关于电力电子晶闸管参数的选择论文

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1、关于电力电子晶闸管参数的选择论文摘要：就可控硅励磁设备和电机车上可控硅应用情况，在不同的场合、线路和负载的状态下，对可控硅的重要参数的选择进行了论证，以使设备运行更良好，使用寿命更长。关键词：可控硅；参数；选择电力电子晶闸管亦即过去国内称为可控硅，国外简称为SCR元件，是硅整流装置中最主要的器件，它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命.freelA)以保证不出现误导通，在触发脉冲功率强的电路中也可选择触发电压、电流稍大一点的管。在磁选矿设备中，特别是旧的窄脉冲触发电路中，可选择一些VG、IG低一些的管子，如VGT1.5V、IG

2、T在≤100mA以下。可减少触发不通而出现缺相运行。以上所述说明在某些情况下应对VGT和IGT参数进行选择。(以上举例对500A的可控硅参考参数)4选择关断时间(tg)可控硅在阳极电流减少为0以后，如果马上就加上正向阳极电压，即使无门极信号，它也会再次导通，假如在再次加上正向阳极电压之前使器件承受一定时间的反向偏置电压，也不会误导通，这说明可控硅关断后需要一定的时间恢复其阻断能力。从电流过O到器件能阻断重加正向电压的瞬间为止的最小时闻间隔是可控硅的关断时间tg，由反向恢复时间t和门极恢复时间t构成，普通可控硅的tg约150-200μs，通常能满足一般工频下变流器的使用，但在大

3、感性负载的情况下可作一些选择。在中频逆转应用，如中频装置、电机车斩波器，变频调速等情况中使用，一定要对关断时间参数作选择，一般快速可控硅(即kk型晶闸管)的关断时间在10-50μs，其工作频率可达到1K-4KHZ；中速可控硅(即KPK型晶闸管)的关断时间在60-100μs，其工作频率可达几百至lKHZ，即电机车的变频频率。5选择电压上升率(dμ／dt)和电流上升率(di／dt)当可控硅在阻断状态下，如在它的两端加一正向电压，即使所加电压值未达到其正向最大值断峰值电压VDRM，但只要所加的电压的上升率超过一定值，器件就会转为导通，这是PN结的电容引起充电，起到了触发作用，式使可

4、控硅误导通。不同规格的可控硅都规定了不同的dμ／dt值，选用时应加以注意，选择足够的dμ／dt的可控硅管。一般500A的可控硅dμ／dt在100-200V／μs。电机车工作频率在几百HZ以内选用KK或KPK晶闸管应选用dμ／dt200-1000V／μs之间。当门极加入触发脉冲后，可控硅首先在门极附近的小区域内导通．再逐渐扩大，直至全部结面导通，因此如在刚导通时阳极电流上升太快，即可能使PN结的局部烧坏。所以对可控硅的电流上升率应作一定的选择，器件通态电流上升率(di／dt)应能满足电路的要求。普通的可控硅(500A)的di／dt在50一300A/μs，在工频条件下，如磁选机d

5、i／dt在50A／μs以下就可以满足使用；在变频条件下．如电机车di／dt必须在100A／μs以上。当阳极电压高而且在峰值时触发的情况下对dμ/dt和di／dt的要求都比较高，除了应使设备避免在这种状态下运行外，对可控硅的dμ/dt和di／dt同时也要选择使用，选高一点参数的使用，另外开通时直接接有大电容容量回路时,也必须选用较大di／dt的可控硅器件。6选择掣住电流IL和维持电流IH当可控硅门极触发而导通，若阳极电流IA尚未达到掣住电流IL值时，触发脉冲一旦消失，可控硅便又恢复阻断状态，若IAIL，虽去掉门极脉冲信号，仍维持可控硅导通。对如磁选装置等的电感性负载应加以注意。

6、负载电流(亦即阳极电流)增长的快慢对于门极脉冲消失后可控硅是否能继续导通很重要，如图(1)所示：负载电流增长快时，在脉冲未消失前，IAIL，脉冲消失后不影响IA的流通，若IA增长慢，脉冲消失时IA..毕业(2).