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时间:2018-07-09
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1、一、概念题1.电畴:晶体中存在一些不同方向的自发极化区域(domain).在铁电体中,固有电极矩在一定的子区域内取向相同这些区域就称为电畴。(取向相同的固有电偶极矩)电畴的排列方式分为180度电畴(反平行)和90度电畴。因而不加电场时,整个晶体总电矩为零。2.畴壁:两畴之间的界壁称为畴壁。3.马基申等人把固溶体电阻率看成由金属基本电阻率ρ(T)和残余电阻ρ残组成。即ρ=ρ(T)+ρ残称为马基申定律。根据马基申定律,在高温时金属的电阻率基本上取决于ρ(T),而在低温时取决于ρ残。既然ρ残是电子在杂质和缺陷上
2、的散射引起的,那么ρ残的大小就可以用来评定金属的电学纯度。4.导体:可在电场作用流动自由电荷的物体,能传导电流的元件5.绝缘体:不善于传导电流的物质6.半导体:电阻率介于金属和绝缘体之间并且有负的电阻温度系数的材料7.压电体:能产生压电效应的晶体材8.电介质的击穿,当施加在电介质上的电压增大到一定值时,使电介质失去绝缘性的现象称为击穿(breakdown)。击穿形式:1)电击穿,是一电过程,仅有电子参与;2)热击穿;3)化学击穿9.介质损耗:.电介质在电场作用下,单位时间内因发热而消耗的能量称电介质的损耗
3、功率。介质损耗形式:1)电导(或漏导)损耗,实际使用的电介质都不是理想的绝缘体,都或多或少地存在一些弱联系带电离子或空穴,在E作用下产生漏导电流,发热,产生损耗。2)极化损耗10.超导体:材料失去电阻的状态称为超导态,存在电阻的状态称为正常态,具有超导态的材料称为超导体。11.接触电性:两种不同的材料接触,由于它们可以有不同的相、不同的晶体结构、电子结构,所以在它们的交界面上不可避免地要发生载流子的某种行为,由此而引起两种材料单独存在时所没有的新的电学效应,称为接触电性。12、热电效应:电位差、温度差、电
4、流、热流之间存在着的交叉联系构成了热点效应。第一个热电效应——塞贝克效应:两种下同的导体组成一个闭合回路时,若在两接头处存在温度差,则回路中将有电势及电流产生,这种现象称为塞贝克效第二个热电效应——玻尔贴效应:当有电流通过两个不同导体组成的回路时,除产生焦耳热外,在两接头处还分别出现吸收或放出热量Q的现象,Q称为玻尔帖热,此现象称为玻尔帖效应,第三个热电效应——汤姆逊效应:当电流通过具有一定温度梯度的导体时,除产生焦耳热外,另有一横向热流流入或流出导体(即吸热或放热),此种热电现象称为汤姆逊效应。13、热
5、释电效应:在某些绝缘物中,由于温度变化而引起电极化状态改变的现象。14、磁畴:未加磁场时铁磁质内部已经磁化到饱和状态的若干个小区域。15、磁致伸缩材料:铁磁体在磁场中磁化时,其尺寸或体积发生变化的现象称为磁致伸缩效应。具有磁致伸缩效应的材料称为磁致伸缩材料。16、磁电阻效应:磁场对载流导体或半导体中的载流子起作用致使电阻值发生变化的现象17、磁矫顽力:反磁化过程中,当反向磁畴扩大到同正向磁畴大小相相等时,它们的磁化对外对外部的效果相互抵消,有效磁化强度为零,这时的磁场强度称为磁矫顽力。18、磁化率:即单位
6、外磁场强度下材料的磁化强度。它的大小反映了物质磁化的难易程度,是材料的一个重要的磁参数。19、磁导率:反应磁感应强度随外磁场的变化速率,单位与相同,为亨/米。其大小与磁介质和随外加磁场强度有关。20、磁晶的各向异性:在单晶体的不同晶向上,磁性能不同的性质。21、磁弹性能:当铁磁体存在应力时,磁致伸缩要与应力相互作用,与此有关的能量。22、退磁能::铁磁体与自身退磁场的相互作用能称为退磁场能。(磁化饱和后,慢慢减少H,则M亦减小,此过程为退磁。)23、光电效应:是指光线照射在金属表面时,金属中有电子逸出的现
7、象,称为光电效应。(百度的)24、一般吸收:在光学材料中,石英对所有可见光几乎都透明的,在紫外波段也有很好的透光性能,且吸收系数不变,这种现象为一般吸收。25.选择吸收:在光学材料中,石英对于波长范围为3.5—5.0μm的红外光却是不透明的,且吸收系数随波长剧烈变化,这种现象为选择吸收。26.折射率的色散:材料的折射率随入射光的频率的减小而减小,这种现象称为折射率的色散。27.光生伏特效应:是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。(百度的)28光的非弹性散射:当光通过介质时,从侧向接受到的散射光主要是波
8、长(或频率)不发生变化的瑞利散射光,属于弹性散射。当使用高灵敏度和高分辨率的光谱仪,可以发现散射光中还有其它光谱成分,它们在频率坐标上对称地分布在弹性散射光的低频和高频侧,强度一般比弹性散射微弱得多。这些频率发生改变的光散射是入射光子与介质发生非弹性碰撞的结果,称为非弹性散射。29发射光谱:发射光强~发射光波长·指在一定的激发条件下发射光强按波长的分布。·其形状与材料的能量结构有关。·反映材料中从高能级始发的向下跃迁过程。激发
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