氰化镀银电镀工艺

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1、氰化镀银电镀工艺   OTSTARAG推荐配方OTSTARAG ABRIGHTNER1)OTSTARA银光亮粉，4.5-6.5G/L 最佳5G/L2)化学纯氢氧化钾            80-100G/L最佳90G/L3）OTSTAR B 银光亮粉 0-10G/L  最佳 5G/L 4)化学纯硫酸钾10-25G/L  最佳 18.5G/LBALANCE 去离子水配制程序，先加入50%体积含量的去离子水，然后逐渐加入2）溶液开始放热，保持温度70-80C                加入3)溶解完全后再

2、加入4)完全溶解后再加入1）充分搅拌2个小时至完全溶解用去离子水补足体积。OTSTARAGBCARRIER1）OTSTARB 银光亮粉60-100G/L 最佳100G/L2)去离子水BALANCE.   OTSTAR AG光亮镀银工艺 一．工艺特点    1．为非金属光亮剂，镀层厚度可达100μm，且表面光亮如镜；    2．镀层光亮柔软，经防银变色剂处理后，抗变色性能好，可焊性好。贮存一年以       上，镀层几乎不变色，可焊性也良好；    3．镀层纯度高，极适用于电器和电子工业，如可分离连接器、重

3、型触点、插头和       插座、高频元件；    4.镀层导电性能好，接触电阻小，而且耐磨； 5.镀层的光亮区较宽，低电流密度区也能获得满意的光亮度； 6.操作简单，镀液性能稳定，可以在镍层、青铜和黄铜等铜基体上电镀，适用于   挂镀及滚镀； 7.经济效益显著，由于镀银后不需要浸亮处理，镀层厚度可以减薄； 8.电流密度高，沉积速度快，生产效率明显提高。二．镀层特性     纯度                            99.9% 硬度                            

4、100~130Vickers 镀层密度                        105／μm·dm2 阴极效率                        67mg/A·min 镀1μm所需时间：1A/dm2               1.5min10A/dm2              9.5sec100A/dm2             0.95sec三．所需设备    镀槽                PYREX、PTFE、PP、PVC及聚乙炔等纤维制造 冷却及加热          可

5、用不锈钢、陶瓷、钛或PTFE等加热笔或冷却管 过滤                使用PP滤芯连续过滤，滤芯使用前必须在80~90℃的KOH                     (20g/L）浸洗一小时，彻底冲洗后方可使用。 整流器              波纹系数≤3％，应配有电压、电流表和精密电流连续控                     制，推荐使用安安分计。 阳极                最佳的效果是放在钛篮的银角。通常用阳极袋包裹的高纯                      

6、  度银板、不锈钢或白金钛网均可作阳极使用。阳极与阴极                     比率≥1:l。 搅拌                   视应用情况，阴极移动及温和机械搅拌皆可，不能使用空气搅拌。 抽气系统               如操作温度高或阴极电流密度高，必须设有抽气系统以减少气雾。四．镀液成份功能和操作参数 银              以氰化银钾形式存在，其含量越高，可达到的电流密度越高。                 一般阳极溶解作补充或添加氰化银钾维持银含量。 氰化钾 

7、         与银形成络合物，有助于提高镀液的导电性和均镀能力，可帮                 助银阳极溶解。如游离氰化钾含量偏低，会发生阳极钝化及低                 区发雾。如使用不溶性阳极，则氰化钾会在阳极区消耗，当电                 流密度及温度更高时，氰化钾的消耗会更高。 氢氧化钾        用以保持pH在12.0以上，抑制氰化物分解及帮助阳极溶解。                 当使用不溶解阳极时，所产生之二氧化碳能使氢氧化钾转变成        

8、         碳酸钾。分析和定期检查pH，来控制氢氧化钾的含量。 添加剂A及B   两种光剂互相配合而产生最佳效果。OTSTARAG A是增光                  剂，使镀层产生镜面效果，电镀过程中损耗；OTSTAR AG B                     是结晶细化剂，通常只通过带出损失。 温度            对最大电流密度有直接影响。较高的温度可允许使用较高的电