集成电路设计答案 王志功版

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1、第一章1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。4．

2、集成电路设计需要哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识第二章1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2．GaAs和InP材料各有哪些特点?P10,113．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P135．列出你知道的异质半导体材料系统。GaAs/AlGaAs,InP/InGaAs,Si/SiGe,6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者

3、晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7.肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。8.简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21第三章1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,293．写出光

4、刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？X射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高1．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种

5、类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。干氧湿氧第四章1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.12．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。3.什么是MOS工艺的特征尺寸？工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。4.为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（MASKSTEP），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：

6、自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。5.为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？因为电子的迁移率大于空穴的迁移率6．简述CMOS工艺的基本工艺流程。P.527．常规N-WellCMOS工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？P50表4.3第五章1．说出MOSFET的基本结构。MOSFET由两个PN结和一个MOS电容组成。2．写出MOSFET的基本电流方程。3．MOSFET的饱和电流取决于哪些参数？饱和电流取决于栅极宽度W，栅极长度L，栅-源之间压降，阈值电压，氧化层厚度，氧化层介电常数4．为什么说MOSFET是平方率器件？因

7、为MOSFET的饱和电流具有平方特性5．什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响？阈值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响1．什么是MOS器件的体效应？由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。2．说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。P70，713．MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响?不变，器件占用面