长沙理工大学模拟电子技术试卷07

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1、长沙理工大学考试试卷………………………………………………………………………………………………………………试卷编号07拟题教研室（或教师）签名电子教研室教研室主任签名………………………………………………………………………………………………………………课程名称（含档次）模拟电子技术课程代号专业电类相关专业层次（本、专）本科考试方式（开、闭卷）闭卷一、填空（本题共18分，每空1分）：1．二极管最主要的特性是________。2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，则桥式整流后(不滤波)的输出电压为________V，经过电容滤波后为________V

2、，整流二极管所承受的最大反向电压为________V。3．差分放大电路，若两个输入信号为uI1＝uI2，则输出电压uO＝________；若uI1=100mV，uI2=80mV，则差模输入电压uId＝________mV；共模输入电压uIc＝________mV。4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10Hz时，可选用________滤波器；有用信号频率高于10kHz时，可选用________滤波器；希望抑制50Hz的交流电源干扰时，可选用________滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用________滤波器。5．若三级放大电路中Au1＝Au

3、2＝30dB，Au3＝20dB，则其总电压增益为______dB，折合为______倍。6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ＝________、静态时的电源功耗PDC＝________。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到________，但这种功放有________失真现象。7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为________V。二、单项选择（本题共20分,每个选择2分）：0iD/mA-4uGS/V51．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。A.NPN型硅管B.NPN型

4、锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管2．某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（）。A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大图1T2T16．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（）。A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是()。第4页（共4页）a.不用输出变压

5、器b.不用输出端大电容c.效率高d.无交越失真5．图2所示复合管，已知T1的b1=30，T2的b2=50，则复合管的b约为（）。图2A.1500B.80C.50D.304．图3所示电路中，Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（）。A.减小C，减小RiB.减小C，增大RiC.增大C，减小RiD.增大C，增大Ri7．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图4所示，该电路可能是（）。A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器+uO_usRBRs+VCCVC+RCRiOtuItuo图3图4O9．稳压二极管稳压时，其工作在()，发

6、光二极管发光时，其工作在()。a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区三、分析与计算（本题共62分）：1．(本小题14分)放大电路如图5所示，电路中电容容量足够大，三极管的β＝50，rbb’＝200Ω，UBE＝0.6V，RB1＝120KΩ，RB2＝40KΩ，RC＝RL＝4KΩ，RE＝2.1KΩ，VCC＝12V，信号源内阻RS＝10KΩ，（1）估算电路的静态工作点IBQ、IEQ、UCEQ；（2）画出微变等效电路；（3）计算电路的放大倍数、、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。（4）去掉旁路电容CE，求电压放大倍数，输入电阻Ri。2．(本小题8分)电路如图6所

7、示，设满足深度负反馈条件。（1）判断级间反馈的极性和组态；（2）求其闭环电压放大倍数Auf。第4页（共4页）图5图63．(本小题12分)设图7中A为理想运放，求各电路的输出电压值。图74．(本小题8分)试用相位平衡条件判断图8所示电路是否可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型（如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等），并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L＝0.5mH，C1＝C2＝40pF。图85．(本小题10分)图9所示电路中，设A1、A2、A3均为理想运放，其最大输出电压幅值为±12V。（1）说明A1、A2、A3各组成什么电路？

8、（2）A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？（3）若输入为1V的直流电压