计算机组成原理第三章习题

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1、第三章、内部存储器1、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要是用来_____A.存放数据B.存放程序C.存放数据和程序D.存放微程序2、存储单元是指______A.存放一个二进制信息位的存储元B.存放一个机器字的所有存储单元集合C.存放一个字节的所有存储元集合D.存放两个字节的所有存储元集合3、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是________A.便于读写数据B.减小机箱的体积C.便于系统升级D.解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾5、和外存相比，内存的特点是____A.容量大，速度快，成本低B.容量大，速度慢

2、，成本高C.容量小，速度快，成本高D.容量小，速度快，成本低6、某单片机字长16位，它的存储容量64KB，若按字编址，那么它的寻址范围是______A.64KB.32KC.64KBD.32KB7、某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为_______A.64，16B.16，64C.64，8D.16，168、某DRAM芯片，其存储器容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为________A.8，512B.512，8C.18，8D.19，89、某机器字长32位，存储容量256MB，若

3、按字编址，它的寻址范围是_______A.1MB.512KBC.64MD.256KB10、某机器字长32位，存储容量4GB，若按字编址，它的寻址范围是_______A.1GB.4GBC.4GD.1GB11、某机器字长64位，存储容量4GB，若按字编址，它的寻址范围是_______A.4GB.2GC.0.5GD.1MB12、某机器字长32位，存储容量4GB，若按双字编址，它的寻址范围是_______A.4GB.5GC.8GD.2G13、某SRAM芯片，其容量为512×8位，包括电源端和接地端，该芯片引出线的数目应为____

4、_A.23B.25C.50D.1914、某微型计算机系统，其操作系统保存在硬盘上，其内存储器应该采用__________A.RAMB.ROMC.RAM和ROMD.CCD15、相联存储是按____进行寻址的存储器。A.地址指定方式B.堆栈存取方式C.内容指定方式D.地址指定方式与堆栈存取方式结合16、交叉存储器实质上是一种____存储器，它能_____执行_____独立的读写操作。A.模块式，并行，多个B.模块式，串行，多个C.整体式，并行，一个D.整体式，串行，多个17、主存储器和CPU之间增加Cache的目的是____

5、____A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题B.扩大主存储器的容量C.扩大CPU中通用寄存器的数量D.既扩大主存容量又扩大CPU通用寄存器数量18、以下半导体存储器，以传输同样多的字为条件，则读出数据传输率最高的是_______A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.E2PROM19、双端口存储器所以能高速进行读/写，是因为采用______A.高速芯片B.两套相互独立的读写电路C.流水技术D.新型器件20、双端口存储器在______情况下会发生读/写冲突？A.左端口与右端口的地址码不同B.左端口与右端口的地址码相同C

6、.左端口与右端口的数据码相同D.左端口与右端口的数据码不同21、下列因素中，与Cache的命中率无关的是______A.主存的存取时间B.块的大小C.Cache的组织方式D.Cache的容量22、下列说法中正确的是_____A.SRAM存储器技术提高了计算机的速度B.若主存由ROM和RAM组成，容量分别为2n和2m，则主存地址共需要n+m位C.闪存是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器D.存取时间是指连续两次读操作所需间隔的最小时间23、下列说法中正确的是______A.多体交叉存储器主要解决扩充容量问题B.Cach

7、e与主存统一编址，cache的地址空间是主存地址空间的一部分C.主存都是由易失性的随机读写存储器构成的D.Cache的功能全部由硬件实现24、下列cache替换算法中，速度最快的是______，命中率最高的是______A.最不经常使用（LFU）算法B.近期最少使用（LRU）算法C.随机替换25、在cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上，则这种方法称为________A.全相联映射B.直接映射C.组相联映射D.混合映射1、图为某SRAM的写入时序图，其中R/W是读/写命令控制线

8、，当R/W线为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出图中时序的错误，并画出正确的时序图。2、分析图中两个存储器芯片有什么相同和不同？3、分析图中所示的RAM芯片，请问该芯片存储容量多大？字长多少？如果读写RAM，控制信号R/W是高还是低？4、设有一个具有24位地址和8位字长的存储器，问：Ø该存储