电路分析与电子电路部分习题

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1、一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。a20vＲ＝１ＫΩＶＤ10vb10vＲ＝１ＫΩＶＤ20v2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是　a　。3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__ICBO___。5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_uds＞UGS（OFF）__，它的截止条件为__uGs≤UGS（OFF）__。6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻RL=8Ω，则理想情况最大

2、输出功率为_14.06_W，理想效率为78.5%_。7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF=0_。11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。此

3、外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入　五价的微量元素而形成的，多数载流子是　自由电子，少数载流子是　空穴　。12.半导体PN结具有单相导电性特性。13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.1V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。16.设计一个负反

4、馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。17.设某开环放大电路中，在输入信号电压为1mv时，输出电压为1v；当引入负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mv。由此可知所加的反馈深度为10，反馈系数为0.009。18.直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四部分组成。19、BJT属于电流控制电流型器件，对应的FET是属于电压控制电流型器件。20、在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的__差__；共模输入信号等于两个输入信号的_算术平均值。选择1

5、.半导体中的少数载流子产生的原因是[C]A.外电场B.内电场C.热激发D.掺杂2．PN结加正向电压时，耗尽层[B]A．变宽B．变窄C.不变D．以上三种情况均有可能3．温度升高后，二极管的反向电流将[B]A．减小B．增大C.不变D．锗二极管减小，硅二极管增加4.某晶体管iB从20μA变到40μA时，对应iC从1.55mA变到3.05mA,则该管的β[A].A.β=75B.β=50C.β=100D.β=77.55.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于[D]A.发射结反编、集电结反偏B.发射结正偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结正偏、集电结

6、反偏6．在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真时[B]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真7.场效应管本质上是一个[B]A.电流控制电流源器件B.电压控制电流源器件C.电流控制电压源器件D.电压控制电压源器件8.以下属于电压跟随器的电路有[B]A．共射极电路B．共集电极电路C．共基极电路D.共栅极电路9.放大电路在小信号运用时动态特性如放大倍数、输入电阻、输出电阻等应采用的方法[C]A.图解法B.瞬时极性法C.微变等效电路法D.估算法10.功率放大电路通常采用

7、的分析方法是[A]A.利用三极管特性进行图解分析B.采用h参数等效电路C.采用简化的h参数等效电路D.采用π型等效电路11．理想集成运放两个输入端之间的电压非常接近简称。[C]A．虚地B．虚断C．虚短D．短路12.所谓放大器工作在闭环状态是指[B]A.考虑信号源内阻B.有反馈通路C.接入负载D.信号源短路13.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为[B]A.18VB.24VC.9VD.28.2V14.产生正弦波振荡的条件是[C]A.B.C.D.15.具有放大环节的串联型稳压电路中，比较放大电路所放大的量是[D]A.经整流滤波后提供

8、的直流电压B.稳压电路中的基准电压C.