金属材料与热处理教学资料-习题答案

《金属材料与热处理教学资料-习题答案》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第一章金属材料的性能思考与练习题一、填空题1.属于金属物理性能的参数是(　C　)。A、强度B、硬度C、密度D、韧度2.轴承合金应具有的性能之一是(　A　)。A、足够的强度和硬度B、足够的导电性C、良好的塑性D、良好的磁性3.金属材料的力学性能是指金属材料在(　B　)作用下所表现出来的性能。A、内力B、外力C、向心力D、万有引力4.铝具有的特性之一是(　D　)。A、较差的导热性B、较差的导电性C、较高的强度D、较好的塑性5.金属材料下列参数中，(　C　)属于机械性能。A、熔点B、密度C、硬度D、磁性6．属于金属物理性能的参数是(　A　)。A、导电性B、塑性C、韧性D、抗氧化性二、简答题1.

2、在选择金属材料时要考虑几个方面的性能？答：金属材料在选择时考虑使用性能和工艺性能两类。使用性能是指机械零件在使用条件下，金属材料表现出来的性能，包括机械性能、物理性能、化学性能等。金属材料使用性能的好坏，决定了它的使用范围与使用寿命。工艺性能是指机械零件在加工制造过程中，金属材料在冷、热加工条件下表现出来的性能。工艺性能的好坏，决定了材料在制造过程中被加工成成品的难易。材料使用性是指机械零件或构件在正常工作情况下材料应具备的性能。满足零件的使用要求是保证零件完成规定功能的必要条件，是材料选择应主要考虑的问题。零件的使用要求除对其形状、尺寸、加工精度、表面粗糙度等外部质量进行严格的规定以外

3、，还要对其化学成分、组织结构、力学性能、物理性能和化学性能等内部质量有明确的要求。2.解释以下概念：答：①.强度：金属材料在静载荷作用下抵抗永久塑性变形和断裂的能力，称为强度。要通过拉伸实验得出的材料的强度性能指标。②.塑性：塑性是指金属材料在载荷作用下产生塑性变形而不破坏的能力。③.硬度：硬度是指材料抵抗其他硬物压入其表面的能力，它反映了材料抵抗局部塑性变形的能力，是金属材料一项重要的技术指标。④.冲击韧性：冲击韧性是指金属材料抵抗冲击力而不破坏的能力。⑤.疲劳强度：疲劳强度是指金属材料在无限多次交变载荷作用下而不破坏的最大应力称为疲劳强度或疲劳极限。3.简述低碳钢在拉伸过程中的变形过

4、程。答：低碳钢试样在拉伸过程中，可分为弹性变形、塑性变形、强化、颈缩四个阶段。这四个阶段与试样的拉力是密切相关的，每个阶段都对应着相关的力学性能指标。在各个过程的转择点最具有代表意义。工程上分别是弹性极限、屈服强度、抗拉强度。4.金属材料的物理性能和化学性能包括哪几个方面？答：在设计和工程应用时除了要根据实际工况考虑选择材料的各项机械性能参数，还要充分考虑金属材料的其它性能，这些性能在特殊要求的工作环境下起到非常大的作用。主要是金属材料的物理性能和化学性能。金属材料的物理性能是指金属特有的属性，如密度、磁性、熔点、导电性、光泽、热膨胀性能等。材料的化学性能主要是和化学相关的性能如耐腐蚀性

5、、抗氧化性、化学稳定性等。5.金属材料的工艺性能包括哪几个方面？答：金属材料的工艺性能包括铸造性能、锻造性能、焊接性能、切削加工性能和热处理性能等。工艺性能直接影响到零件制造工艺和质量，是选材和制定零件加工工艺路线时必须考虑的因素之一。第二章金属的晶体结构与结晶思考与练习题1　组成晶格的最基本的几何单元是(B)。A，原子　B，晶胞　C，晶粒　D，亚晶粒2　与a-Fe相比，g-Fe的晶体结构特点是原子排列(B)。A，紧密B，紧密且间隙尺寸小C，紧密且间隙尺寸大D，不紧密3　在一个晶粒内部(A)。A，晶格位向完全一致B，有位向差很小的亚晶粒C，有位向差很大的亚晶粒D，原子排列完全一致4　在工

6、业生产条件下，金属结晶时冷速愈快，形核率值(A)，晶粒愈细。A，愈大B，愈小C，不变D，等于零5　与粗晶粒金属相比，细晶粒金属的(A)。A，强度、韧性均好B，强度高、韧性差C，强度高、韧性相等D，强度、韧性均差二、概念题答：1.晶体：原子按一定几何形状进行有规则地重复排列,表现为晶体特征，即有固定的熔点和各向异性的结构对的材料称为晶体。2.非晶体：内部的原子无规则地堆积在一起，体现为没有固定熔点，且呈现各向同性的材料称为非晶体。3.晶格：这种抽象的、用于描述原子在晶体中规则排列方式的空间几何图形，称为晶格。4.晶胞：从晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的、最小的几何单元来分析晶体中原子排

7、列的规律，这个最小的几何单元称为晶胞。5.晶面：通过晶体中原子中心的平面叫作晶面。6.点缺陷：是指在长、宽、高三方向上尺寸都变化的一种缺陷，最常见的是晶格空位和间隙原子。点缺陷可使周围原子发生靠拢或撑开，造成晶格畸变。7.线缺陷：是指在晶体中呈线状分布(在一个方向上尺寸很大，另两个方向上尺寸很小)的缺陷。8.面缺陷：一块晶体常常被一些界面分隔成许多较小的畴区，畴区内具有较高的原子排列完整性，畴区之间的界面附近存在着较严重的原子错排。