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时间:2021-03-21
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1、第7页重庆科技学院200/200学年第学期考试试卷课程名称:电力电子技术课程代码:专业班级:教学班号:本卷为1卷,共6页,考试方式:闭卷,考试时间:120分钟题号一二三四五六七八九十总分复核人得分阅卷人一、填空题(共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调
2、制方式称为_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正
3、向电压为 。7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。第7页(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单
4、极性调制工作时,在电压的正半周是( )A、V1与V4导通,V2与V3关断 B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通 D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度第7页B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流
5、调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( )A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是( )A、30°~150° B、0°~120° 第7页C、15°~125° D、0°~150°6、桓流
6、驱动电路中加速电容C的作用是( )A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件7、直流斩波电路是一种( )变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的
7、电流( )A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件,它是()A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO三、计算题(共1小题,20分)1、 电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大电感负载,R=4Ω,U2=22
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