模拟电子技术基础习题解答高吉祥电子工业出版社

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1、第一章半导体器件1.1选择填空（只填a,b,c,…,以下类同）(1)N型半导体中多数载流子是b，P型半导体中多数载流子是a。（a.空穴，b.电子）(2)N型半导体c，P型半导体c。（a.带正电，b.带负电，c.呈中性）(3)PN结中扩散电流的方向是a，漂移电流的方向是b。（a.从P区到N区，b.从N区到P区）(4)二极管的伏安特性是I=c。（a.KU2，b.KU3/2，c.(U/UT1)Ke）(5)当PN结外加反向电压时，扩散电流b1漂移电流；（a1.大于，b1.小于，c1.等于）此时耗尽层a2。（a2.变宽，b2.变窄，c2.不变）(6)

2、变容二极管c1；（a1.是二极管，b1.不是二极管，c1.是特殊二极管）它工作在b2状态。（a2.正偏，b2.反偏，c2.击穿）(7)晶体管工作在放大区时，b-e间为a，b-c间为b，工作在饱和区时b-e间为a，b-c间为a。（a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置）(8)工作在放大区的某晶体管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变成2mA。它们的β约为b。（a.10，b.50，c.100）(9)场效应管主要是通过改变b1（a1.栅极电压，b1.栅源电压，c1.漏源电压）来改变漏极电流的，所以是一个b2（a2.电流，b2.电压）控

3、制的a3（a3.电流源，b3.电压源）。(10)用于放大时，场效应管工作在特性曲线的b。（a.击穿区，b.恒流区，c.可变电阻区）1.2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：据已知可得2050oo103I(20C)I(50C)21021.25(A)SS8050oo103I(80C)I(50C)210280(A)SS第1页1.3某二极管的伏安特性曲线如图(a)所示:（1）如在二极管两端通过1KΩ的电阻上加1.5V的

4、电压,如图(b)所示,此时二极管的电流I和电压U各为多少?（2）将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流I和电压U各为多少?UI/mA3I211.5V1KΩ00.511.52U/V(b)(a)解：（1）图(b)示二极管的外特性方程为:I/mAU=E-IR=1.5-I。3通过作图,可得Q1(I,U)=Q1(0.8mA,0.7V)2Q2（2）图(b)示二极管的外特性方程变为:1Q1U=E-IR=3-I。00.511.52U/V通过作图,可得Q1(I,U)=Q1(2.1mA,0.85V)(a)1.4假设用万用表的R×10档测得某二极管的正

5、向电阻为200Ω，若改用R×100档测量同一个二极管，则测得的结果将比200Ω大还是小，还是正好相等？为什么？答：用R×100档测量二极管的正向电阻比用R×10档测的电阻大。设万用表R×10档的内阻为R1，R×100档的内阻为R2，则R1IDQ2。故用R×100档测量二极管的正向电阻比用R×10档测的电阻大。1.5在图示电路中,ui=10sinωt(V),RL=1KΩ,uD试在图(b)中,对应画出二极管的电流iD、uIiDRLuO电压uD以及输出电压

6、uO的波形,并标出幅值。(a)设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。第2页解:波形如图(b)示uI/V10π2π3π4πωt(b)iD/mA10ωtuD/Vωt-10uO/V10ωt1.6欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流IZ、动态内阻rZ及温度系数aU等各项参数，大一些好还是小一些好？答：工作电流IZ大一些，动态内阻rZ小一些，温度系数aU小一些，稳压管的稳压特性会好一些。1.7某稳压管在温度为20℃、工作电流为5mA时，稳定电压UZ=10V，已知其动态内阻rZ=8Ω，电压的温度系数aU=0.09%/℃，试问：（1）当温度不变，工作

7、电流改为20mA时，UZ约等于多少？（2）当工作电流仍为5mA，但温度上升至50℃时，UZ约等于多少？解：（1）UIr(205)8120(mV)0.12VZ于是，U(20mA)U(5mA)U100.1210.12(V)ZZoo5020（2）U(50C)U(20C)(10.0009)10.27(V)ZZ1.8在图示电路中,已知电源电压U=10V,R=200Ω,RL=1KΩ,稳压管的UZ=6V,试求:R(1)稳压管中的电流IZ=?URL(2)当电源电压U升高到12V时,IZ将变为多少?IVDZZ(3)当U=1

8、0V,但RL改为2KΩ时,IZ将变为多少?第3页UU106解:(1)IZ0.02(A)20(mA)RR200U6ZI6(mA)RLRL1II