主板常用元器件知识

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1、主板常用元器件知識一：電阻1，什麽是電阻：定義：阻止电流通过，同时使电能转换为热能2，電阻的特性參數：阻值，誤差值，尺寸二：電容1，什麽是電容：电容就是容纳和释放电荷的电子元器件，电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用。2，電容的用途：隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件储能：储存电能3：分類：MLCC類：NPO，X7R

2、，X5R，Y5V。電解電容類：液態電解電容，固態電解電容4：電容特性參數MLCC類：容值，誤差值，尺寸，耐壓值，種類電解電容類：容量，誤差，耐壓值，耐溫值，ESR，波紋電流(RippleCurrent)，泄漏電流(leakagecurrent)，損失角三：繞線電感1，繞線電感的作用：基本作用：通直流電，阻交流電电感在整个CPU供电系统的作用主要有：一方面是过滤高频信号，二是与MOSFET管、电容等组成直流电转换电路。电感性能的好坏，与它所采用的铜线粗细、绕线方式、有无磁芯有关系2，電感的性能參數电感量（H），感抗XL(即电感线圈对交流电流阻碍作用的大小)，线圈的Q

3、值四：二極管1，什麽是二極管：用P型半導體和N型半導體組成的器件1，二極管作用：單向導電，有開關，保險，穩壓，整流，交流電變直流電等作用。2，三極管的參數：最大整流電流If，反向擊穿電壓Vbr，反向電流Ir3，三極管的分類：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT54）、发光二极管、稳压二极管等五：三極管1，什麽是三極管：三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和

4、集电极c2，三極管的作用：具有电流放大作用，開關作用3，三極管的分類按結構工藝分類：PNP型，NPN型按製造材料分類：鍺管和硅管按工作頻率分類：低頻管和高頻管4，三級管性能參數：共射电流放大系数β。β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数反向击穿电压值U(BR)CEO。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗

5、散功率。穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB=0时，流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。六：MOS管1，什麽是MOS管：MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。场效应管有三个电极：D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate)称为栅极，相当于双极

6、型三极管的基极；S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极。1，MOS管的分類：分為N溝道管和P溝道管2，MOS管的作用MOSFET场效应管的开关作用，電流控制作用七：IC類1，什麽是ICIC：integratedcircuit（集成電路）2，主板上常用IC及作用（1）I/O定義：Input/Output，負責基本輸入、輸出功能的電路控制器。常見I/O有ITEIT7805F，FITF71872F，WinboardW83627THF作用：直接管理控制串并口、FDD接口、IRC接口、K/M（键盘/鼠标）接口。此芯片受控于南桥，它与主板的D（数据）总线和C（

7、控制）总线相连（2）COM芯片定義：直接控制COM接口，目前我們主板用到的有確良75232，75185（3）音效芯片定義：顧名思意，當然是音效控制芯片，分有AC97和HD（高保真）兩類，我們公司用的都為ALC系列芯片，如ALC655，ALC883（4）網路芯片定義：網絡控制器，，有10/100MB和1000MB兩類，我們公司常用的是RTL系列芯片，如RTL8201，RTL8111B（5）南橋芯片定義：主板上有兩顆大IC芯片，因它位於主板的南部，故稱之為南橋。市場上主要有IntelICH系列，VIAVT823*系列，NVIDIAMCP系列（NF3以後與北橋集成在一起

8、）作用：主