衬底驱动mos技术的低压模拟集成电路设计

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1、---------------------------------------------------------------------------------------------------衬底驱动MOS技术的低压模拟集成电路设计西安电子科技大学硕士学位论文姓名：张海军申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：杨银堂20060101摘裂捷要———————————————————————————————————————————————-------------------------------------------------------

2、--------------------------------------------近年来，在镶记本电脑、移动通信等便携式电子设祷和系统飞邋发展的推动下，低压低功耗模拟集成电路及其设计技术融成为集成电鼹的重要发展方向之一。本文罄先穷绥了低题惩珐耗模拟集藏电路的蜚景及发展趋势，绘窭了爨蘸莺志磐低艨模拟电路设计的主要方法及其优缺点。论文重点讨论分析了利瑚衬底端ｆｂｕｌｋ端）作为信号输入端的衬底驱动ＭＯｓ技术的工作原理和低压特性，以及基于衬底德嚣ＭｏｓＦＥＴ翁滚僵电压可调节特健及箕低压特毪，弗农诧基磷上设计了工箨予萃泡灞Ｏ。ｓｖ静萋予树底镶餮越低压ｃ艇０Ｓ运算放

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