hgt 3375-2003 有机硅烘干绝缘漆

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1、ICS87.040G51备案号:13224-2004HG中华人民共和国化工行业标准HG/T3375-2003代替HG/T3375-1987,HG/T3376-1987有机硅烘干绝缘漆Organosiliconelectricalinsulatingbakingvarnish2004-01-09发布2004-05-01实施中华人民共和国国家发展和改革委员会&;tiHG/T3375-2003前言本标准是对推荐性化工行业标准HG/T3375-1987((W30-11有机硅烘干绝缘漆》和HG/T3376-1987KH30-12有机硅烘干绝缘漆》修订并合并而成。本标准与HG/T3375-

2、1987,HG/T3376-1987相比主要变化如下:—用工型表示原W30-11型，n型表示原H30-12型。—试验的环境条件按GB9278规定。—取消了“外观和透明度”项目中“透明度”。—“固体含量”中天平感量提高到0.001g,—“击穿强度、体积电阻系数”中“经(25士1)0C、相对湿度(95士3)%受潮24h处理后”改为"(23士2)0C蒸馏水中浸24h后"。—“胶合强度”的指标改为“商定”，增加试验方法“GB/T1981-1989中3.2.1",—“厚层干透性”的指标改为“商定”，试验方法直接引用GB/T1728-19790989)丁法。—产品检验分出厂检验和型式检验。

3、本标准自实施之日起，同时代替HG/T3375-1987,HG/T3376-1987,本标准由中国石油和化学工业协会提出。本标准由全国涂料和颜料标准化技术委员会归口。本标准主要起草单位:中国化工建设总公司常州涂料化工研究院、上海树脂厂有限公司。本标准主要起草人:史立平、庄荫祖。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:-HG2-656-1967,HG2-656-1976,ZB/TK15014-1987，于1999年转化为HG/T3375-1987;—HG2-657-1967,HG2-657-1974,ZB/TK15015-1987，于1999年转化为HG/T3376-1987.HG/

4、T3375-2003有机硅烘干绝缘漆范围本标准规定了有机硅烘干绝缘漆的产品分类、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、贮存等。本标准适用于由聚甲基苯硅氧烷、二甲苯配制而成的有机硅烘干绝缘漆。该漆为H级绝缘材料。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件。其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1250极限数值的表示方法和判定方法GB/T1723-1993涂料勃度测定法GB/T1725-19

5、790989)涂料固体含量测定法GB/T1728-19790989)漆膜、腻子膜干燥时间测定法GB/T1735漆膜耐热性测定法GB/T1736绝缘漆漆膜制备法GB/T1981-1989有溶剂绝缘漆试验方法GB3186涂料产品的取样(neqISO1512:1974)GB9278涂料试样状态调节和试验的温湿度(eqvISO3270:1984)GB/T9750涂料产品包装标志GB/T13491涂料包装通则HG/T2458-1993涂料产品检验、运输和贮存通则HG/T3330绝缘漆漆膜击穿强度测定法HG/T3331绝缘漆漆膜体积电阻系数和表面电阻系数测定法3产品分类产品分I型和II型两

6、类有机硅烘干绝缘漆。I型主要用于浸渍短期在2500C^300℃工作的电器线圈及长期在180'C-200℃运行的电机电器线圈。n型主要用于浸渍玻璃丝包线及玻璃布，也可用作半导体管保护层。4要求产品应符合表1中的技术要求。HG/T3375-2003表1技术要求指标项目工型0型原漆外观淡黄色至黄色或红褐色均匀液体，允许有乳白色，无机械杂质猫度(涂-4)/s固体含量/%)干燥时间(200士2)0C/h成25^6502。一’5--751.555耐热性(200士2)℃/200h通过试验击穿强度/(kV/mm))常态[(23士2)0C，相对湿度(50士5)%]热态(200士2)0C受潮[(2

7、3士2)'C燕馏水中浸24h后口体积电阻系数/(II·cm))常态[(23士2)`C，相对湿度(50士5)写〕一。一。热态(200士2)0C1火10"受潮[(23士2)'C蒸馏水中浸24h后]1X10"加热减量[(250士2)℃/3h]/%镇厚层干透性0}25一三胶合强度商定}一5试验方法5.1取样按GB3186规定进行。5.2试验的一般条件5.2.1试验环境试样的状态调节和试验的温湿度应符合GB9278的规定。5.2.2漆膜制备按GB/T1736浸渍法规定进行。底材为紫铜片，浸第一道漆后在