龙岗区落实民心桥投诉件办理情况反馈表doc-龙岗区落实民心桥-

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1、运动控制系统课程设计学院：现代科技学院班级：自动化08-1班姓名：学号：20081006xx前言一、性能指标σi≤5%σi≤10%二、设计对象参数Pnom=550kWUnom=750VInom=780Annom=375r/minTi=0.003sTm=0.03sCe=1.92V•min/rR∑=0.1ΩKs=75Toi=0.002sTo=0.01sλ=1.5U*nm=12VU*im=12V一、整流电路和整流器件的选择1.整流电路：三相全控桥式整流电路（1）三相全控桥式整流电路（电阻性负载）1）电路结构三相半波整流的变压器存在直流磁化问题，三相全控桥式整流电路可看作是三相

2、半波共阴极接法(VT1，VT3，VT5)和三相半波共阳极接法(VT4，VT6，VT2)的串联组合。2）工作原理（α=0º时）一个周期内，晶闸管的导通顺序T1→VT2→VT3→VT4→VT5→VT6。将一周期相电压分为六个区间：在ωt1~ωt2区间：u相电压最高，VT1触发导通，v相电压最低，VT6触发导通，负载输出电压ud＝uuv。在ωt2~ωt3区间：u相电压最高，VT1触发导通，w相电压最低，VT2触发导通，负载输出电压ud＝uuw。在ωt3~ωt4区间：v相电压最高，VT3触发导通，w相电压最低，VT2触发导通，负载输出电压ud＝uvw。在ωt4~ωt5区间：v相

3、电压最高，VT3触发导通，u相电压最低，VT4触发导通，负载输出电压ud＝uvu。在ωt5~ωt6区间：w相电压最高，VT5触发导通，u相电压最低，VT4触发导通，负载输出电压ud＝uwu。在ωt6~ωt7区间：w相电压最高，VT5触发导通，v相电压最低，VT6触发导通，负载输出电压ud＝uwv。三相桥式全控整流电路带电阻负载α=60度时的波形三相桥式全控整流电路带电阻负载α=90度时的波形3）三相全控桥式整流电路的工作特点：任何时候共阴、共阳极组各有一只元件同时导通才能形成电流通路。共阴极组晶闸管VT1、VT3、VT5，按相序依次触发导通，相位互差120º，共阳极组V

4、T2、VT4、VT6，相位相差120º，同一相的晶闸管相位相差180º。每个晶闸管导通角120º；输出电压ud由六段线电压组成，每周期脉动六次，每周期脉动频率为300Hz。晶闸管承受的电压波形与三相半波同，只与晶闸管导通情况有关，波形由3段组成：一段为零(忽略导通时的压降)，两段为线电压。晶闸管承受最大正、反向电压的关系也相同。变压器二次绕组流过正负两个方向的电流，消除了变压器的直流磁化，提高了变压器的利用率。对触发脉冲的要求：要使电路正常工作，需保证应同时导通的2个晶闸管均有脉冲，常用的方法有两种：一种是宽脉冲触发，它要求触发脉冲的宽度大于60º（一般为80º～100

5、º），另一种是双窄脉冲触发，即触发一个晶闸管时，向小一个序号的晶闸管补发脉冲。宽脉冲触发要求触发功率大，易使脉冲变压器饱和，所以多采用双窄脉冲触发。 电阻性负载α≤60º时的ud波形连续，α＞60º时ud波形断续。α=120º时，输出电压为零Ud=0，三相全控桥式整流电路电阻性负载移相范围为0º～120º。晶闸管两端承受的最大正反向电压是变压器二次线电压的峰值4）参数计算α=60º是输出电压波形连续和断续的分界点，输出电压平均值应分两种情况计算：α≤60ºα＞60º（2）三相桥式全控整流电路（阻感性负载）1)工作情况分析当α≤60º时，电感性负载的工作情况与电阻负载相似

6、，各晶闸管的通断情况、输出整流电压ud波形、晶闸管承受的电压波形都一样；区别在于由于电感的作用，使得负载电流波形变得平直，当电感足够大的时候，负载电流的波形近似为一条水平线。α＞60º时，电感性负载时的工作情况与电阻负载不同，由于负载电感感应电势的作用，ud波形会出现负的部分。下图是带电感性负载α=90º时的波形，可看出，α=90º时，ud波形上下对称，平均值为零，因此带电感性负载三相桥式全控整流电路的α角移相范围为90度。三相桥式全控整流电路带电感性负载α=0度时的波形三相桥式整流电路带电感性负载，α=90度时的波形2)参数计算输出电压平均值由于ud波形是连续的，所以

7、输出电流平均值晶闸管电流平均值晶闸管电流有效值晶闸管额定电流变压器二次电流有效值2.整流器件：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）绝缘栅双极型晶体管，简称IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)。是由P-MOSFET与双极晶体管混合组成的电压控制的双极型自关断器件。它将P-MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有P-MOSFET输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、热稳定性好、无二次击穿和驱动电路简单的长处，又有GTR通态压降低、耐压高和承受电流大的优点。IGBT的发展方向有两个：一是追求更低损耗和更高速度；二是