高精度实时时钟-sd2500ram

《高精度实时时钟-sd2500ram》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、SD2500高精度实时时钟RAM系列V2.1高精度实时时钟－SD2500RAM(V2.1)内置晶振、NVSRAM、温度补偿、电池电量监测、IIC串行接口、多种中断输出、高精度1.概述SD2500RAM系列是一种具有内置晶振、NVSRAM、IIC串行接口的高精度实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址来寻址读写片内122字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、温度寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。SD2500RAM系列芯片内置晶振及数字温度补偿，用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带

2、来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题，实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、高可靠计时功能;SD2500可保证时钟精度为±5ppm(在25℃左右)，即年误差小于2.6分钟；该芯片内置一次性电池,在电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)。SD2500RAM系列内置8字节的ID，每一颗芯片具备唯一的身份识别码。SD2500RAM系列芯片内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间可最长设至100年;该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要，有工业级产品可供选择，且软件和管脚与以前的SD2400RAM兼容,是在选用高精度实

3、时时钟时的理想选择。2.主要性能特点：低功耗：典型值0.6μA（VBAT=3.0V,Ta=25℃）。工作电压：3.3V～5.5V,工作温度：民用级0℃～70℃，工业级－40℃～+85℃。标准IIC总线接口方式,最高速度400kHZ。年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。可选择12/24小时制式。5种中断均可选择从INT脚输出,并具有4个中断标志位.内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器，共有96

4、种组合报警方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式，报警时间最长可设至100年。周期性频率中断输出:从4096Hz～1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲。自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟），最小定时为244us，最长定时可到31年，通过计算可获得较精确的毫秒级定时值。70Bytes通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。内置16kbit～512kbit的非易失性SRAM(C/D/E/G型)，其擦写次数100亿次，且没有内部写延时。内置电池使用寿命—一次性民用

5、级:3~5年,一次性工业级:5~10年。后备电池输入脚VBAT:当内部电池因寿命等原因报废时,可用外加的电池给时钟作备电。具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温一次，电池模式600S间隔测温一次。内置晶振和谐振电容，芯片内部通过高精度补偿方法，实现在宽温范围内高精度的计时功能，其中25℃精度<±5ppm，即时钟年误差小于2.6分钟(在25±1℃下)。内置电池电压检测功能，可读取当前电池电压值(三位有效数)，设置高低

6、电池报警电压值并从INT脚输出中断。芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4VSD2500高精度实时时钟RAM系列V2.1电压以下且VDD小于VBAT,芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电；当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。（内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF=0，VBAT模式时PMF=1）。内置8字节的ID码，芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码。内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时)，该功能可以避免

7、IIC总线挂死问题。内置三个时钟数据写保护位,避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值BATIIC=0)，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。内置上电复位电路及上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。内置电池电压欠压指

8、示位BLF，当电池电压低于2.2V时BLF位置1。内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。内置电源稳压,内部计时电压可低至2.0V。