使用gcxgc和agilent7200gc

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1、使用GCxGC和Agilent7200GC/Q-TOF对稻瘟病菌Magnaportheoryzae进行非靶向代谢组学研究应用简报代谢组学作者摘要WilliamC.Ledford、全二维气相色谱(GCxGC)可提供卓越的色谱分离度，与精确质量高分辨率质谱(MS)结MargaritaMarroquin-Guzman合使用时可大大促进复杂基质中的化合物鉴定和结构解析。利用GCxGC/Q-TOFMS在和RichardA.Wilson配备ZoexZX2热调制器的Agilent7890BGC和Agilent7200GC/Q-TOF上

2、进行非靶植物病理学系向代谢组学研究，可对多种可能在稻瘟病菌M.oryzae的致病机理中发挥重要作用的代内布拉斯加大学林肯分校谢物进行鉴定。Lincoln,NEUSAEdwardB.Ledford和ZhanpinWuZoex公司Houston,TXUSAQingpingTao和StephenE.ReichenbachGCImageLLCLincoln,NEUSASofiaNieto安捷伦科技公司SantaClara,CA前言实验部分由Magnaportheoryzae真菌引起的稻瘟病是最严重的栽培稻仪器病害，也是对全球食品安

3、全的巨大威胁，每年导致水稻作物减产本研究采用Agilent7890B气相色谱系统与Agilent7200系列10%-30%[1,2]。这种稻瘟病随气候的变化不断蔓延到新的地区。GC/Q-TOF系统联用（图1）。GCxGC系统（图1和图2）使用因此，迫切需要采取具有环境可持续性的稻瘟控制策略。而制定环形热调制器（ZX2型，Zoex公司，Houston,TX）。在低温下这样的策略必须对M.oryzae的侵染过程有深入的了解。每隔6.8秒对从第一维色谱柱洗脱的分析物谱带进行聚集、聚焦与除作为重要的植物病原体以外，M.oryza

4、e还具有许多与其他重重新进样（调制阶段），从而将来自第一维色谱柱的一系列“切割要谷物病原体相似的特性，使其成为开展广谱农作物病害控制研组分”注入第二维色谱柱，从而在每一调制阶段洗脱出第二维色究的最佳模型生物体[2]。这些病原体具有共同的侵染机理，它谱图。图2显示了热调制器的照片。Q-TOFMS在电子轰击电离们利用形成于叶片表面的被称为附着胞的特殊细胞，并产生巨大(EI)和正化学电离(PCI)模式下以每秒50张全扫描采集谱图的速的静水膨压，从而使菌丝侵入下方的植物表皮细胞[1]。率采集第二维色谱柱洗脱物的精确质量数高分辨率

5、谱图。仪器条件列于表1中，GCxGC的配置示意图如图3所示。M.oryzae所采用的定殖于水稻细胞的代谢策略基本上还不为人知。本应用简报介绍了一项旨在揭示M.oryzae中养分吸收和利用的研究，其可能有助于阐明侵染过程，并有助于确定有效病害治理的新途径。本研究对M.oryzae的野生型(WT)菌株(Guy11)与删除编码中心氮素调节因子(Dnut1)、碳调节因子(Dmdt1)和碳-氮代谢调节因子(Dtps1)的关键代谢调控基因后得到的非致病突变菌株的代谢组进行了比较[3]。利用全二维气相色谱(GCxGC)与高分辨率精确质

6、量数四极杆飞行时间质谱(Q-TOFMS)相结合对M.oryzae的WT分离菌株与三种非致病突变菌株的代谢组进行了比较。该方法揭示出可能在M.oryzae的致病机理中发挥作用的大量代谢产物。图1.配备ZoexZX2热调制器的Agilent7890B气相色谱系统与Agilent7200系列GC/Q-TOF系统联用2৊ᄣ੨Agilent7200Q-TOFZoexZX2࣍ႚඤۙ዆ഗ>图2.Agilent7890BGC柱温箱内热调制器的照片。冷射流（蓝色点）用于收集ڼᅃྼ෥೷ዹ>ڼܾྼ෥೷ዹ从第一维气相色谱柱洗脱到定量环中的物质。

7、每隔几秒即脉冲启动热射流（红色点），以将定量环中收集的物质转移至第二维气相色谱柱。黄色点显图3.ZoexZX2环形热调制器的示意图示定量环支架的位置表1.Agilent7890B气相色谱系统与Agilent7200系列GC/Q-TOF质谱联用系统的运行条件气相色谱条件样品前处理第一维色谱柱AgilentHP-5MSUI，15m×0.25mm，使M.oryzae的野生型(WT)菌株以及Dnut1、Dtps1和Dmdt1膜厚0.25µm第二维色谱柱SGEBPX-50，3.25m×0.1mm，突变菌株在完全培养基中生长48小时

8、，然后将菌丝体丛转移至基膜厚0.1µm（包括用作调制环的1.0m）础培养基的振摇条件下生长，其中1%(w/v)葡萄糖和10mM硝进样量1µL酸盐分别作为唯一的碳源和氮源。对菌丝组织样品进行收集和冻分流比15:1干，并在液氮中研磨。使用甲醇:氯仿:水(1:2.5:1,v/v/v)的混合液分流/不分流进样口温度280°C