最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt

最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt

ID:62257188

大小:1.95 MB

页数:42页

时间:2021-04-23

最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt_第1页
最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt_第2页
最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt_第3页
最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt_第4页
最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt_第5页
资源描述:

《最新2.2三极管讲解课件ppt.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、2.2三极管讲解晶体三极管样图基本元件--三极管2基区:最薄,掺杂浓度最低发射区:掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点:集电区:面积最大基本元件--三极管3(3)当IB=0(将基极开路)时,IC=ICEO,表中ICEO<0.001mA=1A。(4)要使晶体管起放大作用,发射结必须正向偏置,发射区才可向基区发射电子;而集电结必须反向偏置,集电区才可收集从发射区发射过来的电子。下图给出了起放大作用时NPN型和PNP型晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性。+UBEICIEIBCTEB+UCENPN型晶体管+UBEIBIEIC

2、CTEB+UCEPNP型晶体管7特性曲线1.输入特性曲线对于NPN型三极管应满足:UBE>0UBC<0即VC>VB>VE对于PNP型三极管应满足:UEB>0UCB<0即VC

3、流IC与集—射极电压UCE之间的关系曲线IC=f(UCE)。在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。晶体管有三种工作状态,因而输出特性分为三个工作区(1)放大区输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区,。放大区也称为线性区,因为IC和IB成正比的关系。对NPN型管而言,应使UBE>0,UBC<0,此时,UCE>UBE。IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O36943212.31.5放大区饱和区9饱和区截止区(2)截止区IB=0的曲线以下的区域称为截止区。IB=0时,IC=ICEO(很小)。对NPN型硅

4、管,当UBE<0.5V时,即已开始截止,但为了使晶体管可靠截止,常使UBE0,截止时集电结也处于反向偏置(UBC<0),此时,IC0,UCEUCC。(3)饱和区当UCE0),晶体管工作于饱和状态。在饱和区,IC和IB不成正比。此时,发射结也处于正向偏置,UCE0,ICUCC/RC。IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O3691243212.31.5放大区10当晶体管饱和时,UCE0,发射极与集电极之间如同一个开关的接通,其间电阻很小;当晶体管截止时,IC0,发射极与集电极之间如同一

5、个开关的断开,其间电阻很大,可见,晶体管除了有放大作用外,还有开关作用。晶体管的三种工作状态如下图所示+UBE>0ICIB+UCE(a)放大UBC<0+IC0IB=0+UCEUCC(b)截止UBC<0++UBE0+UBE>0IB+UCE0(c)饱和UBC>0+11三种组态双极型三极管有三个电极,其中两个可以作为输入,两个可以作为输出,这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态,见下图共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示。共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示;共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;基本元件--三极管-

6、各电极的电流关系12管型工作状态饱和放大截止UBE/VUCE/VUBE/VUBE/V开始截止可靠截止硅管(NPN)锗管(PNP)0.70.30.30.10.6~0.70.2~0.30.50.100.1晶体管结电压的典型值主要参数1.电流放大系数,当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数13当晶体管工作在动态(有输入信号)时,基极电流的变化量为IB,它引起集电极电流的变化量为IC。IC与IB的比值称为动态电流(交流)放大系数在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下,可近似认为

7、,但二者含义不同。2.集—基极反向截止电流ICBOICBO是当发射极开路时流经集电结的反向电流,其值很小。3.集—射极反向截止电流ICEOICEO是当基极开路(IB=0)时的集电极电流,也称为穿透电流,其值越小越好。4.集电极最大允许电流ICM集电极电流IC超过一定值时,三极管的值下降。当值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流,称为集电极最大允许电流ICM。145.集—射反相击穿电压U(BR)CEO6.集电极最大允许耗散功率PCM基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,称为集—射反相击穿电压U(BR)CEO。当晶体管因受热而引起的参数

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。