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时间:2018-07-09
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1、国内图书分类号:TN304西北工业大学工学硕士学位论文CdZnTe薄膜制备与性能表征硕士研究生:周昊导师:介万奇教授申请学位级别:硕士学科、专业:材料学所在单位:材料学院答辩日期:2010年03月授予学位单位:西北工业大学Classifiedindex:TN304ThesissubmittedinpartialfulfillmentoftherequirementsforthedegreeofMasterofEngineeringGrowthandCharacterizationOfCdZnTeFilmMSCandidate:ZHOUHaoAdvi
2、sor:ProfessorJIEWanqiDegreeAppliedfor:MasterofEngineeringSpecialty:MaterialsEngineeringSchool:SchoolofMaterialsScienceandEngineeringDateofOralDefence:March2010UniversityConferringDegree:NorthwesternPolytechnicalUniversity摘要摘要CdZnTe是一种性能优异的II-VI族化合物半导体。虽然对CdZnTe体单晶的研究由来已久,但关于Cd
3、ZnTe薄膜的制备、性能及表征上尚存在诸多难题。本文研究了真空蒸发法制备CdZnTe薄膜的技术;分析了CdZnTe薄膜的沉积模型;对比了退火前后CdZnTe薄膜成分、结构和光电性能的变化。利用真空蒸发法制备CdZnTe纳米薄膜。该方法具有工艺简单,成膜致密且均匀性好以及反应参数易于控制等优点,是目前大面积、低成本制备CdZnTe薄膜的一种重要方法。我们通过采用相同的沉积工艺,改变沉积时间,得到了三组不同厚度的CdZnTe薄膜,依次分别命名为CZT-1、CZT-2和CZT-3。分析了不同沉积工艺条件下制备得到的CdZnTe薄膜的结晶质量、表面形貌、禁
4、带宽度和电学性能;采用高分辨透射电镜观察了CdZnTe薄膜与衬底界面处的微观结构,分析了CdZnTe薄膜沉积模型;对所制备的CdZnTe薄膜在N2气氛下进行退火处理,研究了不同退火工艺对薄膜形貌、光学带隙宽度和电学性能的影响。研究发现,当衬底温度为室温时,真空蒸镀制备的薄膜中的成分配比偏离原料中的配比,呈现不同程度的富Te倾向。随着沉积时间的延长,CdZnTe薄膜表现出明显的择优取向生长,生长面为(111)面,并表现出层岛复合模式的生长机制。三组薄膜CZT-1、CZT-2和CZT-3的禁带宽度依次分别为2.26eV、2.12eV和1.6eV,电阻率
5、依次分别为4.2E9cm、3.1E11cm和7.4E11cm。在300℃和400℃氮气气氛退火后,薄膜择优取向得到加强,薄膜颗粒长大,光学吸收边变得陡峭,电阻率提高,平衡载流子增加。关键词CdZnTe薄膜,太阳能电池,性能表征,退火IABSTRACTABSTRACTCdZnTe(CZT)isakindofII-VIsemiconductorswithexcellentphotoelectricproperties.AlthoughthestudyonCdZnTecrystalhaslastedforalongperiod,therestillexi
6、stsomeproblemsinthepreparation,characterizationandupgradationofCdZnTefilms.Inthisthesis,theCdZnTethinfilmswerepreparedbyvacuumdepositionmethod,whichisprovedtobethebestmethodamongdifferenttechnologiesforthelargeareapreprationofCdZnTethinfilmsduetoitssimplicityandlowcost.Nano-cr
7、ystallineCdZnTefilmsweregrownonsiliconwaferandglasssubstratebyvacuumdepositionmethod.CdZnTefilmsamplesgrownunderthesameconditionswithdifferentdepositiontime,arenamedCZT1,CZT2andCZT-3respectively.Thecomposition,structure,surfacemorphologyandthephotoelectricpropertiesofthethrees
8、ampleswereanalyzed.TheeffectsoftheannealinginN2onthepropertie
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