GB∕T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法

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犐犆犛７７．０４０犆犆犛犎２１!"#$%&''()*犌犅／犜３２２８０—２０２２!"犌犅／犜３２２８０—２０１５#$%&'()&'*+,-./01234犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狑犪狉狆犪狀犱犫狅狑狅犳狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊—犃狌狋狅犿犪狋犲犱狀狅狀犮狅狀狋犪犮狋狊犮犪狀狀犻狀犵犿犲狋犺狅犱２０２２０３０９56２０２２１００１78'(+,-./01256'()*3/0456

1犌犅／犜３２２８０—２０２２前言本文件按照ＧＢ／Ｔ１．１—２０２０《标准化工作导则第１部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件代替ＧＢ／Ｔ３２２８０—２０１５《硅片翘曲度测试自动非接触扫描法》，与ＧＢ／Ｔ３２２８０—２０１５相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：ａ）更改了范围（见第１章，２０１５年版的第１章）；ｂ）增加了“弯曲度”的相关内容（见第１章、第４章、第６章、第９章、第１０章）；ｃ）增加了术语“参考片”（见３．２）；ｄ）增加了２ｍｍ×２ｍｍ的探头传感器尺寸（见７．３）；ｅ）删除了校准用参考片（见２０１５年版的８．２）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（ＳＡＣ／ＴＣ２０３／ＳＣ２）共同提出并归口。本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、合肥中南光电有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、浙江海纳半导体有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、开化县检验检测研究院、天津中环领先材料技术有限公司、义乌力迈新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。本文件主要起草人：孙燕、蔡丽艳、贺东江、李素青、王可胜、徐新华、张海英、王振国、潘金平、曹雁、楼春兰、张雪囡、皮坤林。本文件于２０１５年首次发布，本次为第一次修订。Ⅰ

2犌犅／犜３２２８０—２０２２硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法１范围本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。本文件适用于直径不小于５０ｍｍ，厚度不小于１００μｍ的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。２规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。ＧＢ／Ｔ６６１９硅片弯曲度测试方法ＧＢ／Ｔ６６２０硅片翘曲度非接触式测试方法ＧＢ／Ｔ１４２６４半导体材料术语ＧＢ／Ｔ１６５９６确定晶片坐标系规范３术语和定义ＧＢ／Ｔ１４２６４界定的以及下列术语和定义适用于本文件。３．１典型片狉犲狆狉犲狊犲狀狋犪狋犻狏犲狑犪犳犲狉利用翻转的方法进行重力校正的与被测晶片具有相同的标称直径、标称厚度、基准结构和结晶取向的代表性晶片。３．２参考片狉犲犳犲狉犲狀犮犲狑犪犳犲狉用以确定是否符合测试设备操作说明中重复性要求的标有翘曲度和弯曲度参数值的晶片。注：参数值是使用测试设备通过大量重复测试获得的平均值，或者是基于设备重复性研究的统计值。３．３翘曲度狑犪狉狆在质量合格区内，一个自由无夹持的晶片中位面相对参照平面的最大和最小距离之差。３．４弯曲度犫狅狑自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准面间的偏离。注：中位面基准面是由指定的小于晶片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。１

3犌犅／犜３２２８０—２０２２４方法原理将被测晶片放置在平坦、洁净的吸盘或晶片边缘夹持装置上，沿规定的图形在两个相对的探头之间运动，两个探头同时对晶片的上下表面进行扫描，获得一组晶片上下表面分别到最近的探头间的距离数据。对应扫描的每一点，得到一对犡和犢坐标相同的距离数值；成对的位移数值用于构造一个中位面，而在中位面上的重力效应的校正是通过从一个典型片测量值或理论值减去一个重力校正值得到的，也可以通过翻转晶片重复扫描进行校正。从合适的中位面构造一个最小二乘法基准面，计算每对测量点上的基准面偏离。翘曲度即为最大的正数和最小的负数间的代数差，弯曲度即为中心位置的中位面与晶片三点构成的基准面的代数差，而三点基准面是由被修正的中位面的特定点构成的。注：晶片的翘曲可能是由于晶片的上下表面不相同的应力造成的，所以不可能通过测量其中一个面确定翘曲度。中位面包含了向上、向下或两者都有的曲度，在某些情况下，中位面是平的，因此，翘曲度为零或正数值，弯曲度则是一个带正号或负号的数值。５试验条件除另有规定外，应在下列环境中进行测试：ａ）温度：２３℃±５℃；ｂ）湿度：不大于６５％；ｃ）根据要求选择，宜使用不低于ＧＢ／Ｔ２５９１５．１中６级洁净间；ｄ）防止震动及电磁干扰。６干扰因素６．１在扫描测试期间，任何探头间或探头沿测试轴的相对运动都会产生横向位置等效测试数据误差。晶片相对于探头测试轴的振动也会引入误差。为了使上述误差降低到最小，测试系统提供了特征分析及校正程序。设备内部的监控系统也可以用来校正重复和非重复的系统机械误差，如未能提供这样的校正可能会导致误差。６．２测试系统晶片夹持装置的差异可能引入测试差异。本测试方法允许使用不同的晶片夹持装置，相同的晶片在不同的晶片夹持装置中会得到不同的几何形状结果。６．３数据点的数量及其间距不同可能影响测试结果。６．４本方法不受晶片厚度及表面加工状态的影响。因设备具有一定的厚度测试（结合翘曲度和弯曲度）范围，无需调整即可满足要求。如果校准或被测晶片厚度超出测试范围，可能产生错误的结果。操作者可通过设备的超量程信号得知。６．５使用重力补偿时，被测晶片与用于重力补偿的晶片在直径、厚度、表面状态、晶向等各种方面的差别都可能引起重力补偿结果的差异。对于不同直径和厚度引起的重力补偿错误的预计见附录Ａ。如果被测晶片的晶向与用于重力补偿晶片的晶向不同，重力补偿引入的测量值与实际值偏差可达１５％。６．６重力可以改变晶片形状，本文件包含了几种消除重力影响的方法，包括典型片翻转的方法。实行重力补偿，不同的方法和不同的实施水平可能会得到不同的测试结果。６．７当使用典型片翻转的方法进行重力补偿时，典型片的翘曲度和弯曲度过大可能给测试结果带来影响。建议按照设备商推荐的要求进行。６．８选择基准面不同，得到的翘曲度和弯曲度的值可能不同。按ＧＢ／Ｔ６６２０和ＧＢ／Ｔ６６１９使用背表面３点作为基准面测试翘曲度和弯曲度，背表面作为基准面测试翘曲度和弯曲度的结果中包含了厚度２

4犌犅／犜３２２８０—２０２２差异。本方法使用中位面做基准面时，消除了这一影响，使用最小二乘法平面拟合基准面降低了三点平面计算参考点位置时选择不同点带来的差异。使用特殊的校准或补偿技术，可最大限度地减少重力造成的晶片畸变的影响。７仪器设备７．１晶片夹持装置，采用吸盘或晶片边缘夹持装置，该装置的类型和尺寸可由测试双方协商确定。７．２多轴传输系统，提供晶片夹持装置或探头在垂直于测试轴的几个方向的可控移动方式。该移动应允许在合格质量区内以指定的扫描方式收集数据，且可设定采样数据点的间距。７．３探头部件，带有一对非接触位移传感探头、探头支持装置和指示单元，如图１所示，且应满足下列要求：ａ）探头应能独立探测晶片的两个表面到距之最近探头的距离犪和犫；ｂ）将探头分别安装在晶片两面，并使两探头相对；ｃ）两探头同轴，且其共同轴为测试轴；ｄ）校准和测试时探头距离犇应保持不变；ｅ）位移分辨率应不大于１００ｎｍ；ｆ）典型的探头传感器尺寸为４ｍｍ×４ｍｍ或２ｍｍ×２ｍｍ，也可由测试双方确定；ｇ）数据指示分辨率应不大于１００ｎｍ。７．４采用典型片翻转或晶片翻转的重力补偿方法，测试应在同一位置进行，因此测试系统应在每个方向提供精确的定位。７．５控制系统，包括数据处理器及合适的软件。测试系统应具有程序输入及选择清单的功能，可以按照操作者设定的条件自动进行测试、数据处理，并根据操作者的设置数值对晶片分类。必要的计算应在设备系统内部自动完成，并可直接显示测试结果。７．６晶片传输系统，包括晶片的自动装载和分类功能。探头At/2D/2晶片DD/2b//2探头B测量轴标引序号说明：犪———探头Ａ与最近的晶片表面（晶片上表面）的距离；犫———探头Ｂ与最近的晶片表面（晶片下表面）的距离；犇———探头Ａ和探头Ｂ间的距离；狋———晶片厚度；犣ｍ———测量点上犣轴的中位面距离。图１探头部件示意图３

5犌犅／犜３２２８０—２０２２８试验步骤８．１参数设置８．１．１根据需要选择测试晶片的参数，例如：直径、晶片厚度、数据显示和输出方式等。８．１．２选择下列重力校正方法中的一种：ａ）翻转典型片的方法；ｂ）翻转晶片的方法；ｃ）理论模型的方法。８．１．３对自动测试设备，可进行基准面的选择，构成基准面的点应位于合格质量区内：ａ）最小二乘法拟合的基准面（ｂｆ）；ｂ）背表面３点拟合的基准面（３ｐ）。８．１．４通过规定边缘去除（ＥＥ）尺寸选择合格质量区（ＦＱＡ）。８．２校准８．２．１用翘曲度不大于２０μｍ且弯曲度不大于１０μｍ的参考片确定由测试设备测得的翘曲度与参考片翘曲度间的一致程度，二者之间的偏差Δｗａｒｐ的可接受水平由供需双方协商确定。Δｗａｒｐ按公式（１）计算：Δｗａｒｐ＝ｗａｒｐｒｅｆｅｒｅｎｃｅ－ｗａｒｐｓａｍｐｌｅ…………………………（１）式中：Δｗａｒｐ———测试晶片翘曲度与参考片翘曲度之间的偏差，单位为微米（μｍ）；ｗａｒｐｒｅｆｅｒｅｎｃｅ———参考片的翘曲度，单位为微米（μｍ）；ｗａｒｐｓａｍｐｌｅ———测试晶片的翘曲度，单位为微米（μｍ）。注：如果测试设备也用来测试其他参数，如除翘曲度外还测试平整度和厚度变化，参考片的翘曲度值可以被列入由ＧＢ／Ｔ２９５０７指定的参考片的系列数据中。８．２．２执行一个校准设备的测量因子和其他常数的程序设置。如果使用翻转典型片的方法校正重力，校准过程也确定了设备的机械信号和晶片上的重力效果，建议使用设备商推荐的校准方法对设备进行校准。８．３测试将测试晶片正表面朝上放入测试设备进行测试，确定和记录每个测量点两探头间的距离及每个探头到最近的晶片表面的距离犪和犫。根据事先确定的翻转晶片或者典型片的方法，对中位面进行重力校正，使用最小二乘法对扫描的所有测量点数据拟合构建一个中立补偿的中位面作为基准面，由此计算晶片的翘曲度和弯曲度。９试验数据处理９．１测试结果的计算通常由设备系统内部自动完成，为显示完整的计算程序，以下提供离线计算过程。９．２沿扫描路径间距测量两个探头间和每个探头到最近的晶片表面的一对距离数据。９．３设定犣轴原点在两个探头Ａ和Ｂ的中点。９．４找出晶片每一测量点上犣轴的中位面距离犣ｍ，犣ｍ按公式（２）或公式（３）计算：犣ｍ＝犇２－犪－狋２…………………………（２）４

6犌犅／犜３２２８０—２０２２犣ｍ＝－犇２＋犫＋狋２…………………………（３）公式（２）与公式（３）相加，得到公式（４）、公式（５）：２犣ｍ＝犇２－犪－狋２－犇２＋犫＋狋２…………………………（４）犣ｍ＝犫－２犪…………………………（５）式中：犣ｍ———测量点上犣轴的中位面距离，单位为微米（μｍ）；犇———探头Ａ和Ｂ间的距离，单位为微米（μｍ）；犪———探头Ａ与最近的晶片表面（晶片上表面）的距离，单位为微米（μｍ）；犫———探头Ｂ与最近的晶片表面（晶片下表面）的距离，单位为微米（μｍ）；狋———晶片厚度，单位为微米（μｍ）。９．５晶片正表面朝上时的测量值称为中位点犣ｎｏｒ。９．６翻转晶片，即晶片背表面朝上时的测量值称为中位点犣ｉｎｖ。９．７对使用典型片或晶片翻转方法，对中位面进行重力校正，可得犣ｇｒａｖｉｔｙ，按公式（６）计算：犣ｇｒａｖｉｔｙ＝犣ｎｏｒ２＋犣ｉｎｖ…………………………（６）式中：犣ｇｒａｖｉｔｙ———重力校正后的中位面距离，单位为微米（μｍ）。注：犣ｇｒａｖｉｔｙ是典型片的形状效果记忆抵消了重力的影响，因此它是重力校正后的测量值。９．８确定中位面的重力补偿方法如下：ａ）利用翻转典型片的方法抵消重力影响后被测晶片的测量值犣ｃｏｍ按公式（７）计算。犣ｃｏｍ＝犣ｎｏｒ－犣ｇｒａｖｉｔｙ＝犣ｎｏｒ２－犣ｉｎｖ…………………………（７）式中：犣ｃｏｍ———利用翻转典型片的方法抵消重力影响后被测晶片的测量值，单位为微米（μｍ）。注：翻转典型片方法不仅与一阶重力影响有关，也与其他影响因素有关，如晶片边缘轮廓、形貌及机械参数特性等，这些可能影响测量值。ｂ）翻转晶片的方法，从每个测量点的犣ｎｏｒ值减去重力校正后的中位面距离犣ｇｒａｖｉｔｙ，相当于将翻转前后每点的测量值取差值。ｃ）理论模型的方法，应用理论模型得到重力校正，近似的校正可参考附录Ａ计算。９．９使用最小二乘法对扫描的所有测量点数据拟合构建一个重力补偿的中位面作为基准面，基准面犣ｒｅｆ的计算见公式（８）：犣ｒｅｆ＝犪Ｒ狓＋犫Ｒ狔＋犮Ｒ…………………………（８）式中，犪Ｒ、犫Ｒ、犮Ｒ为常数，选择犪Ｒ、犫Ｒ、犮Ｒ常数值，使公式（９）的数值最小：［犣２∑ｃｏｍ（狓，狔）－（犪Ｒ狓＋犫Ｒ狔＋犮Ｒ）］…………………………（９）狓，狔９．１０扫描路径中所有点的犣ｃｏｍ基准面偏差ＲＰＤ按公式（１０）计算：ＲＰＤ＝犣ｃｏｍ－犣ｒｅｆ…………………………（１０）９．１１晶片翘曲度ｗａｒｐ按公式（１１）计算：ｗａｒｐ＝ＲＰＤｍａｘ－ＲＰＤｍｉｎ…………………………（１１）式中：ＲＰＤｍａｘ———犣ｃｏｍ基准面偏差ＲＰＤ的最大值（最正）；５

7６１０９．１８标准偏差、值９．１７９．１６９．１５标按公式９．１４基准面时ＧＢ在９．１３９．１２犌犅犜／单个实验室使用四台不同型号的非接触全自动扫描设备精密度记录晶片测量标准偏差和其他测试双方约定的测量数据对仲裁或其他测量记录计算弯曲度的值ｒｅｆ３狕ｃｏｍ狕式中晶片的弯曲度Ｒ３犪ｒｅｆ３狕式中通过在扫描模式中最接近三点的重力补偿中位面数据犱：注ｎ犱ｎｏｍ狉ｐ３狉式中Ｔ１６５９６／以三点位置作为基准面计算弯曲度时记录计算翘曲度的值ＲＰＤ３２２８０００（，００（，：Ｒ３犫、：１３（ｎ—————————：点的半径值，ｍｉｎ平均值、）———）———犮、计算）通常选用晶片半径距离边缘的距离晶片的标称半径以三点做基准面时————Ｒ３２０２２确定的坐标系中犣修正后晶片中心点基准面的指标晶片中心点的中位面坐标——————：６ｍｍｃｏｍ。，按公式常数值三点作基准面的坐标狉基准面偏差，晶片被测量次数大于一次时。ｐ３按公式。１４（。单位为毫米，。）计算点的半径，１２（晶片的主基准面是在，ＲＰＤｂｏｗ图计算）：狕２单位为毫米，的最小值＝ｒｅｆ３ｍｍ（狉：；ｃｏｍ狕；＝构成基准面三点的角度单位为毫米，这三点位于，犪ｐ３０（）Ｒ３狓）；＝狉最负（。０，＋参考面主基准轴多。ｍｍ（ｎｏｍ－犫[110]±1.0。舞I－）。，计算被测晶片在所有测量范围的最大值狕Ｒ３狔）。ｍｍ（犱２７０°ｒｅｆ３＋ｎ见图（ＧＢ包含了不同探头尺寸（０（）犮建立一个三点基准面，）；Ｔ１６５９６／。０，Ｒ３２）。这些点是在同一半径坐标系中的…………………………（…………………………（…………………………（选择不同参考面以、三点作基准面的坐，９０°２１０°、以三点做，和３３０°、最小１４１３１２而，）））

8犌犅／犜３２２８０—２０２２及不同的取样间距和不同的设备精度），对直径２００ｍｍ、翘曲度范围１２μｍ～７２μｍ的１０片硅片进行了每片３次的重复性测试，同一硅片在同一基准面测试的标准偏差＜１．５μｍ。使用八台不同型号的非接触全自动扫描设备（包含了不同探头尺寸、选择不同参考面以及不同的取样间距和不同的设备精度），对直径１５０ｍｍ、翘曲度范围３μｍ～１４μｍ、弯曲度范围－７μｍ～７μｍ的１０片硅片进行了每片１０次的重复性测试，同一硅片在同一基准面测试的标准偏差＜１．４μｍ，同一硅片在同一基准面测试的翘曲度最大差值＜６μｍ，测试的弯曲度最大差值＜６μｍ。对１４片直径１５０ｍｍ、翘曲度范围５μｍ～４７μｍ的硅单晶抛光片，在４家实验室进行巡回测试，测试时使用不同的典型片和参考片进行校准和修正。同一硅单晶抛光片翘曲度测试的标准偏差＜１．８μｍ，最大差值＜４μｍ。对１４片直径１５０ｍｍ、弯曲度范围１μｍ～１４μｍ的硅单晶抛光片，在３家实验室进行巡回测试，测试时使用不同的典型片和参考片进行校准和修正。同一硅单晶抛光片弯曲度测试的标准偏差＜０．３μｍ，最大差值＜０．５μｍ。ＳＥＭＩＭＦ１３９０１０１４中翘曲度测试的精密度见附录Ｂ。１１试验报告试验报告应包含以下内容：ａ）测试日期、时间；ｂ）测试环境；ｃ）操作者；ｄ）测试实验室；ｅ）测试设备，包括晶片夹持装置的类型、数据点间距、重力修正方法；ｆ）测试晶片信息，包括晶片编号、直径、标称厚度、标称边缘去除（ＥＥ）；ｇ）翘曲度和弯曲度测试结果；ｈ）如作为仲裁测试，试验报告应包含测试晶片的翘曲度和弯曲度的标准偏差、测试统计信息以及测试双方约定的内容；ｉ）本文件编号。７

9犌犅／犜３２２８０—２０２２附录犃（资料性）典型片和被测晶片间由于直径和厚度的差异带来的测量误差犃．１支撑硅片的中心，边缘由于重力下垂或倾斜引起的偏差按公式（Ａ．１）计算：狊＝（３×１０８）犽犵犱犇４犓犇４…………………………（Ａ．１）３２犈狋２＝狋２式中：狊———偏差，单位为微米（μｍ）；犽———几何常数（０．５８５４）；犵———重力加速度（９８０ｃｍ／ｓ２）；犱———硅片密度（２．３２９ｇ／ｃｍ３）；犇———硅片标称直径，单位为毫米（ｍｍ）；犈———杨氏模量，１．６×１０１２达因／ｃｍ２；狋———硅片标称厚度，单位为微米（μｍ）；犓———比例常数，７．８３×１０－３μｍ３／ｍｍ４。犃．２表Ａ．１给出了ＳＥＭＩＭ１０２１５中１００ｍｍ～３００ｍｍ的标称直径和厚度的硅片由于地球引力引入的下垂估计值。表犃．１１００犿犿～３００犿犿标称直径和厚度的硅片的下垂估计值直径厚度下垂估计值ｍｍμｍμｍ３００７７５１０５．６２００７２５２３．８１５０６７５８．７１５０６２５１０．１１２５６２５４．９１００５２５２．８表Ａ．２给出了重力影响下直径和厚度的标称值的微小相对变化。重力引起的直径的变化按公式（Ａ．２）计算：狊４犓犇３…………………………（Ａ．２）犇＝狋２重力引起的厚度的相对变化按公式（Ａ．３）计算：狊２犓犇４…………………………（Ａ．３）狋＝－狋３由公式（Ａ．４）得到重力效应的相对变化是直径相对变化的４倍，由公式（Ａ．５）得到重力效应的相对变化是厚度相对变化的２倍。狊犇…………………………（Ａ．４）狊＝４犇狊狋…………………………（Ａ．５）狊＝－２狋８

10犌犅／犜３２２８０—２０２２表Ａ．２～表Ａ．６给出了极端情况下，１００ｍｍ～３００ｍｍ标称直径硅片的直径和厚度的允许偏差范围内重力效应的误差。表犃．２３００犿犿标称直径不同厚度硅片的重力引入误差示例３００ｍｍ直径允许偏差范围内的重力引入误差厚度μｍμｍ２９９．８ｍｍ３００．０ｍｍ３００．２ｍｍ７５５３．９０５．６７５．９６７７５－１．６８０．０００．２８７９５－６．８４－５．２５－４．９８表犃．３２００犿犿标称直径不同厚度硅片的重力引入误差示例２００ｍｍ直径允许偏差范围内的重力引入误差厚度μｍμｍ１９９．８ｍｍ２００．０ｍｍ２００．２ｍｍ７０５０．７７１．３７１．４７７２５－０．５７０．０００．１０７４５－０．５２－１．２６－１．１７表犃．４１５０犿犿标称直径不同厚度硅片的重力引入误差示例１５０ｍｍ直径允许偏差范围内的重力引入误差厚度μｍμｍ１４９．８ｍｍ１５０．０ｍｍ１５０．２ｍｍ６５５０．４９０．５４０．５９６７５－０．０５０．０００．０５６９５－０．５４－０．４９－０．４５６１０－０．４５０．５１０．５６６２５－０．０５０．０００．０５６４０－０．５２－０．４７－０．４２表犃．５１２５犿犿标称直径不同厚度硅片的重力引入误差示例１２５０ｍｍ直径允许偏差范围内的重力引入误差厚度μｍμｍ１２４．５ｍｍ１２５．０ｍｍ１２５．５ｍｍ６０５０．２５０．３３０．４１６２５－０．０８０．０００．０８６４５－０．３７－０．３０－０．２２９

11犌犅／犜３２２８０—２０２２表犃．６１００犿犿标称直径不同厚度硅片的重力引入误差示例１００ｍｍ直径允许偏差范围内的重力引入误差厚度μｍμｍ９９．５ｍｍ１００．０ｍｍ１００．５ｍｍ５０５０．１７０．２３０．２９５２５－０．０６０．０００．０６５４５－０．２６－０．２０－０．１５１０

12犌犅／犜３２２８０—２０２２附录犅（资料性）犛犈犕犐犕犉１３９０１０１４中翘曲度测试的精密度犅．１测试中２３个直径２００ｍｍ的圆形硅抛光片，是采用三种不同的工艺过程进行加工的，且所有硅片正表面都是裸片，其中两种工艺过程加工的硅片背表面也是裸片，另一种工艺过程加工的硅片背表面有氧化层。犅．２在８个实验室完成上述２３片硅片翘曲度的测量，硅片的翘曲度测量值范围见表Ｂ．１。这２３片硅片，每片都在同一天在自动测量系统上连续测量了３次（盒对盒３次）。犅．３所有测量数据都是在边缘去除３ｍｍ的要求下获得的。犅．４ＳＥＭＩＭＦ１３９０１０１４中确定精密度的实验室和样品的最小数目按ＡＳＴＭＥ６９１的规定进行。犅．５统计是在９５％包含区间范围对同一样品进行两次测量做出的，实验室内部的重复性和实验室之间的再现性见表Ｂ．１。犅．６图Ｂ．１给出了相对翘曲度平均值的实验室内部重复性（狉）和实验室间再现性（犚）。表犅．１翘曲度测量值范围参数翘曲度平均值最小值４．３０μｍ最大值３１．２５重复性（狉）最小值０．１８４μｍ最大值０．６９５再现性（犚）最小值１．１１２μｍ最大值２．０９７2.5□再现性2.0-m□□□□′5.1.5■□Q□1.0-©o重复性0.5-©tsr©0.0-51015202530平均warp/jam图犅．１翘曲度平均值的重复性、再现性

13犌犅／犜３２２８０—２０２２２２０２—０８２２３参考文献［１］ＧＢ／Ｔ２５９１５．１洁净室及相关受控环境第１部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级／犜［２］ＧＢ／Ｔ２９５０７硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法犅犌［３］ＡＳＴＭＥ６９１Ｐｒａｃｔｉｃｅｆｏｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｉｎｔｅｒｌａｂｏｒａｔｏｒｙｓｔｕｄｙｔｏｄｅｔｅｒｍｉｎｅｔｈｅｐｒｅｃｉｓｉｏｎｏｆａｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄ［４］ＳＥＭＩＭＦ１３９０１０１４Ｔｅｓｔｍｅａｓｕｒｉｎｇｂｏｗａｎｄｗａｒｐｏｎｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｂｙａｕｔｏｍａｔｅｄｎｏｎｃｏｎｔａｃｔｓｃａｎｎｉｎｇ［５］ＳＥＭＩＭ１０２１５Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｆｏｒｐｏｌｉｓｈｅｄｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ版权专有侵权必究书号：１５５０６６·１６９７７０定价：２２．００元