车用硅整流二极管及整流桥

《车用硅整流二极管及整流桥》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、车用硅整流二极管及整流桥目录第一节车用硅整流二极管第二节三相桥式整流电路第三节△VF参数的定义及其应用第四节交流发电机使用雪崩整流二极管的目的及其作用第五节雪崩整流二极管的选择与使用第六节整流桥二极管压装工序作业指导书第七节整流桥设计的验证第一节车用硅整流二极管一、车用硅整流二极管的符号及命名1、正管：车用整流桥上正极板上的二极管称为正管。图一、正管2、负管：车用整流桥上负极板上的二极管称为负管。图二、负管3、正、负管标识方法一般红色标志表示是正管，黑色标志表示是负管4、用万用表区分正、负管的方法在用万用表区分正、负管时要注意：所用万

2、用表是指針式还是数字式万用表，二者得出的结论是相反的。在这里我们用数字式万用表来举例说明：把旋扭调到“”档，此时万用表显示“O.L”(或“OF.”、或“1”)在检测二极管时只能用这一档来检测，用电阻挡是测不出的。此时红表棒是正电位，黑表棒是负电位。（如果用指針式万用表时，表棒的电极性相反。）把红表棒与二极管的引线接触，把黑表棒与二极管的底座接触。此时万用表显示0。45至0。65之间数值（不同型号的数字万用表数值略有差异），此二极管为正管。若此时万用表显示为“O.L”(或“OF.”、或“1”)，此二极管为负管一、车用硅整流二极管的正向导

3、电特性二极管的单向导电性是二极管独有功能。图三、二极管的正向伏安特性曲线图三中：VD为二极管的阀值电压，对于硅整流二极管来讲为0。7V左右。在阀值电压以下，二极管正向通过的电流很小。当二极管的正向电压超过阀值电压时二极管的正向电流迅速增加。VFM为二极管的正向峰值电压。对于大于30A的二极管用100A测试；对于25A以下的二极管用正向额定平均电流值IF(AV)的π倍值测试。VFM值的大小决定了二极管在使用时发热量的大小。正向平均功秏PAV＝0.785×VFM×IF(AV)＋0.215×VD×IF(AV)一般VD≈0.72VFM所以PA

4、V≈0.94×VFM×IF(AV)―――――――――――――(1)二、车用硅整流二极管的反向伏安特性：图四、二极管的反向伏安特性曲线VR表示反向击穿电压。VRRM表示反向重复峰值电压。这个电压是给用户使用时的最高电压。VRRM＝0.9VRSM(反向不重复峰值电压)VR≥VRSM＝1.11VRRM这是二极管制造厂家出厂时的最低电压。一、反向重复峰值电压VRRM和正向峰值压降VFM之间关系：二极管的正向峰值压降VFM随着反向重复峰值电压VRRM的提高而升高。因此选择适当低的、满足使用要求的反向重复峰值电压VRRM的值可以使二极管的正向峰值

5、压降保持在较低的水平。尽量降低二极管的正向平均功耗。第二节三相桥式整流电路一、三相桥式整流电路图二、三相整流桥各点电压波形及二极管正向导通时序图从三相整流电路波形图及二极管正向导通时序图中我们可以得出以下几点：1、任一时刻只有正极板上一只正管和负极板上一只负管同时正向导通。2、在一个周期内每个管子正向导通轮流工作了三分之一个周期。3、每个二极管正向流过的最大峰值电流就是桥的输出最大电流。第三节△VF参数的定义及其应用一、小电流下整流二极管的正向压降VF是一个很理想的热敏参数在做试验时我们会发现：整流二极管的正向压降数值随着通正向电流时

6、间的增加在缓慢下降，当达到温度平衡时二极管的正向压降值也稳定下来。二极管的正向压降的负温度系数的特性给二极管并联运行带来一定困难，实际使用时要求对整流二极管的正向峰值压降进行挑选配对，并在计算并联后的电流容量时只能取较小的均流系数。进一步试验时会发现：二极管通过一定数值范围(一般在50mA---250mA)内的小电流时，它的正向压降VF与结温TJ的关系曲线是一条直线,它的斜率为-1.8mv/℃∽-2.0mv/℃。对于同一批材料、同一种工艺做的一批二极管，它们的正向压降VF与结温TJ的关系曲线是一簇具有相同斜率的直线簇。因此小电流下的二

7、极管的正向压降VF是一个很理想的热敏参数，理由是：一是小电流产生附加温升小，能提高测试精度；二是VF这个参数测试方便；三是它与温度变化的关系曲线线性好，使测试温度变化的计算简单化。二、ΔVF参数的定义ΔVF参数的测试条件见图1：图1ΔVF参数的测试原理图在上图中：100mA是测试热敏电压VF的热敏电流100A/100ms方波脉冲电流是加热源VF1是加方波脉冲电流前0.5ms测的常态热敏电压VF2是加方波脉冲电流后0.5ms测的瞬态热敏电压ΔVF＝VF1－VF2三、ΔVF参数的物理意义ΔVF的数值的大小反映了在加规定的方波脉冲电流前后二

8、极管结温TJ的变化。ΔVF数值小则结温TJ增加量小，说明二极管芯片（硅片）产生的热量瞬间散热快，也表示二极管的瞬态热阻小；ΔVF数值大则结温TJ增加量大，说明二极管芯片（硅片）产生的热量瞬间散热慢，也表示二极管的瞬态热阻