nrf24l01_学习笔记

《nrf24l01_学习笔记》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、按照如下方式在电路板上安排的管脚87654321各管脚如下定义：8.IRQ7.MISO6.MOSI5.SCK4.CSN3.CE2.VCC1.GND具体说明：3.CE芯片的模式控制线。在CSN为低的情况下，CE协同NRF24L01的CONFIG寄存器共同决定NRF24L01的状态（参照NRF24L01的状态机）。4.CSN为芯片的片选线CSN为低电平芯片工作5.SCK为芯片控制的时钟线(SPI时钟)6.MOSI为芯片控制数据线（Masteroutputslaveinput）主输出从输入7.MISO芯片控制数据线（Masterinputslaveoutput）master硕士主人船长slave从

2、属奴隶主输入从输出8.IRQ中断信号引脚。中断时变为低电平，即NRF24L01内部发生中断时IRQ引脚从高电平变为低电平。引脚会在以下三种情况变低：TxFIFO发完并且收到ACK（使能ACK情况下）、RxFIFO收到数据、达到最大重发次数。中断：nRF24L01的中断引脚（IRQ）为低电平触发，当状态寄存器中TX_DS（数据发送完成中断位）、RX_DR（接收数据中断位）或MAX_RT（达到最多次重发中断位）为高时触发中断。当MCU给中断源写‘1’时，中断引脚被禁止。可屏蔽中断可以被IRQ中断屏蔽。通过设置可屏蔽中断位为高，则中断响应被禁止。默认状态下所有的中断源是被禁止的。在写寄存器之前一定

3、要进入待机模式或掉电模式NRF24L01有以下工作模式：其工作模式又CE和寄存器内部PWR_UP、PRIM_RX共同控制，见下表：NRF24L01所处模式PWR_UP位状态PRIM_RX位状态CE引脚电平FIFO寄存器状态接收模式111-发送模式101数据在TXFIFO寄存器中发送模式101→0停留在发送模式，直至数据发送完待机模式II101TXFIFO为空待机模式I1-0无数据传输掉电模式0---PWR_UP和PRIM_RX在配置寄存器（CONFIG）中设置，配置寄存器如下：配置寄存器：寄存器地址:00名称：CONFIGCONFIG配置寄存器（配置NRF24L01一些工作方式）第7位第6位

4、（MASK_RX_DR）第5位（MASK_TX_DS）第4位（MASK_MAX_RT）第3位(EN_CRC)第2位(CRCO)第1位(PWR_UP)第0位（PRIM_RX）保留(未用)（MASK_RX_DR）可屏蔽中断RX_RD。1：IRQ引脚不显示RX_RD中断0：RX_RD中断产生时IRQ引脚电平为低（MASK_TX_DS）可屏蔽中断TX_DS。1：IRQ引脚不显示TX_DS中断0：TX_DS中断产生时IRQ引脚电平为低（MASK_MAX_RT）可屏蔽中断MAX_RT。1：IRQ引脚不显示TX_DS中断0：MAX_RT中断产生时IRQ引脚电平为低(EN_CRC)CRC使能。如果EN_AA

5、中任意一位为高则EN_CRC强迫为高。(CRCO)CRC模式。‘0’-8位CRC校验‘1’-16位CRC校验(PWR_UP)NRF24L01上电掉电模式设置位。1:上电0:掉电（PRIM_RX）NRF24L01接收、发射模式设置位。1:接收模式0:发射模式STATUS状态寄存器（反应nrf24l01当前工作的各种状态）第7位第6位（RX_DR）第5位（TX_DS）第4位第3位第2位第1位第0位保留(未用)（RX_DR）接收数据中断位。当接收到有效数据后置1。写‘1’清除中断（TX_DS）数据发送完成中断。当数据发送完成后产生中断。如果工作在自动应答模式下，只有当接收到应答信号后此位置1。写‘

6、1’清除中断。（MAX_RT）达到最多次重发中断。写‘1’清除中断。如果MAX_RT中断产生则必须清除后系统才能进行通讯（RX_P_NO）即接收数据通道号位。000-101:数据通道号、110:未使用、111:RXFIFO寄存器为空(TX_FULL)TXFIFO寄存器满标志。1:TXFIFO寄存器满。0:TXFIFO寄存器未满,有可用空间。5.1收发模式收发模式有EnhancedShockBurstTM收发模式、ShockBurstTM收发模式和直接收发模式三种，收发模式由器件配置字决定，具体配置将在器件配置部分详细介绍。5.1.1EnhancedShockBurstTM收发模式Enhanc

7、edShockBurstTM收发模式下，使用片内的先入先出堆栈区，数据低速从微控制器送入，但高速(1Mbps)发射，这样可以尽量节能，因此，使用低速的微控制器也能得到很高的射频数据发射速率。与射频协议相关的所有高速信号处理都在片内进行，这种做法有三大好处：尽量节能；低的系统费用(低速微处理器也能进行高速射频发射)；数据在空中停留时间短，抗干扰性高。EnhancedShockBurstTM技术同时也减小了整个系