zns掺杂系统光电性质研究本科学位论文.doc

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1、密级:内部ZnS掺杂系统光电性质研究InvestigationonElectronicandOpticalPropertiesofDopingZnS学院:信息科学与工程学院2013年6月毕业设计(论文)指导教师审阅意见题目:ZnS掺杂系统光电性质研究评语:指导教师:毕业设计(论文)评阅教师审阅意见题目:ZnS掺杂系统光电性质研究评语:评阅教师:毕业设计(论文)答辩成绩评定专业毕业设计(论文)第答辩委员会于年月日审定了班级学生的毕业设计(论文)。设计(论文)题目:设计(论文)说明书共页,设计图纸张。毕业设计(论文)答辩委员会意见:成绩:专业毕业设计(论文)答辩委员会主任委员

2、:摘要ZnS是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种重要的半导体材料,它具有优异的机械性能和光学性能,具有优良的光电特性和广泛的应用前景,并已经为越来越多的人们所关注。对ZnS进行掺杂可以改变其导电性能、提高发光效率、发光质量和扩展发射光谱范围,以适应不同的实际需要。本文目的就是通过对ZnS材料和其掺杂材料的各种特性的理论计算,从而对材料的实验研究进行一些理论解释、补充甚至预言。为实验上实现ZnS的掺杂提供理论指导。首先,本文介绍了ZnS的结构、基本性质、研究现状和应用情况。讨论了我们的计算工具—CASTEP及其理论基础。其次,研究了纯ZnS的电子结构、光学性质以及键布居情况。计算了Z

3、nS系统的能带结构、键布居参数、电子态密度和吸收光谱。结果表明,ZnS为直接禁带半导体材料,其带隙为3.68eV。纯ZnS在能量低于4eV的范围内几乎没有吸收。第三,研究了N、Al掺杂ZnS以及Al和N共掺杂ZnS的各项特性。计算结果表明:N是理想的ZnS p-型掺杂剂,N掺杂ZnS后能在价带顶提供空穴载流子。Al和N共掺状态下有效地提高了受主掺杂浓度和系统的稳定性,从而更有利于实现p-型ZnS。最后,研究了V、Cr、Mn掺杂ZnS系统的电子结构,分析可知,掺杂元素的主要贡献在费米面附近,掺杂后系统的价带底、导带均向低能方向移动,带隙变小。掺杂后系统的光学吸收边都有明显的

4、红移。关键词:硫化锌;第一性原理;掺杂;光电性质IVAbstractZnSisanimportantsemiconductormaterialoftheⅡ-Ⅵclansemiconductormaterials,ithasexcellentmechanicalpropertiesandopticalproperties,withexcellentelecto-opticpropertiesandbroadprospectofapplication,andhasbeenformoreandmorepeopleconcerned.Dopedwithimpurities,the

5、conductiveproperties,luminousefficiency,luminousquality,andemissionspectrumofthesystemcanbeimprovedfordifferentpracticalneeds.Inthisthesis,westudytheelectronicstructureandopticalpropertiesoftheblendeZnSsystemsindifferentdopingcasesbythefirst-principlesapproachbasedonthedensityfunctionalth

6、eory.Firstly,thestructureandbasicpropertiesofZnS,researchstatusandtheapplicationwereintroduced.Wediscussedthecomputingtools-CASTEPanditstheoreticalbasis.Secondly,theelectronicstructureofpureZnS,opticalpropertiesandtheMullikenwerestudied.TheresultsshowthatZnSisthedirectsemiconductormateria

7、ls,thebandgapfor3.68eV.PureZnSinenergy4eVbelowtherangealmostnoabsorption.Thirdly,SomepropertiesofZnSdopedwithAlandNwerestudied,TheresultsshowthatNistheidealp-dopant.ZnScanofferholecarrieratthetopofthevalencebandaferdopingN.InthecaseofAl,Ncodoping,itcaneffectivelyimp

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