光伏实习报告.doc

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1、光伏实习报告光伏认识实习报告   太阳是能量的天然来源。地球上每一个活着的生物之所以具有发挥作用的能力,甚至于是它的生存,都是由于直接或间接来自于太阳的能量。我们的地球处在离太阳差不多有一亿英里的地方。它所截取的辐射能少到难以置信(大约千万分之三),这么小的一点能量,实际上比整个世界目前现有的发电能力还大十万倍。目前全世界尤其是工业发达国家开始感到能量短缺,因此,人们开始求助于太阳能,以解决能源危机。   光伏产坎业链包括硅料、硅片、电一池片、电池组件、应用系兑统5个环节。上游为硅料椅、硅片环节;中游为电池到片、电池组件环节;下游著为应用系统环节。从

2、全球课范围来看,产业链5个环铸节所涉及企业数量依次大羞幅增加,光伏市场产业链孩呈金字塔形结构。   在液整个产业链中,硅料尤其损是高纯度的硅料毛利率最丧高。由于近年来光伏产业穴的快速发展,硅料出现供鸟不应求的状况,硅料的价都格更是节节攀升。XX年广初从以工业硅为原料提纯联后所得的多晶硅价格已经睛上涨至约300美元/公见斤,部分高纯度多晶硅甚壕至达到500美元/公斤骆。其次是硅片生产的利润泵率较高,而组件生产和工泥程安装利润率最低,约为捏10%左右。   目前,亦大部分光伏企业的产品集针中在硅片、电池片和电池汝组件,以及应用系统方面戎。硅料的利润增长点

3、主要疯是来自高纯度的多晶硅,拌而纯度较低的工业硅(纯枫度为98%~99%)则脑价格极为低廉。工业硅料错的生产主要在发展中国家争进行,是产业链中高能耗芋、高污染的一环。工业硅讳料经提纯后得到高纯度的贬硅料(纯度在%以上)则捶价格高昂。高纯度硅料的眨供应商主要来自美国、德爷国和日本的公司。随着光忧伏产业的发展,这些公司念有扩大高纯度硅料产能的杰趋势,如美国HSC公司曳(HemlockSem云iconductorC仆orporation)欣的多晶硅产能将从目前的义1万吨增加到XX年的万惨吨,预计XX年扩产至万哑吨;另一家公司MEMC蔫公司(MEMCElec

4、责tronicMater土ialsInc.)的产绊能也将由4900吨提高枢至XX年的8000吨。焉   工业制作硅电池所用半的单晶硅材料,一般采用潍坩锅直拉法制的太阳级单攀晶硅棒,原始的形状为圆趾柱形,然后切割成方形硅心片(或多晶方形硅片),灾硅片的边长一般为10~髓15cm,厚度约200直~350um,电阻率约扔1Ω.cm的p型(掺硼国)。硅片在切割过程会产坤生大量的表面缺陷,这就材会产生两个问题,首先表夸面的质量较差,另外这些涪表面缺陷会在电池制造过射程中导致碎片增多。因此艇要将切割损伤层去除,一旋般采用碱或酸腐蚀,腐蚀卢的厚度约10um。   

5、械制绒,就是把相对光滑的格原材料硅片的表面通过酸缸或碱腐蚀,使其凸凹不平罩,变得粗糙,形成漫反射绵,减少直射到硅片表面的川太阳能的损失。对于单晶拯硅来说一般采用NaOH茸加醇的方法腐蚀,利用单场晶硅的各向异性腐蚀,在氧表面形成无数   的金字汲塔结构,碱液的温度约8合0度,浓度约1~2%,域腐蚀时间约15分钟。对努于多晶来说,一般采用酸刚法腐蚀。 扩散的目的在于管形成PN结。普遍采用磷徐做   温度,因此在扩散鸭前硅片表面的洁净非常重煎要,要求硅片在制绒后要周进行清洗,即用酸来中和瞧硅片表面的碱残留和金属炼杂质。   扩散过程中,岩在硅片的周边表面也

6、形成弃了扩散层。周边扩散层使椅电池的上下电极形成短路砷环,必须将它除去。周边添上存在任何微小的局部短忌路都会使电池并联电阻下搪降,以至成为废品。目前呢,工业化生产用等离子干怯法腐蚀,在辉光放电条件胞下通过氟和氧交替对硅作银用,去除含有扩散层的周得边。   扩散后清洗的目近的是去除扩散过程中形成员的磷硅玻璃。   沉积减伎反射层的目的在于减少表磕面反射,增加折射率。广钡泛使用PECVD淀积S厅iN,由于PECVD淀蔬积SiN时,不光是生长余SiN作为减反射膜,同啮时生成了大量的原子氢,枝这些氢原子能对多晶硅片暴具有表面钝化和体钝化的恤双重作用,可用于大

7、批量凭生产。   电极的制备是时太阳电池制备过程中一个捍至关重要的步骤,它不仅选决定了发射区的结构,而阳且也决定了电池的串联电些阻和电池表面被金属覆盖测的面积。,最早采用真空寄蒸镀或化学电镀技术,而锅现在普遍采用丝网印刷法膘,即通过特殊的印刷机和箭模版将银浆铝浆(银铝浆容)印刷在太阳电池的正背欣面,以形成正负电极引线连。晶体硅太阳电池要通过斧三次印刷金属浆料,传统蛀工艺要用二次烧结才能形虏成良好的带有金属电极欧娘姆接触,共烧工艺只需一鹃次烧结,同时形成上下电北极的欧姆接触。在太阳电抵池丝网印刷电极制作中,胜通常采用链式烧结炉进行弯快速烧结。完成的电池

8、片涯经过测试分档进行归类。正   随着《可再生能源法冤》的颁布及实施,可再生武能源发电上网电价的基本狐原则已

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