球形硅微粉制备工艺

《球形硅微粉制备工艺》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、一．一种高纯球形硅微粉的生产方法申请号/专利号：200610038823本发明公开了一种大规模集成电路封装填料用高纯球形硅微粉的制备方法。对硅溶胶进行喷雾干燥，得到微球形二氧化硅凝胶，热处理后得到高纯球形硅微粉，其球形化、球形度、致密度及表面光滑度等能达到大规模集成电路封装要求。申请人/专利权人：连云港东海硅微粉有限责任公司申请人地址：江苏省连云港市东海县浦南开发区发明设计人：李长之;李凤生;李晓冬;曹家凯;阮建军;宋洪昌;汪维桥;王松宪;杨毅;梁友昌;姜炜;顾志明;刘宏英二．一种用天然粉石英制备高纯球形纳米非晶态硅微粉的方法申请号/专利号：20

2、0510021670本发明涉及采用以价格低廉的天然优质粉石英矿物为基本原料，采用溶胶－凝胶技术，在分散剂和球形催化剂存在条件下制备了符合电子封装材料要求的高纯球形纳米非晶态硅微粉材料，属于矿物材料领域。制备的高纯球形纳米非晶态硅微粉材料粒径为５０ｎｍ～１００ｎｍ，粒子分布均匀，分散度高，球化率达８５～９５％，呈无定形结构。产品的ＳｉＯ↓［２］百分含量达９９．８９～９９．９５ｗｔ％。杂质含量为：０．００８～０．０１２ｗｔ％Ａｌ↑［３＋］；０．００１～０．００４ｗｔ％Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］；２．０～４．０ｐｐｍ　　Ｎａ↑［＋］；≤１ｐｐｍ　　Ｃｌ↑［

3、－］；≤１ｐｐｍ　　ＳＯ↓［４］↑［２－］。所制备的高纯球形纳米非晶态硅微粉材料热稳定性高，在１０００℃以下煅烧未产生晶化。申请人/专利权人：成都理工大学申请人地址：四川省成都市二仙桥东三路1号成都理工大学发明设计人：林金辉;叶巧明;汪灵;刘菁;丁艺;常嗣和;范良明三．高纯球形无定形硅微粉CN1188075A　　本发明公开了一种新的制备高纯球形无定型硅微粉的方法。该方法以水玻璃和无机酸为主要原料，通过控制溶剂、乳化剂与水玻璃的比例，乳化时的转速及添加剂用量等条件参数，制备放射性元素铀含量小于1ｐｐｂ，常见离子含量均小于1ｐｐｂ的球形硅微粉，平均粒

4、径可在5～40μｍ之间调控，该产品可用作环氧树脂的填料，以制备大规模或超大规模集成电路器件的封装材料，还可用作制备其它高档电子器件的填料。四．高纯超细球形化硅微粉的研究对硅微粉的超细球形化进行了研究，实验发现：碳极高温电弧法是实现硅微粉球形化的较理想的加热方法。(共3页)五．一种高纯超细球形硅微粉的制备方法CN2007100344269A