GBT 26641-2011 无损检测 磁记忆检测 总则

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1、ICS19.100J04a亘中。华人民共和国国家标准GB/T26641—2011无损检测磁记忆检测总则Non-destructivetesting--Magneticmemorytesting--Generalprinciples2011-06-16发布2012-03-01实施宰瞀鹞鬻瓣警麟瞥霎发布中国国家标准化管理委员会促19前言GB/T26641--2011本标准按照GB/T1_1—2009给出的规则起草。本标准由全国无损检测标准化技术委员会(sAc/Tc56)归口。本标准起草单位:中国特种设备检测研究院、爱德森(厦门)电子有限公司、清华大学

2、、北京工业大学、北京航空材料研究院、北京航空航天大学、华北电力科学研究院、上海泰司检测科技有限公司J二海材料研究所。本标准主要起草人:沈功田、胡斌、陈钢、林俊明、李路明、张亦良、高广兴、徐可北、雷银照、胡先龙、金宇飞。1范围无损检测磁记忆检测总则GB/T26641—2011本标准规定了对铁磁性金属材料、构件及焊缝进行磁记忆检测的一般原则。奥氏体不锈钢构件和焊缝在一定条件下具有磁性,也可参考本标准进行磁记忆检测。本标准为有关具体产品、设备、材料的磁记忆检测标准或书面作业指导书的制定提供指南。除有特殊规定外,本标准的内容为最低要求。2规范性引用文件下

3、列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T9445无损检测人员资格鉴定与认证(ISO9712)GB/T12604.6无损检测术语涡流检测GB/T12604.10无损检测术语磁记忆检测3术语和定义GB/T12604.6和GB/T12604.10界定的术语和定义适用于本文件。4人员资格采用本标准进行检测的人员应按GB/T9445的要求或有关主管部门的规定取得相应无损检测人员资格鉴定机构颁发或认可的涡流或电磁检测等级资格证书,从事相应

4、资格等级规定的检测工作。5方法概要5.1磁记忆现象在弱磁场环境中,铁磁性金属材料在外界环境因素(如:载荷、温度、机械加工或碰撞等)作用下,在局部区域产生不可逆的残余磁性现象,表现为在该外界环境因素去除后,铁磁性材料表面的局部磁场变化仍然保留。5.2磁记忆检测原理在不施加人工激励磁场的条件下,采用传感器测量被检件的表面磁场分布,通过获得磁场突变信号来发现被检件上可能存在的应力集中、材料劣化或材料损伤部位。图1为磁记忆检测原理示意图。通过传感器扫查被检件表面磁场来获取磁场分量(常用法向分量,也可为多维分量)的变化,经过适当的数据处理和分析,来发现被检

5、件上存在的损伤或应力集中区域。GB/T26641—201146说明:1——被检件{2——损伤或应力集中区域;3——传感器}4——放大器;5——表面磁场分布;6——表面磁场法线分量输出的磁记忆信号。图1磁记忆检测原理示意图图2为常见的三种典型基于横轴位移扫描的磁记忆信号。实际构件的磁记忆信号多为图2所示三种典型磁记忆信号的叠加。2a)环境磁场信号b)缓慢变化磁记忆信号图2典型磁记忆信号舟c)磁记忆突变信号圈2(续)5.3特点磁记忆检测方法的特点及优点:a)对应力集中和早期损伤敏感;b)检测仪器轻便,不需要专门的磁化设备;c)可带涂层或非接触检测;d

6、)不需要对被检件表面进行特殊处理;e)对被检件的形状没有特殊要求;f)检测速度快,操作简单。5.4局限性磁记忆检测的局限性:a)不适用于非铁磁性材料;b)难以确定材料内缺陷的性质和尺寸;c)易受人工磁化影响。6磁记忆检测方法的应用6.1检测时机检测时机选择;a)制造过程检测;b)在役检测;c)在线检测与监测。6.2主要用途磁记忆检测可用于:a)应力集中区域的检测及评价;b)早期损伤区域的探测}c)疲劳裂纹的检测;d)焊接缺陷可能存在区域的检测。CB/T26641—2011GB/T26641—20117检测前的准备7.1基本信息的获取在进行检测前,

7、需要通过资料审查和现场实地考察获取一些基本信息,应至少包括如下内容a)检测人员的资格;b)检测计划;c)检测仪器设备及性能;d)传感器类型及最大提离值;e)仪器校准状态;f)被检件的磁化历史和目前状态;g)被检件的温度、腐蚀和组织的不均匀状态;h)被检件的应力和残余应力大小及方向估计;i)被检件的表面状态、涂层类型和厚度;j)被检件的母材的材质;k)被检件焊缝的位置和范屡;1)被检件的焊缝焊接型式、表面几何形状和填充金属的种类;m)其他有助于检测信号分析的信息;n)不可接受信号的处理;o)验收准则;p)检测记录表格和报告格式。7.2检测表面条件要

8、求被检件表面不允许有磁屏蔽材料涂层或包覆层,无磁性包覆层的最大允许厚度由试验方法及检测仪器的灵敏度确定,厚度5mm以上的包覆层建议剥离。

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