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《snagcu钎料焊点电化学迁移的原位观察和研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、SnAgCu钎料焊点电化学迁移的原位观察和研究第26卷第6期2007年6月电子元件与材料ANDMATERIALS,,01.26No.6Jun.2O07SnAgCu钎料焊点电化学迁移的原位观察和研究张炜,成旦红,郁祖湛,WernerJillek4(1.上海大学理学院化学系,上海200444;2.中国浦东干部学院培训部,上海201204;3.复旦大学化学系,上海200433;4.乔治西蒙欧姆应用科技大学电子机械信息系,德国纽伦堡90489)摘要:通过恒定电压条件下的水滴实验,对Sn-4Ag.0.5Cu钎料焊点的电化学迁移【ECM)行为进行了原位观察和研究.结果表明,树
2、枝状的金属沉积物总是在阴极上生成,并向着阳极方向生长,在接触阳极的瞬间,发生短路失效.外加电压不超过2v时,形成的沉积物数目往往比较少并且粗大.焊点间距的减少和外加电压的增加都会使得ECM造成的短路失效时间显着缩短.当钎料不能完全包襄焊盘或者焊盘局部位置上钎料的厚度很薄时,发生ECM的金属除了来自钎料焊点,还来自Cu焊盘;钎料中的Ag不发生迁移.关键词:电化学;电化学迁移;SnAgCu钎料;焊点;原位观察中图分类号:TG42文献标识码:A文章编号:1001—2028(20o7)06-0o64—05Insituobservationandresearchonelec
3、trochemicalmigrationofSnAgCusolderjointsZHANGWei,CHENGDan.hong2,YUZu.zhan3,WERNERJillek4(1.DeptofChemistryofCollegeofScience,Shangh~University,Shanghai200444,China;2.DeptofTraining,ChinaPudongExecutiveLeadershipAcademy,Shanghai201204,China;3.DeptofChemistry,FudanUniversity,Shanghai200
4、433,China;4.DeptofEFI,GeorgSimon—Ohm.Fachhochschule,NUrnberg90489,Germany)Abstract:Electrochemicalmigration(ECM)testsonSnAgCusolderjointswereconductedbyapplyingconstantvoltagewithaDCpowersupply.Waterwasusedasthetestenvironment.Aperiodofincubationwasnecessaryfortheformationofdendriteso
5、nthecathodesolderjoints,thenthedendritegrewfasttowardstheanodesolderjoint,resultinginashortcircuit.Lowerappliedvoltage(1essthan2V1alwaysledtonottOOmanybutbiggerdendrites.Timeofshortcircuitdecreasesrapidlywiththeincreaseofappliedvoltageandthedecreaseofthedistancebetweenthetwosolderjoin
6、tspecimens.Thesolderjointwasnottheonlysourceformigratingmetalelements,theCupadisanotherCusourcewhenthesoldercouldnotcoverallthesurfaceofthepadorcoveristhin.AgisimmunetOECM.Keywords:electrochemistry;electrochemicalmigration;SnAgCusolder;solderjoints;insituobservation电化学迁移ECM)是一个电化学过程.在
7、一定温度和湿度条件下,当相邻的钎料焊点或连线之间存在电位差时,就有可能发生ECM.电位较正的钎料焊点或连线上的金属失去电子,发生电化学溶解,以离子的形式进行迁移,然后在电位较负的焊点或连线上沉积下来,生成树枝状导电沉积物,使得相邻的钎料焊点或连线之间发生短路,造成严重的可靠性问题.目前,对于电子产品的电化学迁移性能的检测标准,通常采用美国印刷电路学会(InstituteofPrintedCircuits,简称IPC)的IPC—-TM一650Method2.6.14.1抗电化学迁移试验(ElectrochemicalMigrationResistanceTest)I
8、ll,该测
