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1、第40卷第12期红外与激光工程2011年12月Vol.40No.12InfraredandLaserEngineeringDec.2011国产电阻阵列技术的发展趋势马斌，程正喜，翟厚明，郭中原，刘强，张学敏，丁毅，陈瑶(中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海200083)摘要：回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻，成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低
2、、规模小；第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻，基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题，但占空比和规模提高有限；第三代128×128复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术，占空比显著提高，功耗明显下降，该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术，但技术成熟度有待进一步提高。最后，对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨。关键词：半实物仿真；电阻阵列；硅各向异性腐蚀；薄膜转移中图分类号：TN214文献标志码：A文章编号：1007-2276(20
3、11)12-2314-09DevelopmentofdomesticresistivearraystechnologyMaBin,ChengZhengxi,ZhaiHouming,GuoZhongyuan,LiuQiang,ZhangXuemin,DingYi,ChenYao(KeyLaboratoryofInfraredImagingMaterialsandDetectors,ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics,ChineseAcademyofSciences,Shan
4、ghai200083,China)Abstract:Themaintechnologyschemes,advantages,disadvantagesandfinalresultsofthreegenerationsofdomesticresistivearrayswerereviewedandsummarized.Thefirstgenerationof64×64resistivearraywascomposedofbulkmicromachinedsinglecrystalsiliconmembrane
5、elements.Theyieldofresistorswasacceptablyhighbuttheuniformity,powerconsumptionperformance,fillfactor,formatsizeandthecompatibilityoffabricationtechnologywithCMOSprocesswereverypoor.Thesecondgenerationof128×128and256×256resistivearrayswerecharacterizedofbul
6、kmicromachinedmultilayerresistorelements.Withgreatimprovementsofprocesscompatibility,uniformityandpowerconsumption,thefillfactorandformatsizewerejustincreasedtosomelimitedextent.Thethirdgenerationof128×128multilayersuspendedmembraneresistivearraywasfabrica
7、tedbyusingmembranetransfertechnology,withthefillfactorandpowerconsumptionperformancegreatlyimproved.Thisinnovativetechniquestillneedstobematuredbutisexpectedtobethemainstreamfabricationtechnologyforfuturedomesticresistivearrays.Intheend,thefuturetechnology
8、收稿日期：2011-08-05；修订日期：2011-10-03基金项目：航空科学基金(20060112114)作者简介：马斌(1969-)，男，副研究员，主要从事红外MEMS器件研究。Email:mabin@mail.sitp.ac.cn第12期马斌等：国产电阻阵列技术的发展趋势2315developmentsofdomesticresistivearrayswereprospected,analyzedandd
