模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础教案》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、大庆石油学院课程教案1、授课题目名称（教学章、节或主题）：第一章常用半导体器件1.1半导体基础知识1.2半导体二极管授课方式（请打√）理论课□讨论课□实验课□习题课□其他□周次第1周课时安排4学时教学目的及要求（分掌握、熟悉、了解三个层次）：1．了解半导体材料的基本结构及PN结的形成与特点2．掌握PN结的单向导电工作原理3．掌握了如何用二极管等效模型分析具体电路教学重点、难点、关键知识点及采用的措施：重点：PN结的单向导电工作原理二极管等效模型分析具体电路难点：在何种情况下，应用哪种二极管等效模型处理方案：利用图解法和举典型例题说明√√教学方法及手段设计：板书□多媒体辅助教学□教具

2、□其它□（请打√）教学基本内容（提纲）改进设想1.1半导体的基本知识导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。1.1.2本征半导体一、本征半导体的结构特点本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。二、本征半导体的导电机理1.载流子、自由电子和空穴在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。2.本征半导体的导电机理本征半导体

3、中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。大庆石油学院课程教案1.1.3杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。1.1.4PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。1.2半

4、导体二极管1.2.1半导体二极管的结构1.2.2伏安特性1.2.3主要参数1.最大整流电流IOM2.反向击穿电压UBR3.反向电流IR4.微变电阻rD5.二极管的极间电容1.2.4二极管的等效电路1.理想模型2.恒压降模型3.折线模型4．小信号模型1.2.5稳压二极管1．稳压二极管的伏安特性2．稳压二极管的参数（1）稳定电压UZ（2）电压温度系数aU（%/℃）：稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（5）最大允许功耗讨论、作业和思考：讨论：P63自测题一、二练习与思考：P66、1.31.6作业：P66、1.4其他：

5、采用启发式教学，在保证课程内容的完整性下，通过适量的例题来使学生进一步掌握课程内容，使学生具有一定的分析电路的能力。大庆石油学院课程教案授课题目名称（教学章、节或主题）：1.3双极性晶体管1.4场效应管授课方式（请打√）√理论课□讨论课□实验课□习题课□其他□周次第2周课时安排4学时教学目的及要求（分掌握、熟悉、了解三个层次）：1、了解晶体管的结构及类型2．掌握晶体管的电流放大作用3．了解场效应管的结构及类型4．掌握的电流放大原理5．比较晶体管和场效应管教学重点、难点、关键知识点及采用的措施：重点：晶体管和场效应管的电流放大作用。难点：晶体管和场效应管的电流放大作用和原理。处理方案

6、：结合典型例题讲解说明。√√教学方法及手段设计：板书□多媒体辅助教学□教具□其它□（请打√）教学基本内容（提纲）改进设想1.3双极型晶体管1.3.1基本结构及类型晶体管的两个PN结发射结发射区与基区交界处的PN结集电结集电区与基区交界处的PN结二者通过很薄的基区联系着晶体管的三个电极：放射极e，集电极c，基极b1.3.2晶体管的电流分配与放大作用1．BJT内部载流子的传输过程发射区发射电子，集电区收集电子的条件：发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压（反向偏置）。2．电流分配关系IC=ICE+ICBO»ICEIB=IBE-ICBO»IBEICE与IBE之比称为电流放大倍数1

7、.3.3特性曲线1共射极电路的特性曲线大庆石油学院课程教案(1)输入特性(2)输出特性1.3.4BJT的主要参数BJT的主要参数用来表征管子性能优劣和适用范围。1.5场效应晶体管场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。场效应管有两种：（1）结型场效应管JFET（2）绝缘栅型场效应管MOS1.5.1结型场效应管:1．结构漏极D、栅极G、源极S2．特性曲线转移特性曲线：一定UDS下的ID-UGS曲线。输出特性曲线：当栅源电压UGS一定时，漏极电