高频放大环境额定双极型晶体管

《高频放大环境额定双极型晶体管》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片文件编号临时W2XN207ND版本号16-A1-04高频放大环境额定双极型晶体管页码1/21主要用途与主要特点1.1主要用途用W2XN207ND封装的成品管主要用于大功率音响管功率输出。1.2主要特点●ICM大、二次击穿耐量高2芯片数据芯片示意图芯片尺寸（㎜×㎜）4.25×4.25芯片厚度（µm）220±20划片道尺寸（µm）90键合区面积基区1039×10592(µm)发射区675×1150钝化层Si3N4金属铝正面电极金属厚度5.0±0.6背面电极金属(金属µm)银硅片直径（㎜）φ125装片要求

2、(推荐)锡铅烧结键合要求（推荐）铝丝：Φ300µm；E、B区各一根*划片道位置示意图：3电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)3.1极限值除非另有规定，Tamb=25℃参数名称符号额定值单位备注集电极-基极电压VCB0230V推荐封装形式：TO-3PL集电极-发射极电压VCE0230V推荐成品型号：发射极-基极电压VEB07V集电极电流IC9A耗散功率(Tamb=25℃)Ptot120W结温Tj150℃贮存温度Tstg-55～150℃江阴新顺微电子有限公司地址：江苏省江阴市滨江中路275号网址：http://www.xinsh

3、un.cn电话：（0510）8685118286852109传真：（0510）86851532江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片文件编号临时W2XN207ND版本号16-A1-04高频放大环境额定双极型晶体管页码2/23.2电参数除非另有规定，Tamb=25℃规范值参数名称符号测试条件单位最小典型最大集电极-基极截止电流ICB0VCB=230V,IE=0500μA发射极-基极截止电流IEB0VEB=7V,IC=0500μA共发射极正向电流传输比hFEVCE=5V,IC=1A80160的静态值集电极-发射极饱和电压VCEsatIC=7

4、A,IB=700mA1.5VVCE=10V,IC=500mA特征频率fT25MHzf=1MHZVCE=100V,Single二次击穿耐量ISB3.0Apulse,t=100ms注意事项：芯片存储条件（推荐）：氮气保护，温度25±5℃，湿度≤45%；本产品说明书仅供参考，不作为合同的一部分，具体以双方签订的技术协议为准；本产品说明书如有版本变更，恕不另行告知！客户在下单前应获取最新版本资料并验证相关信息是否完整和更新；任何半导体产品在特定条件下都有发生失效或故障的可能，买方有责任在使用新顺产品时遵守安全使用标准并采取安全措施，

5、以避免潜在的失效或故障风险造成人身伤害或财产损失的发生。江阴新顺微电子有限公司地址：江苏省江阴市滨江中路275号网址：http://www.xinshun.cn电话：（0510）8685118286852109传真：（0510）86851532