合肥京东方半导体有限公司

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1、合肥京东方半导体有限公司TFT-LCD六代线玻璃减薄配套项目环境影响报告书（简本）目录（一）建设项目情况简述；（二）建设项目对环境可能造成影响的概述；（三）预防或者减轻不良环境影响的对策和措施的要点；（四）环境影响报告书提出的环境影响评价结论的要点；1一、建设项目情况简述合肥京东方半导体有限公司拟在合肥新站综合开发试验区（合肥京东方半导体有限公司厂址内）建设TFT-LCD六代线玻璃减薄配套项目，项目总投资4176万元人民币。项目新建1栋生产厂房，新建1座废水处理站，配套建设危险废物暂存库及一般废物暂存库、纯水制备系统、废气处理系统、废水处理系统等配套设施，部分设施依

2、托现有工程。项目建成后从事TFT-LCD六代线玻璃减薄。项目产品方案及规模见表1。表1产品方案及规模序号产品名称六代线蚀刻产能G6规格型号产能1TFT-LCD玻璃面板减薄1500×1850mm7.2万片该项目位于合肥新站综合开发试验区建设，符合国家当前产业政策和园区的产业发展规划。二、建设项目对环境可能造成的影响概述本项目产生的主要污染物有：生产废水（W1清洗废水、W2高浓度含氟废水、W3低浓度含氟废水、W4悬浮物废水、W5酸性废气洗涤塔排水、W6纯水制备废水、W7冷却塔循环水排水）和W8生活污水；生产废气（G1有机废气、G2酸性废气）；动力配套设施运行产生的噪声；

3、固体废物（包括危险废物和一般废物）。（一）废水本项目生产废水排放量963.2m3/d。1、W1清洗废水：废水排放量250m3/d，排放方式为连续排放。清洗废水主要来源于前清洗、抛光后清洗工序，废水中含有清洗剂，本项目新建一般废水处理系统一套，清洗废水全部排入其中处理。2、W2高浓度含氟废水、W3低浓度含氟废水（1）W2高浓度含氟废水：排放量4.2m3/d，间断排放。自蚀刻槽定期倒槽，废水中含有氢氟酸、硫酸、盐酸等物质。（2）W3低浓度含氟废水：废水排放量500m3/d，连续排放。含氟废水主要源自蚀刻减薄线的清洗工序，废水中含有氢氟酸、硫酸、盐酸等物质。（3）W5酸性

4、废气洗涤塔排水：废水排放量15m311/d，间断排放。酸性废气洗涤塔排水主要来源于蚀刻减薄线产生的的酸性废气通过洗涤塔处理后的排水。3、W4悬浮物废水：废水排放量32m3/d，排放方式为连续排放。主要来源于抛光工序，废水中含有少量抛光粉（主要成分为氧化铈）。4、W6纯水制备排水本项目新建纯水制备系统，根据纯水制备工序，在制备的过程中将产生RO浓缩水和反洗废水。（1）RO浓缩水：排放量140m3/d。RO浓缩废水指反渗透工艺中未通过半透膜的废水，主要含原自来水中的离子（盐类）。为了节约水资源，本项目将RO浓缩水收集后，用作部分用作厂区卫生间冲洗水；部分用作酸性废气洗涤

5、塔补水；多余的RO浓水通过厂区废水总排口排放。（2）反洗废水：废水排放量47m3/d。纯水制备过程中，需通过反洗来恢复其过滤能力。反洗水就是反洗介质过滤器和活性炭过滤器排水。5、W7冷却塔循环水排水：废水排放量40m3/d，排放方式：连续排放。常温冷却水用来冷却空压机系统，由于水质较清洁，直接经废水总排口排放。6、W8生活污水本项目厂区不设食堂，设置就餐区，采用配餐制，餐具不在厂区清洗。项目产生的生活污水主要为卫生间盥洗污水，排放量为8.5m3/d。（二）地下水本项目给、排水均不会与地下水直接发生联系，项目的建设基本不会对地下水水位造成明显影响，仅有可能对地下水的水

6、质造成一定影响。拟建项目可能对地下水造成污染的途径主要有：生产车间（蚀刻生产区）、化学品库、储酸区（含配酸区）、危废暂存库、废水处理设施（包括废水处理池体及管道）、事故应急池等污水下渗对地下水造成的污染。（三）废气主要包括一般性废气（废热）、酸性废气、有机废气。为了使本项目所排放的废气得到有效治理，根据废气性质，将废气处理系统分为一般废气（废热）排风系统和酸性废气处理系统，由于项目产生的有机废气量极少，可直接通过一般废气（废热）排风系统排风。(1)一般废气（废热）本项目车间一般废气（废热）排风通过车间设置的风机抽排。11(2)有机废气项目产生有机废气的工序为UV固化

7、和清洁工序。固化主要采用紫外线照射，此过程仅会产生微量的有机废气；清洁工序采用无尘布蘸乙醇进行擦拭，由于乙醇的使用量较小，因此挥发产生的有机废气量也很小。由于有机废气产生量很小，污染物浓度极低，可直接通过车间一般废气（废热）排风系统排出。(3)酸性废气酸性废气主要来源于蚀刻减薄工序中使用各种刻蚀液，主要污染物为氟化物、氯化氢、硫酸雾等。（四）噪声本项目生产设备位于密闭厂房内，厂房有较好的隔声作用。因此，项目噪声源主要为动力设备噪声。本项目动力辅助设备中除供水系统、现有工程废水站外，其余的均为新增系统。新增的产噪设备主要为风机、空压机、冷却塔、水泵等动力设备。（五