led恒流驱动设计报告

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1、无锡华润矽科微电子有限公司WuxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02　　　　　Version：11I05电路设计报告产品型号：H005产品名称：大电流LED驱动电路拟制：审核：批准：无锡华润矽科微电子有限公司2014年06月06日无锡华润矽科微电子有限公司WuxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02　　　　　Version：11I051电路综述41.1概述:41.2主要用途；41.3主要功能；41.4主要特征、特性；41.5电路集成度：P:；N:；RAM:

2、；ROM:；特殊器件：R:；C:；NPN：；PNP：；51.6电路设计的HSF特性要求；（明确本产品的HSF特性要求，说明本产品设计是否符合公司HSF的要求）52线路设计62.1管脚功能描述62.2电性能参数212.2.1极限参数（√）212.2.2直流参数212.3功能框图；252.4总体功能描述（含信息流描述）；252.5各主要模块的工作原理（包括IO部分输入/输出具体线路的工作原理）；262.5.1BG电路262.6电路设计的基本思想方法：2192.6.1仿真用SPICEMODEL号；2192.6.2逻辑设计；2192.6.3电路设计；2192.6.

3、4时序问题的考虑；2192.6.5设计结论；2192.6.6仿真覆盖率评估；2193工艺设计2203.1有否采用特殊线路结构、工艺结构、特殊性能要求的器件结构；2203.2元器件类型清单；2203.3典型器件参数测试情况；2203.4典型纵向参数；2203.5非标准工艺须提供工艺流程；2203.6首次投片对工艺的要求；2203.7对验收PCM数据有无特殊要求；2203.8明确是否选择的是技质部认可的符合公司HSF要求的合格工艺平台；2204版图设计2214.1电路采用工艺（具体到工艺代号、设计规则版本号）2214.2各I/O口：画出I/O口线路图含ESD保

4、护线路、标明上下拉电阻尺寸大小或管子宽长比；2214.3电源地线的考虑；2214.4芯片布局考虑；2214.5典型元器件清单包括器件类型、器件数目、器件具体参数；2224.6可靠性设计(Latch-Up设计考虑、ESD设计考虑)、提供整个电路；222无锡华润矽科微电子有限公司WuxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02　　　　　Version：11I054.7PAD的结构；2224.8制版层次；2224.9DRC、ERC、LVS验证覆盖率评估；2225附件内容2235.1应用图；（需要时附图纸中元器件、方案

5、选择的HSF要求）2235.2设计验证报告表；2235.3DRC验证结果（给定工作站路径）2255.4LVS验证结果（带ERC部分、带宽长比验证）；2255.5全芯片的主要逻辑线路图（给定工作站路径）；225无锡华润矽科微电子有限公司WuxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02　　　　　Version：11I051电路综述1.1概述:H005是一颗具有高效率的电流模式控制驱动芯片，主要应用于平板LED光源驱动，在BOOST和BUCK电路应用中，具有更高的效率（大于90%）。H005使用外部的PWMI信号实现

6、高精度的LED调光，可以通过外部电阻来设置内部OSC的频率。该芯片具有宽的输入电压范围，具有自动重启保护功能。H005支持多颗芯片同步工作。H005能提供较大的驱动电流，在GATE端，能提供0.4A的source电流和0.8A的sink电流。H005采用BCD工艺，具有良好的抗噪能力。1.2主要用途；1.3主要功能；1.4主要特征、特性；（1）峰值电流模式控制（2）PWM模式调光（3）自动重启功能（4）过压保护功能（5）LED短路电流保护（6）电源工作电压为12V，最大可达20V（7）可控的LED电流（8）支持多颗芯片同步工作（9）可控的BOOST开关模式

7、限流功能（10）封装形式：SOP16无锡华润矽科微电子有限公司WuxiChinaResourcesSemicoCo.,LtdQ/DEEDD02.001-02　　　　　Version：11I051.1电路集成度：P:；N:；RAM:；ROM:；特殊器件：R:；C:；NPN：；PNP：；名称模型描述数目参数数据单位极小值典型值极大值MOSmnhiat高压非对称隔离NMOS56Vth0.450.60.75VBvd3035Vmphat40V高压非对称PMOS31Vth-0.75-0.6-0.45VBvd-50-40Vmpbn低压5Vpmos317Vth-1.01-

8、0.86-0.71VBvd-9Vmnbn低压5Vnmos435Vt