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1、元器件STRESS测试方法所谓元器件STRESS是指检查待测组件在特定的工作条件下各参数与其规格比较,还有多少余量(Derating),元器件STRESS包括四部份:温度STRESS,电压STRESS,电流STRESS,功率STRESS,下面分别进行讨论.一.温度STRESS1.定义:温度STRESS=结温度(junctiontemperature,Tj)是半导体内部接合面处的温度,但是我们所量测到的温度都是零件表面(CASE)的温度(Tc),传统的做法是通过零件规格中给出的热阻θ进行近似的计算得出结温度Tj:或或
2、Tj:计算所得到的结温度.Ta:零件周围的环境温度(零件周围的具体位置在零件规格中有规定 )Tc:所测量到的零件表面的温度.零件引脚的温度环境到结点的热阻.零件表面到结点的热阻实际损耗功率的计算方法:A.二极管:(可从规格中查到,I是实际测量值)注意:整流桥之B.MOSFET:附录A2.需检查之零件(1)电阻:大于等于2W的高压功率电阻,热敏电阻(2)晶体管:除SMD以外之所有晶体管(3)二极管:塑封二极管以及额定电流大于等于1A的其它二极管(4)半导体闸流管:所有半导体闸流管(5)电容:所有电解电容(6)IC:所
3、有IC(7)电感:所有电感3.测试条件:(1)输入电压:高压/低压(2)负载条件:全重载(包括+5VH,+12VH,+3.3VH)和standbymode(standbymaxload)(3)环境温度:25℃/50℃4.点温注意事项:(1)遵循原则:背风面,靠近热源,紧贴所点位置.(1)制作点温线接合点端不能有绞线现象,且长度最好控制在5mm以内.(2)各种零件所点位置:A.IC:点在本体或引脚上(若点在引脚上需进行绝缘)B.变压器:取掉胶布,点在最外层线圈上C.直接点在线圈上,若能接触到铁芯,最好与铁芯及线圈同时
4、接触.D.电容:直接点在电容顶部或本体中点(点在中点时需将电容外皮去掉)E.电阻:电阻靠近PWB且没有打KINK时,点在靠近PWB处之本体上,有打KINK就直接点在本体中点上.具体如图所示:5.Derating零件类型DeratingFactor零件类型DeratingFactor绕线电阻,功率电阻,VRPWB-10℃晶闸管,SCR,TRIACS90%热敏电阻最高温度-30℃(若量测温度大于PWB最高温度时,需考虑PWB之温度)电解电容90%贴片电阻90%IC90%二极管90%电感,铁芯90%晶体管90%MOSFE
5、T90%一.电压STRESS1.定义:电压STRESS=2.需检查之零件(1)电阻:大于等于2W的高压功率电阻,热敏电阻(2)晶体管:除SMD以外之所有晶体管(3)半导体闸流管:所有半导体闸流管(4)二极管:塑封二极管以及额定电流大于等于1A的其它二极管(5)电容:所有电解电容(6)MOSFET:所有３.测试条件:(1)输入电压:高压(2)输出负载:重载/轻载(3)环境温度:25℃(4)工作状态:稳定状态和瞬间状态瞬间状态包括以下几点:A:重复开关机(ACON/OFF)B:某组输出短路后.,再重复开关机(应对每一组
6、输出都分别短路,然后找出最差的状况)C:开机后,重复短路某一组输出(应对每一组输出都分别短路,然后找出最差的状况)４.数据测量方式:componentACon/offO/Pshortthenon/offAContheO/PshortNormaloperationO/PshortVrmsSemiconductorMAXMAXMAXMAX*CAPNANAMAXMAXNAResistorNANANARMSRMS总的来说,测量电压时除了电阻是测量其电压之RMS值以外,其它都是测量其电压之MAX值.在测试过程中应将MIN值同
7、时显示出来,在MAX与MIN值中取绝对值最大的一个.注意:在量测瞬间状态波形时,必须将触发电平调到可触发范围内的最高点.否则,结果会相差很大.如附录C所示.5.各零件之电压量测点(1)MOSFET:漏极-源极(2)三极管:集电极-发射极(3)二极管:反向电压或(AtoK正向电压)注意:测量电压时.,示波器探棒黑色夹子必须夹地.不能夹在低电位但不是地的位置,那样可能会引起无输出或者大电流烧坏示波器探棒.若待测点都不是地,那必须用两信道相减.6.Derating零件类别DeratingFactor稳定状态瞬间状态电阻9
8、0%90%二极管(schottky除外)90%95%SchottkyDiode90%100%晶体管90%95%MOSFET90%100%晶闸管,SCR,TRIACS(关断状态)90%90%电容(bulk电容,钽电容除外)90%90%bulk电容,X电容100%钽电容80%IC90%95%7.Avalanche当MOSFET之电压超过规格值时,要对测量结果进一
