模电试、ab卷与答案19页

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1、《模拟电子技术基础》试题（A卷）学号姓名.一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反馈，

2、电路就会产生正弦波振荡。（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）RC串并联网络在时呈。（A）感性（B）阻性（C）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。（A）β（B）β2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能

3、放大电压的电路是。（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。19四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为rbe。填空：静态时，IBQ的表达式为，ICQ的表达式为，UCEQ的表达式为；电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；若减小RB，则IC

4、Q将，rbe将，将，Ri将。五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，rbe=1kΩ，RB1=5kΩ，RB2=15kΩ，RE=2.3kΩ，RC=RL=3kΩ，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（2）估算信号源内阻为RS=1kΩ时，的数值。六、（10分）在图示电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路I=1mA，RB1=RB2=1kΩ，RC1=RC2=10kΩ；两只晶体管特性完全相同，且β1=β2=100，rbe1=rbe2=2kΩ。估算：（1）电路静态时T1和T2管的集电

5、极电位；（2）电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R019七、（5分）在图示OCL电路中，已知T1、T2管的，电源电压为±9V，负载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。九、（6分）在图示电路中，要求RF=100kΩ，比例系数为11，试求解R、和的阻值。十、（6分）求解图示电路的运算关系式。十一、（9分）在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10kΩ，R和C的可调范围分别为1~100kΩ、0.001~1μF。19（1）振

6、荡频率的可调范围是多少？（2）RF的下限值为多少？十二、（5分）在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R1=R2=R3=200Ω，试求输出电压U0的调节范围。十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，T2和T3管特性完全相同，T2管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为UZ。填空：调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路组成；输出电压调节范围的表达式为。19《模拟电子技术基础》试题（B卷）学号姓名.一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。（）（2）引入直流负反馈可以

7、稳定静态工作点。（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（）（7）半导体中的空穴带正电。（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流