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时间:2018-05-25
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1、汽车电工与电子技术教学教案下载-样章.doc教案教师姓名授课形式讲授授课时数2学时授课日期与授课班级3月7日第1、2节汽车/营销1031110312授课章节名称第六章模拟电子技术基础§6.1半导体简介教学内容目的、要求1、了解半导体的基本知识2、了解PN结的单向导电性教学重点PN结的单向导电性教学难点PN结的单向导电性使用教具挂图课外作业6-26-3备注1、概念较多,专业名称也较多。仔细讲解。2、“单向导电性”结论较重要,举例分析。第六章模拟电子技术基础§6.1半导体简介一、PN结单晶体半导体——硅、锗(四价元素)单晶体半
2、导体中的载流子——自由电子(-)、空穴(+)本征半导体转换为杂质半导体(掺杂)本征半导体:完全纯净具有晶体结构的半导体。(类似于碳元素的排列规律)杂质半导体①电子型(N型)半导体—掺入五价元素(磷)多数载流子(多子)——自由电子;少数载流子(少子)——空穴②空穴型(P型)半导体—掺入三价元素(硼)多子——空穴;少子——自由电子1.PN结的形成多子由高浓度区域向低浓度区域运动——扩散;少子由低浓度区域向高浓度区域运动——漂移;P区与N区的扩散与漂移运动达到动态平衡,形成稳定的空间电荷区(势垒区)——PN结2.PN结的单向导电
3、性正向偏置(P接+,N接―)反向偏置(P接―,N接+)PN结正偏导通,反偏截止,这就是PN结的单向导电性。二、半导体二极管1、基本结构、分类基本结构:PN结+电极引线及外壳点接触型(Ge)——结面积小,不能通过大电流,结电容也小阳极阴极+―面接触型(Si)——结面积大,结电容也大2、伏安特性①正向特性⑴死区——死区电压约0.5V—Si;约0.2V—Ge⑵导通管压降:硅管——0.5~0.8V(0.7V);锗管——0.2~0.3V(0.2V)②反向特性⑴反向截止⑵反向击穿——反向击穿电压小结
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