制和转换，电子电路放大的基本特征是功率放大，这样，在放大电路中

6、必须存在能够控制能量的元件，即有源元件，如晶体管和场效应管。2.放大前提条件是不失真，只有不是真的条件下放大才有意义，晶体管工作在线性区，场效应管工作在恒流区，才能使输出量和输入量保持线性关系，即线路不会失真。3.输入电阻Ri是从放大电路输入端看去的等效电阻，定义为输入电压有效值Ui和输入电流有效值Ii之比，Ri越大，索取的电压也越大。任何放大电路的输出都可以看作是一个有内阻的电压源，从放大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻Ro，Ro越小，带负载能力越强。4.静态工作点Q：Ibq，Icq，Ubeq，Uceq。5.直流通路：1.电容视为开路2.电感视为短路3.信号源视为短路，但保留内阻。交

7、流通路：1.电容视为短路2.无内阻的直流电源（VCC）视为短路。6.放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载无关。7.共射是Ib控制Ic，共集是Ib控制Ie，共基是Ie控制Ic。8.共集放大电路常称为射级跟随器，输入电阻大，输出电阻小，因而从信号源索取的电流小而且带负载能力强，所以常用于多级放大电路的输入级和输出级，也可以用它连接两个电路，减少电路间的直接连接所带来的影响，起缓冲作用。9.共基放大电