光电技术模拟题和答案

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1、学院、系专业班级学号姓名······························密································封·······························线···································山东轻工业学院2013/2014学年第一学期《光电测试技术》模拟试卷（第一卷附答案）（本试卷共4页）题号一二三四五总分得分得分阅卷人一、单项选择（本题满分20分，每小题2分）1、下列器件中，可作为恒压源的是A。A．光电池B．光电二极管C．光电三极管

2、D．光敏电阻2、下列器件中，运用外光电效应的是A。A．光电倍增管B．光电池C．光电二极管D．光敏电阻3、在给定λ1～λ2波长范围内，某一辐射源发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比称为A。A．辐射效率B．发光效率C．光谱功率D．空间光强4、光电倍增管中，产生二次电子发射的是C。A．阴极B．阳极C．倍增极D．玻璃窗5、光照一定，短路电流与入射光波长的关系，是光电池的C特性。A．频率B．伏安C．光谱D．温度6、在发光二极管中，产生发光的部位是C。A．P区B．N区C．结区D．都可能7、充气白炽灯主要充入B。A．氢气B．氮C．

3、氖气D．氪气8、光纤传感器的光源不包括D。A．激光二极管B．发光二极管C．白炽灯D．光电二极管9、下列器件中，属于受激发射的是B。A．发光二极管B．激光二极管C．电荷耦合器件D．光电倍增管10、光电二极管光电流的大小主要取决于A。1学院、系专业班级学号姓名······························密································封·······························线···································A．光照强度B．

4、偏压大小C．负载D．温度得分阅卷人二、判断题（正确的在题后的括号内打√，错误的在题后的括号内打×。本题满分10分，每小题1分）1、在光线的作用下，半导体表面发出电子的现象是外光电效应。（√）2、为了提高光的利用率，一般选择发光强度高的方向作为照明方向。（√）3、辐射强度是指光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量。（√）4、光电三极管的增益比光电二极管高。（×）5、光度量只在可见光区（380~780nm)才有意义。（√）6、物体的光谱发射率总等于其光谱吸收比。即强吸收体必然是强发射体。（√）7、雪崩光电二极管（APD）是目前响

5、应最快的一种光电二极管。（√）8、绝对黑体能发射所有波长的辐射。（√）9、光电二极管工作于反向偏置条件下，也可用在零偏置状态。（√）10、产生激光的必要条件是：工作物质、谐振腔和泵浦源。（×）得分阅卷人三、名词解释（本题满分20分，每小题5分）1、绝对黑体：在任意温度条件下，对任何波长的入射辐射能的吸收比等于1的物体叫做绝对黑体，或简称黑体。2、光电效应：光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性发生改变的现象统称为光电效应。3、光电耦合器件：光电耦合器件是发光器件与接收器

6、件组合的一种元件，以光作媒介把输入端的电信号耦合到输出端。4、光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属-半导体接触面时，会在PN结或金属-3学院、系专业班级学号姓名······························密································封·······························线···································半导体接触的两侧产生光生电动势，这种现象叫做光生伏特效应。得分阅卷人四、问答题（本题满分20分）1、（8分）简

7、述辐射度量与光度量的根本区别。光度量和辐射度量的定义、定义方程是一一对应的，光度量只在可见光区（380－780nm)才有意义。2、（12分）简述自发辐射、受激吸收、受激辐射三个过程的基本特征。自发辐射： 处于激发态E2上的原子，从E2能级跃迁到E1能级，根据能量守恒原理，同时辐射出一个光子。受激吸收：处于低能级E1上的原子在一个光子的作用下，吸收其而从低能级跃迁到激发态E2上。受激辐射：处于激发态E2上的原子，在外界一个光子的作用下，从E2能级跃迁到E1能级，根据能量守恒原理，同时辐射出两个同样的光子（即外界光通过这种方式放大了

8、）。得分阅卷人五、计算分析题（本题满分30分）1、（10分）一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5米的高处，在其正下方放置一个照度计探头，测得照度为30lx，求该白炽灯的光通量及照度计的光敏面积。解：（1）·····2分由于，则·····4分（2）由于