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时间:2018-07-07
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1、目录1.1项目概况21.2设计规模41.3进水水质41.4出水标准41.5污水处理工艺流程图51.6废水处理工艺流程简介61.6.1批式处理槽与1#板框压滤机61.6.2生物接触氧化81.6.3二沉池91.6.4吸附池91.6.5污泥处理系统9二各种设备说明及维护保养102.1格栅102.2提升泵102.2.1起动102.2.2停止102.2.3运转112.3水泵的维护112.4故障原因及解决办法:132.3鼓风机152.3.1三叶罗茨鼓风机的技术说明152.3.2罗茨风机运行管理202.4微孔曝气器的技术说
2、明21三污泥处理系统223.1板框压滤机组成部分223.2板框压滤机压滤过程233.3板框压滤机滤布清洗23四调试运行注意事项234.1物化单元234.2活性污泥系统的运行管理26561.1项目概况******股份有限公司以单晶、多晶硅片生产太阳能电池片。太阳能电池用多晶硅片生产硅料,主要进行拉制单晶硅、多晶硅熔铸及切片生产。硅料生产废水主要来自多晶硅废水、切片废水和有机硅废水。由于在生产过程中需要对含硅原料用氢氟酸、铬酸、硝酸、盐酸等强酸进行适当的腐蚀,因此产生大量的含氟酸碱废水。该类废水PH值低,含氟量高
3、,并含有一定量的色度和悬浮物,且水量、水质的变化幅度大,处理难度大。单晶硅生产工艺流程及排水节点如图1-1所示。刻蚀单晶制绒超声清洗NaOH5%单晶绒面(NaOH2%IPA5%-6%纯水洗酸洗HclHF5%低氟废水高氟废水甩干扩散制结低氟废水处理系统纯水洗纯水洗纯水洗酸洗HF5%纯水洗风刀吹干PECVD沉积氮化膜丝网印刷烧结测试分选包装至组件生产线硅片★★★★★★低氟废水★混酸洗HNO3+HF+H2SO4高氟废水★★★碱洗KOH5%高氟废水成品检测包装烧结炉图1-1企业单晶硅生产工艺流程注:★废水56多晶硅生
4、产工艺流程及排水节点如图1-2所示。刻蚀多晶制绒混酸洗30%HNO3+4.2%HF混酸洗10%HclHF5%低氟废水高氟废水风刀吹干扩散制结低氟废水处理系统纯水洗纯水洗酸洗HF5%纯水洗风刀吹干PECVD沉积氮化膜丝网印刷烧结测试分选包装至组件生产线硅片★★★★★低氟废水★混酸洗+HF+H2SO4高氟废水★★★碱洗KOH5%高氟废水纯水洗碱洗KOH5%纯水洗★纯水洗图1-2企业多晶硅生产工艺流程注:★废水根据生产工艺流程可以看出,企业排放的生产废水主要有含酸碱废水、含HF废水、酸碱冲洗废水、含氟清洗废水。根据
5、企业的要求,还包括一些生活污水、冷却塔排放的冷却水和空调器的冷凝水等。1.2设计规模受该企业委托,本次方案总设计处理能力为:Q=660m3/d。各排水单元排放废水量如表2-1所示。表2-1各单元排放水量56序号名称排放量(m3/d)1含酸碱废水、酸碱冲洗排水530.62含氟废水、含氟清洗水73.73生活污水、冷却水55.71.3进水水质根据厂家提供的数据,各排水单元设计进水水质如表2-2所示:表2-2设计进水水质指标序号项目CODcr(mg/l)F—(mg/l)PH值(无量纲)1含酸碱废水、酸碱冲洗排水≤60
6、0≤10011~122含氟废水、含氟清洗水≤200≤15002~33生活污水、冷却水≤900≤306~91.4出水标准根据厂家的要求,出水达到《污水综合排放标准》(GB8978-1996)表4中一级标准的要求。其水质如表2-3所示。表2-3设计出水水质指标序号项目CODcr(mg/l)F—(mg/l)PH值(无量纲)1出水水质≤100≤106~91.5污水处理工艺流程图含氟浓水1.7m3/d561#调节池碱、PAM、PAC、Ca2+机械搅拌1#反应池1#沉淀池水解调节池生物接触氧化池2#沉淀池泵污泥储存池泵1
7、#板框压滤机2#调节池批式处理槽泵干污泥外运滤液含氟清洗水72m3/d泵碱、Ca2+一体化设备2#反应池PAM、PAC污泥生活污水、冷却水55.7m3/d格网酸碱废水530.6m3/d初沉调节池酸污泥鼓风机污泥回流污泥达标排放吸附池2#板框压滤机滤液干污泥外运图4-2废水处理工艺流程图企业排放的高氟废水进入1#调节池,然后由泵提升进入1.6废水处理工艺流程简介1.6.1批式处理槽与1#板框压滤机该工艺主要去除废水中的F-,使F-离子与Ca+结合,生成CaF2胶体。CaF256难溶于水且密度比水大,反应完成后可
8、通过沉淀的方式与水分离。再经过板框压滤机脱水,使F-离子与水分离。为了克服胶体间的斥力,使沉淀分离进行的更加完全,在沉淀前向废水中投加混凝剂。在废水处理中,混凝过程常用于胶体物质、离子物质的分离去除。混凝过程具有两个作用。第一个作用:使水中原有的离散微粒首先具有粘附在固体颗粒上的性质——凝聚(coagulation);第二个作用:使这些具有粘附性的离散微粒能够粘结成絮体——絮凝(flocculati
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