纳米algan的发光特性研究

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1、沈阳理工大学学士学位论文摘要AlGaN是一种重要半导体光电材料，具有最高的直接带隙，高热导率，高熔点，高硬度，低膨胀系数，优良的化学稳定性和无毒性等特点[1]。采用化学气相沉积法，在较低工艺温度下将金属铝粉直接氮化合成纤锌矿结构的AlN纳米线和镓掺杂的AlGaN纳米线。分别用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱对AlN纳米线的形貌和光学性能进行表征。比较、分析光致发光光谱，定性的探讨AlGaN的发光机理是缺陷发光。结果表明：不同温度合成的AlGaN的发光谱的峰位不同，是由氮空位或镓空位造成。温度的升高由镓空位引起的缺陷

2、发光带宽有变窄的趋势，由氮空位的引起的缺陷发光带宽有变宽的趋势。目前已知以AlGaN组成的发光层可以实现红色、绿色和蓝色显示的发展状态。随着研究的深入AlGaN将会是一种很有发展前途的发光半导体材料。关键字：氮化镓铝；半导体材料；发光特性27沈阳理工大学学士学位论文AbstractAlGaNsemiconductorcrystalswithhighthermalconductivity,hightemperatureinsulationresistanceanddielectricpropertiesofmaterialsunderhig

3、htemperaturestrength,lowcoefficientofthermalexpansionandthematchwiththesiliconsemiconductormaterials,non-toxic,etc.,withgoodopticalperformance.CurrentlyknowntoAlGaNemittinglayercomposedofred,greenandbluedisplaystateofdevelopment.Within-depthstudyAlGaNwillbeapromisinglight

4、-emittingsemiconductorcrystals.TheuseofhightemperaturevacuumsinteringwaspreparedAlGaNmicrocrystalline,andphotoluminescencemeasurements.Compare,analyzeandsummarizethedifferentcrystallinequalityofAlGaNspectralpeakpositionandpeakwidth,QualitativeStudyonAlGaNlight-emittingmec

5、hanism.InspectiononAlGaNlight-emittingintheEnglishliterature,aqualitativeunderstandingofthestructureandbasicpropertiesoftheAlGaN.Inspectionofsemiconductormaterials,light-emittingaspectsofthebook,understandingbetweenlightandmatterinteractionsandthesemiconductormaterialofth

6、elight-emittingprinciple.Keywords:AlGaN；Semiconductormaterials；Luminescentproperties27沈阳理工大学学士学位论文目录1绪论11.1研究的意义11.2氮化镓铝的性质及其研究11.3氮化镓铝的制备41.3.1直接氮化法41.3.2Al2O3热还原法51.3.3化学气相沉积法71.3.4等离子体气相合成法72化学气相沉积法92.1实验设备92.1.1平行管式炉92.1.2压片机112.1.3超声波清洗器112.1.4电子天平122.2化学气相沉积法原理123氮化

7、镓铝的制备143.1氮化镓铝制备和相关数据143.1.1实验药品及其他物品143.2氮化镓铝制备的实验步骤143.2.1制备金属源143.2.2平行管式炉的预处理143.2.3氮化镓铝的制备154氮化镓铝的表征164.1拉曼分析164.1.1拉曼光谱仪164.1.2Raman分析164.2氮化镓铝SEM和能谱分析174.2.1扫描电镜174.2.2SEM和能谱分析185氮化铝镓的发光特性205.1光致发光205.2氮化镓铝的缺陷发光205.3PL光谱分析216总结24致谢25参考文献26附录A英文原文28附录B中文译文3427沈阳理工大学

8、学士学位论文1绪论1.1研究的意义半导体照明（发光二极管，LED）是新型高效固体光源，具有节能、环保和寿命长等显著优点。世界照明工业的转型和新兴半导体照明产业的崛起，已成为不争的事实[2]。半