什么是MOS管-MOS管结构原理图解.docx

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1、什么是MOSt-MOS管结构原理图解作者:日期:什么是MOS管？MOS管结构原理图解增强型：VGS=0寸，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD;耗尽型：VGS=0寸，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1、结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。DD昭迈箭头同里F材底衬底斯开Bdiai'igoii*ctiin其他MOSf符号耗尽型N沟道2、工作原理(以N沟道增强型为例)(IPN结PPN结反

2、偏,(1)VGS=O时，不管VDS极性如何，其中总有一个所以不存在导电沟道。VGS=0ID=07VGS必须大于0管子才能工作。Vds—-«HS

3、V-__j1亠

4、[JLIPN结P(11aiwoilcon(1)VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。VGS>0Tg吸引电子t反型层t导电沟道VGS—反型层变厚—VDSf—IDf(2)VGS>VT时而VDS较小时：VDST—ID

5、f7VT:开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGSVT=VGS—VDS―TH"sVgsgd[N厂1N]PN结7⑷VGS>O且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。VDST—ID不变3、特性曲线(以N沟道增强型为例)放：大Z5Vb预夹端轨迹ci口£訂11,€)10场效应管的转移特性曲线动画如=-1)2Go是W話=2Vy•时购｛口迫叽w唧，ulanaon..com4、其它类型MOSf(1)N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在VGS=0寸，由于正离子的作用，

6、两个N区之间存在导电沟766d2VDSIdIVgsI■衬底8(3)P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子2n,com⑵P沟道增强型：VGS=0时，ID=0开启电压小于零，所以aIan^on.comPN结只有当VGS&It;0时管子才能工作。]\vgsy—T11~0~r-4-2022LJLJPN结N道(类似结型场效应管)。fl放区L去H区

7、1J>4所以即使在VGS=O时，由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)rLJTLnPN结NVdVgs4►5、场效应管的主要参数(1)

8、开启电压VT:在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小

9、VGS

10、值。(增强)(2)夹断电压VP:在VDS为一固定数值时，使ID对应一微小电流时的

11、VGS

12、值。(耗尽)(3)饱和漏极电流IDSS:在VGS=0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)(4)极间电容：漏源电容CDS约为0.1〜1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD勺为1〜3pF。(5)低频跨导gm:表示VGS对iD的控制作用。11在转移特性曲线上，gm是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为S或mS。(1)最大漏极电流I

13、DM(2)最大漏极耗散功率PDM(3)漏源击穿电压V(BR)DS栅源击穿电压V(BR)GS。11