半导体三极管及基本放大电路

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1、半导体三极管及基本放大电路半导体三极管是一种最重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。场效应管是一种较新型的半导体器件，现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中。本章介绍半导体三极管、绝缘栅型场效应管以及由它们组成的基本放大电路。5.1半导体三极管半导体三极管简称为晶体管。它由两个PN结组成。由于内部结构的特点，使三极管表现出电流放大作用和开关作用，这就促使电子技术有了质的飞跃。本节围绕三极管的电流放大作用这个核心问题来讨论它的基本结构、工作原理、特性曲线及主要参数。5.1.1三极管的基本结构和类型基极BTCEBTCEB基极B发射极E发射极E集电极C集电极CN集电区P

2、基区N发射区P集电区N基区P发射区三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见图5-1，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中，晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性，这就是：其一是发射区掺杂浓度大于

3、集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；其二是基区很薄，一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。（a）(b)图5-1两类三极管的结构示意图及符号5-475.1.2三极管的电流分配关系和放大作用图5-2共发射极放大实验电路VBBIBIERBVBBVCCRCmAμATmA现以NPN管为例来说明晶体管各极间电流分配关系及其电流放大作用，上面介绍了三极管具有电流放大用的内部条件。为实现晶体三极管的电流放大作用还必须具有一定的外部条件，这就是要给三极管的发射结加上正向电压，集电结加上反向电压。如图5-2，VBB为基极电源，与基极电阻RB及三极管的基极B、发射极

4、E组成基极——发射极回路（称作输入回路）,VBB使发射结正偏，VCC为集电极电源，与集电极电阻RC及三极管的集电极C、发射极E组成集电极——发射极回路（称作输出回路），VCC使集电结反偏。图中，发射极E是输入输出回路的公共端，因此称这种接法为共发射极放大电路，改变可变电阻RB,测基极电流IB，集电极电流IC和发射结电流IE,，结果如表5-1。表5-1三极管电流测试数据IB(μA)020406080100IC(mA)0.0050.992.083.174.265.40IE(mA)0.00510.012.123.234.345.50从实验结果可得如下结论：（1）IE=IB+IC。此关系就是三极

5、管的电流分配关系，它符合基尔霍夫电流定律。（2）IE和IC几乎相等，但远远大于基极电流IB.，从第三列和第四列的实验数据可知IC与IB的比值分别为：，　IB的微小变化会引起IC较大的变化，计算可得：计算结果表明，微小的基极电流变化，可以控制比之大数十倍至数百倍的集电极电流的变化，这就是三极管的电流放大作用。、β称为电流放大系数。通过了解三极管内部载流子的运动规律，可以解释晶体管的电流放大原理。本书从略。5.1.3三极管的特性曲线三极管的特性曲线是用来表示各个电极间电压和电流之间的相互关系的，它反映出三极管的性能，是分析放大电路的重要依据。特性曲线可由实验测得，也可在晶体管图示仪上直观地显

6、示出来。1．输入特性曲线晶体管的输入特性曲线表示了VCE为参考变量时，IB和VBE的关系。5-470.20.40.60.8VBE(V)806040200VCE≥1VIB(μA)图5-3三极管的输入特性曲线（5-1）图5-3是三极管的输入特性曲线，由图可见，输入特性有以下几个特点：(1)输入特性也有一个“死区”。在“死区”内，VBE虽已大于零，但IB几乎仍为零。当VBE大于某一值后，IB才随VBE增加而明显增大。和二极管一样，硅晶体管的死区电压VT（或称为门槛电压）约为0.5V，发射结导通电压VBE=（0.6~0.7）V；锗晶体管的死区电压VT约为0.2V，导通电压约（0.2~0.3）V。

7、若为PNP型晶体管，则发射结导通电压VBE分别为(-0.6~-0.7)V和(-0.2~-0.3)V。（2）一般情况下，当VCE>1V以后，输入特性几乎与VCE=1V时的特性重合，因为VCE>1V后，IB无明显改变了。晶体管工作在放大状态时，VCE总是大于1V的（集电结反偏），因此常用VCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲线。2.输出特性曲线晶体管的输出特性曲线表示以IB为参考变量时，IC和VCE的关系，即:100μA80μA60