双极型器件物理-第9讲 bjt结构(西电)

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1、西安电子科技大学PhysicsofSemiconductorDevices微电子学院双极型器件物理游海龙XDPhysicsofSemiconductordevice第二章:BJT直流特性分析2-1双极晶体管直流放大原理定性分析2-2双极晶体管直流I-V特性的定量分析2-3影响双极晶体管直流放大系数的实际因素微电子学院PSpice及其基本功能.2XDPhysicsofSemiconductordevice2-1双极晶体管直流放大原理定性分析1BJT结构与制造工艺2BJT电流传输过程3直流电流放大系数4BJT电流放大能力微电子学院PSpice及其基本功能.3XDPhysicsof

2、Semiconductordevice2.1.1BJTBasics1.BJTStructure微电子学院PSpice及其基本功能.4XDPhysicsofSemiconductordevice1.BJTStructureBJTBasicStructure微电子学院PSpice及其基本功能.5XDPhysicsofSemiconductordevice1.BJTStructureBEB发射区:2030nxjeNE10cmxjcx1.2mjepwb~5m基区:w173cN10cmBnx2.0mjc19203~200mn(10~10)cm集电区:x15

3、3CNC10cm分立的平面工艺npnBJT的横界面图微电子学院PSpice及其基本功能.6XDPhysicsofSemiconductordevice1.BJTStructure微电子学院PSpice及其基本功能.7XDPhysicsofSemiconductordevice1.BJTStructure双极晶体管结构特点:(1)双极晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个pn结;三端分别为发射极、基极和集电极;(2)相对于少子扩散长度,基区宽度很小;(3)三个掺杂扩散区浓度不同,发射区掺杂浓度最高,集电区掺杂浓度最低;结构特点:N>>N>>N,基区宽度W<<少EBCB子扩散

4、长度微电子学院PSpice及其基本功能.8XDPhysicsofSemiconductordevice2.BJTFabricationBECBuriedlayer微电子学院PSpice及其基本功能.9XDPhysicsofSemiconductordevice2.BJTFabrication----ICprocess微电子学院PSpice及其基本功能.10XDPhysicsofSemiconductordevice2.BJTFabrication----合金工艺微电子学院PSpice及其基本功能.11XDPhysicsofSemiconductordeviceSummary:

5、BJTStructureandFabricationBJT结构参数和材料参数纵向结构(垂直于两个PN结面上的结构)发射结结深x,集电结结深x,外延层厚度jejc发射区宽度W,基区宽度W,集电区宽度Webc各区的掺杂浓度及其分布(方块电阻)横向结构(几何图形结构)发射结面积Ae,(发射区条宽Se,条长Le)集电结面积Ac材料参数:少子寿命、扩散系数…….微电子学院PSpice及其基本功能.12XDPhysicsofSemiconductordeviceSummary:BJTStructureandFabrication掺杂浓度及其分布根据基区掺杂浓度分布,BJT

6、分为:均匀基区:基区杂质分布均匀缓变基区:基区中杂质有一定的浓度梯度微电子学院PSpice及其基本功能.13XDPhysicsofSemiconductordeviceSummary:BJTStructureandFabricationNDNANDNA0x0x均匀基区杂质分布缓变基区杂质分布微电子学院PSpice及其基本功能.14XDPhysicsofSemiconductordevice3.BJTCircuitSymbolPSpice及其基本功能.15XDPhysicsofSemiconductordevice4.ModesofOperation(1)V>0,V

7、>0;CBBE(2)V>0,V<0;CBBE(3)V<0,V<0;CBBE(4)V<0,V>0;CBBEV(bc结的偏压)CInverseSaturationactive(be结的偏压)VEForwardCutoffactive微电子学院PSpice及其基本功能.16XDPhysicsofSemiconductordevice5.CircuitConfiguration共b:物理过程明确共e:电路中广泛应用微电子学院PSpice及其基本功能.17XDPhysicsofSemiconductordevic

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